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| 砷化镓及其它Ⅲ—Ⅴ族半导体表面的硫钝化 | |
| 引用本文： | 李 深,王迅.砷化镓及其它Ⅲ—Ⅴ族半导体表面的硫钝化[J].物理学进展,2011,15(2):218-231. |
| 作者姓名： | 李 深 王迅 |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室和复旦大学李政道物理学综合实验室 上海 200433 |
| 摘 要： | 砷化镓的表面钝化是一个长期未能完满解决的问题。八十年代后期出现的硫钝化技术曾带来很大的希望，但它的化学稳定性仍不够理想。通过对硫钝化机理的研究，弄清了这种方法所存在的问题后，一些改进的硫钝化方法正不断发展，使之有可能在不远的将来成为ＧａＡｓ器件制造中的一种实用钝化工艺。 |
| 关 键 词： | 无 |
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