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11.
再谈"三维导体"的自感系数 总被引:4,自引:1,他引:3
由公式ε=L│dI/dt│出发,只要求出“三维导体”中的等效自感电动势,即可求得自感系数L,并以无限长同轴电缆自感系数的求解为例加以证明。 相似文献
12.
用光线矩阵方法推导了光纤-自聚焦棒-反射器在共轴耦合情况下的后向耦合系数;分析了它与耦合系统结构参数之间的关系.用计算机模拟画出了反射器为平面镜的系统的后向耦合系数和后向耦合损耗的曲线分布,计算曲线与实验结果大致符合. 相似文献
13.
本文介绍一种以加速组元为终端负载的纳秒脉冲功率系统。获得的加速间隙电压为350kV,90ns(半高宽),波形上升时间为30ns;Blumlein主开关工作电压大于280kV,抖动小予1.5ns(均方根值)。对同轴场畸变开关性能的进一步改善作了必要的讨论,提出了用等场强原则偏置触发极,比通常采用自然中位面方法,可使开关工作电压提高8.7%。 相似文献
14.
同轴静电纺丝技术制备Y2O3:Eu3+@SiO2豆角状纳米电缆与表征 总被引:1,自引:0,他引:1
采用同轴静电纺丝技术, 以氧化钇、氧化铕、正硅酸乙酯(C8H20O4Si)、无水乙醇、PVP和DMF为原料, 成功制备出大量的Y2O3:Eu3+@SiO2豆角状纳米电缆. 用TG-DTA, XRD, SEM, TEM和荧光光谱等分析技术对样品进行了系统地表征. 结果表明, 得到的产物为Y2O3:Eu3+@SiO2豆角状纳米电缆, 以无定型SiO2为壳层, 晶态Y2O3:Eu3+球为芯, 电缆直径约为200 nm, 内部球平均直径约150 nm, 壳层厚度约为25 nm, 电缆长度>300 μm. 纳米电缆内部为球状结构, 沿着纤维长度方向有序排列, 形貌均一. Y2O3:Eu3+@SiO2豆角状纳米电缆在246 nm紫外光激发下, 发射出Eu3+离子特征的波长为614 nm的明亮红光. 对其形成机理进行了初步讨论. 相似文献
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设计了一种紧凑型P波段相对论返波振荡器,其电动力学结构是由同轴慢波结构和同轴引出结构组成的。同轴慢波结构缩小了器件的径向尺寸;同轴引出结构缩短了器件的轴向长度,且提高了束波作用效率。通过粒子模拟研究了器件内束波作用的物理过程,模拟结果表明:器件具有结构紧凑、束波作用效率高的特点。在二极管电压700 kV,电流7 kA,导引磁场1.5 T时,器件在频率833 MHz处获得较高的微波输出,饱和后输出微波的平均功率达1.58 GW,效率约为32%,器件电磁结构尺寸仅为108 mm×856 mm。 相似文献
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