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硫熏强度是亚法糖厂澄清工段的关键工艺参数之一。硫熏强度过低会影响澄清效果,过高会造成成品糖二氧化硫残留过高。目前由于缺乏合适的硫熏强度在线测量装置,该参数主要采用人工取样和离线化验的检测方式,化验滞后时间较长,难以根据该指标及时指导实际生产的问题。为此本文采用极限学习机(ELM)方法建立了硫熏强度软测量模型,并与基于支持向量机(SVM)、径向基函数(RBF)神经网络和反向传播(BP)神经网络的硫熏强度软测量模型进行对比分析。结果显示,基于ELM的硫熏强度软测量模型具有训练收敛速度快、模型精度高和泛化性能好等优点,可以满足实际糖厂澄清工段的要求。 相似文献
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根据Lagrange颗粒运动微分方程及不可压缩湍流边界层中流体的壁面速度分布规律,数值求解了颗粒在湍流边界层中的运动,考虑了Saffman升为对颗粒运动的影响,壁面对运动阻力的影响,给出了固体颗粒沉积边壁,在边界层外缘上所需的最小速度和最小入射角,计算结果还表明边界层对固体颗粒撞击边壁的速度和入射角有较大影响,从数值结果可可以发现一个重要现象。 相似文献
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声空化所引发的特殊的物理、化学环境为制备高效发光的多孔硅薄膜提供了一条重要的途径.实验结果表明,声化学处理对于改善多孔硅的微结构,提高发光效率和发光稳定性都是一项非常有效的技术.超声波加强阳极电化学腐蚀制备发光多孔硅薄膜,比目前通用的常规方法制备的样品显示出更优良的性质.这种超声的化学效应源于声空化,即腐蚀液中气泡的形成、生长和急剧崩溃,在多孔硅的腐蚀过程中,孔中的氢气泡,由于超声波的作用增加了逸出比率和塌缩,有利于孔沿垂直方向的腐蚀.
关键词:
声空化方法
微结构
发光特性
多孔硅 相似文献
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利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱对一系列直流腐蚀和脉冲腐蚀的多孔硅的微结构及发光特性进行了对比研究.表面和侧面的AFM结果表明,多孔硅表面呈“小山”状,有许多小的、突出的硅颗粒.在相同的腐蚀条件(等效)下,脉冲腐蚀的样品表面Si颗粒更加尖锐、突出,侧面的线状结构更明显,多孔硅层更厚.对应的PL谱,脉冲腐蚀的样品发光更强.量子限制效应的理论可以比较成功地解释这个结果
关键词: 相似文献
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