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141.
Cluster ions have been recognized as a superb primary species in time of flight secondary ion mass spectroscopy (ToF-SIMS) compared with monatomic primary ions, as they significantly enhance the secondary ion yields from bulk samples. Self-assembled monolayers provide an important system for studying the fundamental mechanism involved in the yield enhancement.We used a gold cluster ion source to analyze a new type of self-assembled monolayer: a fluorocarbon-grafted polyethylene terephthalate. In addition to the structure details, which helped to understand the grafting mechanism, ToF-SIMS analysis revealed that fluorocarbon secondary ion yield enhancements by cluster ions were due to the enhanced sputter efficiency. A larger information depth may also be expected from the enhancement. Both mathematical definitions of damage cross-section and disappearance cross-section were revisited under a new context. Another cross-section parameter, sputter cross-section, was introduced to differentiate the beam induced sputter process from damage process. 相似文献
142.
Motohiro Mizuno Yoji Aoki Darius Greenidge 《Journal of Physics and Chemistry of Solids》2006,67(4):705-709
The angular dependence of the 27Al NMR spectrum was measured for single crystals of smoky and colorless topaz, Al2SiO4(F,OH)2. Smoky topaz was obtained by irradiating high energy neutrons to colorless topaz. The quadrupole coupling constant e2Qq/h and the asymmetry parameter η were obtained from the analysis of the angular dependences of quadrupole splitting of the 27Al NMR spectrum. The local structures around the aluminum atoms in smoky and colorless topaz were discussed from the magnitude and the direction of the electric field gradient. The directions of principal axes of the EFG tensor of 27Al were close to the directions of Al-O and Al-F bonds. The difference in the bond lengths between Al(1)-F(1) and Al(1)-F(2) was found to affect the x and y components of the EFG tensor. 相似文献
143.
此文报道了H+、H+2和H+3离子通过碳膜后,在其中产生的各种微量产物的测量结果.讨论了离子与碳膜作用中的电荷交换过程.分析了这些微量产物的形成机理.实验证明在产物的形成中电荷交换过程起关键作用.研究了离子与碳膜作用中的团簇效应和尾流效应. 相似文献
144.
聚异丁烯高活性端基含量及相对分子质量测定方法的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
综合使用核磁,VPO和近红外光谱分析技术对聚异丁烯活性端基含量以及相对分子质量的测定进行了详细研究,分别建立核测定聚异丁烯活性端基含量以及其他烯键含量和近红外光谱快速测量聚异聚丁烯活性端基含量。其他烯键含量和相对分子质量的分析方法。成对t检验结果表明,近红外光谱分析方法测定结果与核磁和VPO方法测定结果之间无显著性差异。 相似文献
145.
利用离子速度影象技术研究了正一溴丁烷(n-C4H9Br)在231~267 nm波段的光解,得出了如下结论:正一溴丁烷(n-C4H9Br)在231~267 nm波段的吸收源于基态到三个最低激发态的跃迁,这三个激发态标识为1A″、2A′和3A′;发生在这三个排斥态的势能面(PES)上的光解最终导致C4H9 Br(2P3/2)或C4H9 Br*(2P1/2)的产生;2A′和3A′态之间存在避免交叉(Avoided crossing)会影响最终的光解产物;从基态1A′到激发态1A″的跃迁矩垂直于对称面,也就垂直于C-Br键;从基态1A′到激发态3A′的跃迁矩平行于对称面,同时平行于C-Br键;从基态1A′到激发态2A′的跃迁矩在对称面内,且与C-Br键成53.1°夹角.我们也讨论了正一溴丁烷(n-C4H9Br)在234 nm和267 nm附近光解时的避免交叉几率(Avoided crossingprobability),以及它对单通道相对产额(Relative fraction of the individual pathways)的影响. 相似文献
146.
147.
148.
M. Esmaeelpour 《Applied Surface Science》2006,252(18):6353-6359
This research investigates the effect of ion implantation dosage level and further thermal treatment on the physical characteristics of chromium coatings on Si(1 1 1) substrates. Chromium films had been exposed to nitrogen ion fluencies of 1 × 1017, 3 × 1017, 6 × 1017 and 10 × 1017 N+ cm−2 with a 15 keV energy level. Obtained samples had been heat treated at 450 °C at a pressure of 2 × 10−2 Torr in an argon atmosphere for 30 h. Atomic force microscopy (AFM) images showed significant increase in surface roughness as a result of nitrogen ion fluence increase. Secondary ion mass spectroscopy (SIMS) studies revealed a clear increased accumulation of Cr2N phase near the surface as a result of higher N+ fluence. XRD patterns showed preferred growth of [0 0 2] and [1 1 1] planes of Cr2N phase as a result of higher ion implantation fluence. These results had been explained based on the nucleation-growth of Cr2N phase and nitrogen atoms diffusion history during the thermal treatment process. 相似文献
149.
计算机模拟仿真射频磁控溅射实验制备薄膜及离于电池电极,研究了在特定实验条件下薄膜的生长过程,并分析了影响薄膜生长的部分因素。 相似文献
150.
在有效质量近似理论下,利用转移矩阵和有效垒高方法研究了有限磁场下含结构缺陷的多组分超晶格中局域电子态的性质.在考虑各组分层有效质量的失配时,外加磁场会导致磁耦合效应的出现.磁耦合效应不仅引起局域电子能级的量子化,并且随着朗道指数或磁场强弱的变化,局域能级及其局域程度都会发生显著移动,特别是对高能区域的局域电子态影响更大.此外,还计算了电子输运系数,讨论了含结构缺陷的三组分超晶格中局域电子能级与输运谱透射禁区中的共振透射峰的关系,发现两者之间有着很好的对应关系,为相应的实验研究提供了依据.
关键词:
超晶格
局域电子态
磁场 相似文献