| 同轴静电纺丝技术制备Y2O3:Eu3＋@SiO2豆角状纳米电缆与表征 |
| |
| 引用本文： | 王进贤,张贺,董相廷,徐淑芝,刘桂霞.同轴静电纺丝技术制备Y2O3:Eu3＋@SiO2豆角状纳米电缆与表征[J].化学学报,2010,68(6):501-507. |
| |
| 作者姓名： | 王进贤 张贺 董相廷 徐淑芝 刘桂霞 |
| |
| 作者单位： | (长春理工大学化学与环境工程学院 长春 130022) |
| |
| 摘 要： | 采用同轴静电纺丝技术, 以氧化钇、氧化铕、正硅酸乙酯(C8H20O4Si)、无水乙醇、PVP和DMF为原料, 成功制备出大量的Y2O3:Eu3＋@SiO2豆角状纳米电缆. 用TG-DTA, XRD, SEM, TEM和荧光光谱等分析技术对样品进行了系统地表征． 结果表明, 得到的产物为Y2O3:Eu3＋@SiO2豆角状纳米电缆, 以无定型SiO2为壳层, 晶态Y2O3:Eu3＋球为芯, 电缆直径约为200 nm, 内部球平均直径约150 nm, 壳层厚度约为25 nm, 电缆长度＞300 μm. 纳米电缆内部为球状结构, 沿着纤维长度方向有序排列, 形貌均一. Y2O3:Eu3＋@SiO2豆角状纳米电缆在246 nm紫外光激发下, 发射出Eu3＋离子特征的波长为614 nm的明亮红光. 对其形成机理进行了初步讨论.
|
| 关 键 词： | 同轴静电纺丝技术 豆角状纳米电缆 氧化钇 氧化铕 二氧化硅 |
| 收稿时间： | 2009-06-19 |
| 修稿时间： | 2009-09-12 |
|
| 点击此处可从《化学学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《化学学报》下载免费的PDF全文 |
|
