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991.
本文针对低少子寿命铸造多晶硅片进行试验, 通过一种将多温度梯度磷扩散吸杂工艺与低温退火工艺结合的新型低温退火吸杂工艺, 去除低少子寿命多晶硅片中影响其电性能的Fe杂质及部分晶体缺陷, 提高低少子寿命多晶硅所生产的太阳电池各项电性能. 通过低温退火磷扩散吸杂工艺与其他磷扩散吸杂工艺的比较, 证明了低温退火吸杂工艺具有更好的磷吸杂和修复晶体缺陷的作用. IV-measurement发现经过低温退火工艺处理后的低少子寿命多晶硅, 制备的太阳电池光电转换效率比其他实验组高0.2%, 表明该工艺能有效地提高低少子寿命多晶硅太阳电池各项电性能参数及电池质量. 本研究结果表明新型低温退火磷吸杂工艺可将低少子寿命硅片应用于大规模太阳电池生产中, 提高铸造多晶硅材料在太阳能领域的利用率, 节约铸造多晶硅的生产成本.
关键词:
低温退火
磷吸杂
低少子寿命多晶硅
太阳电池 相似文献
992.
激光器调谐过程中的动态线宽是非常重要的参数, 然而, 当前各种测量方法得到的都是激光器稳定状态下的静态线宽. 本文提出一种对干涉拍信号进行基于局部均值分解的时频分析进而获取激光动态线宽的方法, 通过仿真信号验证了这种时频分析方法提取瞬时相位噪声的有效性; 构建实验系统, 利用10cm路径差产生约0.5ns的超短时延, 提取相位噪声的时频分布, 首次得到了分布反馈半导体激光器在脉冲工作模式下的动态线宽.
关键词:
超短时延
动态线宽
局部均值分解
时频分布 相似文献
993.
Dong Zhengchao 《中国科学G辑(英文版)》2006,49(5):597-605
We study the Zeeman effect on the d-wave superconductor and tunneling spectrum in normal-metal(N)/d-wave superconductor(S) junction by applying a Zeeman magnetic field to the S. It is shown that: (1) the Zeeman magnetic field
can lead to the S gap decreasing, and with the increase in Zeeman energy, the superconducting state is changed to the normal
state, exhibiting a first-order phase transition; (2) the Zeeman magnetic field may make the zero-bias conductance peak split
into two peaks, and the energy difference between the two splitting peaks in the conductance spectrum is equal to 2h
0 (h
0 is the Zeeman energy); (3) both the barrier strength of interface scattering and the temperature can lower the magnitudes
of splitting peaks, of which the barrier strength can lead to the splitting peaks becoming sharp and the temperature can smear
out the peaks, however, neither of them can influence the Zeeman effect. 相似文献
994.
995.
996.
997.
A new organic donor 3‐amino‐6‐dimethylamino‐2‐methyl‐phenazine was introduced to charge‐transfer complex with polyoxometalate. The complex [C15H17N4]4[Mo8O26] ( 1 ) was synthesized by hydrothermal reaction of neutral red chloride (3‐amino‐6‐dimethylamino‐2‐methyl‐phenazine hydrochloride) and (NH4)6[Mo7O24] · 4H2O and was characterized by EPR, element analysis and single crystal x‐ray diffraction. 相似文献
998.
K. Rerbal I. Solomon J.-N. Chazalviel F. Ozanam 《The European Physical Journal B - Condensed Matter and Complex Systems》2006,51(1):61-64
We have investigated the temperature dependence of
photoluminescence in hydrogenated amorphous silicon-carbon alloys
a-Si1-xCx:H prepared by glow discharge in the low-power regime.
The radiative recombination process, due to photocarriers trapped on
band-edge states, is in competition with the thermal escape of the
photocarriers into the mobility bands. The model gives a quantitative fit
with experiment, without any adjustable parameter, provided the width of the
band-edge distribution of states is taken as the width of the conduction
band only (measured by “photo-induced infra-red spectroscopy”) and not as
the Urbach energy, as it is usually assumed. 相似文献
999.
在考虑平面型摆动器(Wiggler)场误差△B(z)的情况下,求解电子在磁场中运动的洛仑兹(Lotentz)方程,得到场误差对电子横向速度的改变,然后作傅里叶变换即为电子自发辐射谱的改变,并讨论了各种场误差对自由电子激光器自发辐射谱的影响,选择北京自由电子激光器(BFEL)参数,进行模拟,最后确定出各种场误差的可接受条件。 相似文献
1000.
云母1/4波片偏振干涉谱的研究 总被引:15,自引:1,他引:14
本文利用岛津UV301-PC分光光计,测定了云母1/4波片的偏振干波谱,该光谱和以往文献中的显著不同。本文对此进行了分析和解释,并由此得出了在考虑吸收的情况下的爱里方程表达形式。该将有助于测定某些晶体的吸光度。 相似文献