半导体异质结界面能带排列的实验研究

本文综述半导体异质结界面能带排列的实验研究情况。介绍了九种目前已成功用于这方面研究的实验方法,这包括C—V测试、光致发光谱测量和光电子能谱测量,并讨论了Al_xGa_(-x)As/GaAs、InAs/GaSb、Ge/Si和Ge/GaAs等几种典型系统的一些研究结果。     

水汽在淀积金属钠的InP(111)表面的吸附

用UPS和HREELS研究室温下水汽在清洁的和淀积了金属钠的InP(111)表面的吸附。表面淀积了0.3单层金属钠之后,水汽在InP(111)表面的粘附系数显著增加,推测其原因可能与钠原子和表面的磷原子间的电荷转移有关。水汽主要以不分解的分子态形式吸附在表面。在HREELS谱中观察到与P—H键有关的282meV能量损失峰,表明部分水汽可能与淀积在表面的钠原子发生反应或者在表面发生分解。 关键词：     

多孔硅发光研究获新进展

最近,复旦大学应用表面物理实验室在多孔硅发光研究方面又取得两项新的进展,现介绍如下:1.电致发光的功耗低于文献报道的水平 目前,我们所制成的多孔硅电致发光样品,其发光的阈值电压和电流已减小到 6V,30mA/cm2,比国际上迄今所报道的功耗值都要低.从表1的比较可以看出,我们所获得的电致发光特性达到了文献报道的最好水平.2.光致发光获得迄今所报道的最短波长 由于多孔硅发光的波长与硅柱直径有关,当发光波长进入绿光范围时,硅柱孔径已很细,极易坍塌,使得更细的量子线结构很难实现.迄今国外文献所发表的光致发光谱其中心波长最短约为530nm(…     

用HREELS研究氢在GaAs和InP的(111),(111)表面上的吸附

氢在GaAs和InP表面上的吸附可以用高分辨率电子能量损失谱(HREELS)来探测。Ga—H,As—H,In—H和P—H键的伸缩振动各自对应于不同的能量损失。但是As—H振动极容易和Ga—H振动追加声子损失相混淆,只有从损失峰的相对强度比较上来区别。实验得到吸附的氢与表面原子的成键情况取决于表面的原子结构及电子分布。对于GaAs(111)面,低暴露量时只形成Ga—H键,而高暴露量时还可以形成As—H键。而InP(111)表面由于是经过磷气氛退火处理的,在低暴露量下In—H与P—H键均可形成。InP(Ⅲ)面上只看到P—H损失峰,说明这个表面是完全以P原子结尾的。在(Ⅲ)面上出现小面的情形,则表面Ⅲ族和Ⅴ族原子均可同氢成键。 关键词：     

供应链合作关系互惠机制与合约机制的演化分析

尽管供应链理论与实践的发展整体上呈现出不断深化的趋势，但是由于我国不同地域、不同行业的差异性，决定了传统熟人社会的互惠关系与现代市场经济条件下的契约关系共同存在的现象。本文分析了传统社会的互惠机制和现代市场经济的契约机制的形成原理，然后运用Posch强化学习模型分析了的不同合作类型的演化过程和关键性决定因素，即历史初始条件和不同合作方式获得的利益大小。     

一种可能的InP(100)(4×2)表面原子结构模型

对于用氩离子刻蚀并在磷气氛中退火得到的InP(100)(4×2)再构表面,用HREELS测得表面的In—H和P—H键几乎是同时形成的,而用偏振光UPS观察时,P的悬挂键电子态并不具有沿原胞两个周期方向的对称性质。根据这些结果,可以推测InP(100)的富In表面存在In的空位,与In空位相邻的P原子悬挂键发生了转向。我们提出了一种失列-二聚物原子结构模型。它可以定性地解释所观察到的实验事实。 关键词：     

应用同步辐射光源的表面物理研究—现状与展望

本文综述了应用同步辐射光源的几种主要表面物理研究技术。内容包括:同步辐射光电子能谱(SRPES)、表面广延X射线吸收边精细结构(SEXAFS)、光电子衍射(PED)和掠角入射X射线衍射(GIXD)等。对每种技术的原理、应用实例和最新进展都作了较详细的介绍。     

半导体异质结界面能带排列的实验研究

本文综述半导体异质结界面能带排列的实验研究情况。介绍了九种目前已成功用于这方面研究的实验方法,这包括C—V测试、光致发光谱测量和光电子能谱测量,并讨论了Al_xGa_(-x)As/GaAs、InAs/GaSb、Ge/Si和Ge/GaAs等几种典型系统的一些研究结果。     

砷化镓及其它Ⅲ—Ⅴ族半导体表面的硫钝化

砷化镓的表面钝化是一个长期未能完满解决的问题。八十年代后期出现的硫钝化技术曾带来很大的希望,但它的化学稳定性仍不够理想。通过对硫钝化机理的研究,弄清了这种方法所存在的问题后,一些改进的硫钝化方法正不断发展,使之有可能在不远的将来成为ＧａＡｓ器件制造中的一种实用钝化工艺。     

空间限制与应变对发光多孔硅喇曼光谱的影响

发光多孔硅的喇曼光谱在５２０ｃｍ^－１附近呈现一锐峰，峰位的红移随多孔度的增大而增大采用微晶模型拟合喇曼谱的线形，发现除了光学声子的空间限制效应，硅单晶的应变对峰位的移动也有显著贡献。通过谱形的拟合估算了硅微粒的应变，与已报道的Ｘ射线衍射结果相一致。在多孔硅的喇曼光诸中没有观察到起源于非晶硅的光散射信号。 关键词：