Effect of Hydrogen Implantation on SIMOX SOI Materials

Hydrogen ions were implanted into separation by implantation of oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers near the oxygen-implantation-induced damage peak under different conditions of energy and dose. It was found that the implanted hydrogen ions not only accelerate the diffusion of oxygen atoms from the annealing ambience into the wafer but also cause an outward diffusion of oxygen atoms in the buried oxide (BOX) layer. Thus, greatly broadened buried oxygen-rich (BOR) layers were formed in our experiments, which are 18%-79% broader than the BOX layer of standard SIMOX SOI wafers under the same conditions of oxygen implantation. The mechanism was discussed. A potential low cost method to fabricate SIMOX SOI wafers is proposed.     

Finite Degree Holomorphic Covers of Compact Riemann Surfaces

A conjecture of Ehrenpreis states that any two compact Riemann surfaces of genus at least two have finite degree unbranched holomorphic covers that are arbitrarily close to each other in moduli space. Here we prove a weaker result where certain branched covers associated with arithmetic Riemann surfaces are allowed, and investigate the connection of our result with the original conjecture.     

区间数互补判断矩阵的拓扑排序方法

提出了方案之间进行比较时优于与劣于的定义,通过构造与区间数互补判断矩阵相对应的有向图的方法,将互补判断矩阵的排序问题转化为有向图中顶点的拓扑排序问题,将有向图中的顶点按照备选方案的重要性顺序输出,得到的顶点的序列即为备选方案的重要性排序,数值计算实例验证了该方法的有效性与可行性。     

关于拟共形映照边界伸缩商的一个注记

本文给出了拟共形映照边界伸缩商与无限小边界伸缩商的一个等式h([μ])=inf_(μ1∈[μ])b([μ1]B)；并给出了一个关于T_0空间的推论．     

光纤放大器增益饱和对有源光纤环形腔滤波特性的影响

从理论和实验两个方面研究了有源光纤环形腔滤波器输入光功率对光纤放大器增益的影响及由此引起的对有源光纤环形腔滤波特性的影响。在考虑上述影响的情况下 ,对有源光纤环形腔滤波器参数的优化作了讨论     

宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展

本文系自1979年以来，宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面：第一，系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射；第二，创造性地提出并实 利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想；第三，深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用，为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径；第四，研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射；第五，CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理；第六，ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。     

一个电磁感应佯谬及其理论分析

提出一个令人困惑的电磁感应问题，并运用电磁学理论对其进行了详尽的理论分析。     

Zn1-xCdxSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数

考虑压力下势垒高度、激子结合能的改变等诸多因素的影响后数值研究了Ⅱ－Ⅵ族ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数，特别是压力系数随阱宽的变化规律。计算表明在SCPA近似下跃迁能量的计算与实验值吻合较好，而在压力系数的计算中必须计及材料的体积弹性模量随温度和压力的变化。证实了ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的压力系数随阱宽增大而减小的结论。     

奇异黎曼度量下Г—等变分歧问题的Г—C°接触等价d决定性（下）

研究了奇异黎曼度量之下的 Γ-等变分歧问题中的 Γ- C°接触等价性 ,提供了 Γ- C°等价的判别法 .它们是 Percell.P.B,ZOU Jiang- chen,SU N W Z关于分歧问题有限决定性 C0理论中的有关结果的推广 .使用奇点理论及紧群表示方法给出了相关定理的证明     

关于Lowen空间指数对象的一点注记

L-拓扑空间(X,△)称为一Lowen空间若△有一组由层特征函数构成的基,即△中形如a∧U,a∈L,U∈X的元素构成△的一组基.若L=[0,1],则(X,△)是一Lowen空间当且仅当(X,△)是一Lowen意义下的fzzy邻域空间.通过在函数空间上引入适当的L-拓扑结构,证明了若0∈L是一素元并且Lowen空间(X,△)的开集格是一连续格,则(X,△)是Lowen空间范畴中一指数对象.特别地,若一fuzzy邻域空间的开集格连续,则它是FNS中一指数对象.