相位校正器粘接局部应力控制技术

通过理论分析,对相位校正器的镜面与支撑结构间的粘接建立模型进行仿真研究,提出了在相位校正器镜片上加工小圆柱,使其粘接应力由镜片本身转移到突出部位的小柱子上,有效改善了相位校正器镜面局部粘接应力,使镜面局部高阶像差得到缓解,并通过试验验证了其有效性。     

Te溶剂Bridgman法CdMnTe晶体核辐射探测器的制备和表征

碲锰镉(CdMnTe)作为性能优异的室温核辐射探测器材料,可用于环境监测和工业无损检测领域。本文中采用Te溶剂Bridgman法生长In掺杂Cd_0.9Mn_0.1Te晶体,制备成10 mm×10 mm×2 mm大小的室温单平面探测器,研究了该探测器对²⁴¹Am@59.5 keV γ射线源的能谱响应。通过表征红外透过率、电阻率以及探测器能谱响应等参数,综合评定了探测器用CdMnTe晶体的质量、电学和探测器性能。结果表明,晶片的红外透过率均在55%以上,最好可达到60%。采用湿法钝化,100 V偏压下的漏电流由钝化前的9.48 nA降为钝化后的7.90 nA,钝化后的电阻率为2.832×10¹⁰ Ω·cm。在-400 V反向偏压下,CdMnTe探测器对²⁴¹Am@59.5 keV γ射线源的能量分辨率在钝化前后分别为13.53%和12.51%,钝化后的电子迁移率寿命积为1.049×10^-3 cm²/V。研究了探测器的能量分辨率随电压的变化特性,当偏压≤400 V时,探测器的能量分辨率主要由载流子的收集效率决定,而当偏压>400 V时,能量分辨率由漏电流决定。本文研究结果表明,Te溶剂Bridgman法生长的CdMnTe晶体质量较好,电阻率和电子迁移率寿命积满足探测器制备需求。     

A Quasi-Symmetric Coupled Quantum Well and Its Electric-Optical Properties

We propose a novel coupled quantum well structure, i.e. a quasi-symmetric coupled quantum well (QSCQW). Based on the demands of optical switching devices for quantum well materials, the QSCQW configuration is further optimized. Consequently, in the case of low applied electric field 25kV/cm and low absorption loss 100cm^-1, a large field-induced refractive index change (for TE mode, n = 0.0106; for TM mode, n = 0.0115) is obtained in the QSCQW structure at the operation wavelength 1550hm. The value is in one or two order of magnitude larger than that in a rectangular quantum well and about 50% larger than that of five-step asymmetric coupled quantum well structure under the same working conditions. The refractive index change obtained with the optimized QSCQW under so low absorption loss and applied electric field is very attractive for semiconductor optical switching devices. This manifests that the QSCQW structure has a great potential for applications in ultra-fast and low-voltage optical switches and in travelling wave modulators.     

Multiparty Quantum Secret Sharing of Key Using Practical Faint Laser Pulses

Based on a bidirectional quantum key distribution protocol [Phys. Rev. A 70 (2004)012311], we propose a (m-1, m-1)-threshold scheme of m (m≥3)-party quantum secret sharing of key by using practical faint laser pulses. In our scheme, if all the m-1 sharers collaborate, they can obtain the joint secret key from the message sender. Our scheme is more feasible according to the present-day technology.     

TiN和Ti1-xSixNy薄膜的微观结构分析

使用x射线衍射(XRD)、x射线光电子谱(XPS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和原子力显微镜(AFM)多种观测手段分析了TiN薄膜和Ti1-xSixNy纳米复合薄膜的微观结构.实验分析证明Ti1-xSixNy薄膜是由直径为3-5nm的纳米晶TiN和非晶Si3N4相构成,并且Ti1-xSixNy薄膜的表面粗糙度小于相同条件下制备的TiN薄膜,在Ti1-xSixNy薄膜体系的自由能中引入界面能的概念,在此基础上分析了体系中TiN晶粒的取向问题.     

二次谐波系统在浑沌态下的光子统计

数值分析了调制泵浦作用下的二次谐波产生系统的浑沌动力学行为.考虑到混沌运动的遍历性,提出一种研究浑沌态光场光子统计的数值方法,即通过数值积分求解系统动力学方程估计光子数的系统平均.运用这一方法于二次谐波系统,计算了其在浑沌态下的光子统计分布,结果表明是一种超Poisson分布.     

高阶Bernoulli多项式和高阶Euler多项式的关系

利用发生函数的方法，讨论了高阶Bernoulli数和高阶Euler数，高阶Bernoulli多项式和高阶Euler多项式之间的关系，得到了经典Bernoulli数和Euler数，经典Bernoulli多项式和Euler多项式之间的新型关系。     

100μm远红外FEL系统单一微波源实验

自由电子激光性能主要取决于电子束的品质，而电子束的品质主要依赖于微波加速场的稳定。特别是对自由电子激光用户装置，对微波源的稳定性要求更高。中物院FEL必须解决的问题其中之一有必须提高FEL自发辐射的稳定性。设计的系统中因采用了两个速调管放大器分别给注入器和加速器提供微波功率，两个放大器相位的抖动(随机的)自然会引起能量的变化，尤其在低能段还会影响到束流的品质。2003年采用了中科院电子所首批研制的KL-54速调管进行单波源改进实验，为了减少微波传输中的损耗，引进了3端口大功率环行器，使功率损耗减少了20％，与此同时设计生产了大功率电调功分器和电调移相器，使单一微波源建立起来，达到了满意的结果。