金纳米棒核／二氧化硅壳纳米复合结构的可控制备及细胞成像

采用模板合成以及溶胶凝胶方法制备了金纳米棒核／二氧化硅壳（GNR@SiO2）纳米复合粒子,探讨了这种新型纳米复合结构的可控制备、光谱性质、细胞毒性和细胞成像。通过紫外可见分光光度计、透射电镜、共聚焦显微镜对样品进行表征,结果表明：通过对反应时间的调控,获得的纳米复合粒子的二氧化硅壳层厚度可以控制在20～30nm。由于二氧化硅壳层的存在,大大提高了金纳米棒的稳定性,同时降低了金纳米棒的细胞毒性;此外,由于二氧化硅壳层具有良好的化学修饰作用,因此可以将荧光探针分子标记在二氧化硅壳层表面,修饰后的纳米复合粒子可以通过细胞内吞作用进入细胞,从而实现细胞内的光学成像。因此,该纳米粒子复合材料在生物传感、细胞成像以及光热治疗等方面有着良好的应用前景。     

ZnO纳米棒／MEH-PPV异质结的复合电致隧穿发光

利用低温水热法生长的ZnO纳米棒（ZnO-NRs）,和p型有机半导体材料聚[2-甲氧基-5-（2-乙基己氧基）-1,4-苯撑乙烯撑]（MEH-PPV）复合制备了结构为“ITO/ZnO晶种/ZnO-NRs/MEH-PPV/Al”的发光器件。测试结果发现,该器件具有非常好的二极管整流特性。对ZnO-NRs/M EH-PPV异质结施加超过17 V的反向偏压时,可同时获得两种半导体材料的发光,且ZnO近紫外光（380 nm ）发射强度远大于 M EH-PPV的红橙光强度,发光功率随着反向偏压的增加迅速增强,然而施加正向偏压时未探测到发光。该器件的发光机理不同于其他文献报道的正偏压发光,而属于反偏压发光器件,其发光机理归因于有机无机复合异质结的界面特殊性和ZnO-NRs的纳米尺寸效应,反偏压下器件实现的是载流子隧穿发光,而正偏压时载流子以表面态的无辐射复合及漏电流方式消耗。     

800Hz Terfenol-D鱼唇式弯张换能器

本文研制了800Hz Terfenol-D鱼唇式弯张换能器，换能器设计中采用永磁偏磁场和能有效抑制涡流损耗的闭合磁路结构，最高声源级185dB，-3dB带宽180Hz,这种鱼唇工弯张换能器克服了连续直流提供偏磁场时发热强的缺点，并且仅需要普通的功率放大器，更适于长时间连续工作，使这一新型低频大功率水声换能器趋于实用化。     

核反应堆简介

 说起核反应堆,你一定不陌生。大亚湾、秦山早已是我们耳熟能详的名字,燃料棒、控制棒、一回路、二回路这些名词你可能也听说过一些,核电站、核潜艇都是电视节目里的常客,当然,还有令人不愉快的一些事故,都与核反应堆有密切的关系。但这并不是核反应堆的全部,除了这些,它还有很多我们不熟悉的方面。下面,我们就从它的物理原理谈起。     

不同形貌氧化锌纳米棒的CVD法制备及生长机制讨论

采用CVD技术制备了不同形貌的ZnO纳米棒.并利用XRD、SEM、能谱仪、荧光光谱仪对比研究了其表面结构、成份、相结构及光致发光特性.结果表明,样品形貌随着沉积位置的变化而变化,其生长遵循金属自催化机制.并且表明离子化氧空位的存在有利于ZnO的绿光发射.     

室温氧化还原反应制备AgCuSe三元纳米棒

在室温下通过氧化还原反应制备了AgCuSe三元纳米棒.用X射线粉末衍射、透射电镜和X射线光电子能谱对产物进行了表征.X射线粉末衍射结果表明,产物是四方相AgCuSe;透射电镜结果表明,产物是纳米棒,其直径为5～20nm,长度为200～600nm;X射线光电子能谱结果表明,产物的纯度是很高的,没有单质Ag、Cu等杂质.应用化学热力学原理讨论了产物AgCuSe的生成机理.热力学计算表明,在这个反应体系中最终产物是纯AgCuSe.溶剂乙二胺不仅作为双齿配体与Ag+和Cu+形成稳定的配合物,而且还能溶解金属硒、增强硒的反应性,乙二胺在控制AgCuSe的成核和纳米棒的生长过程中起着重要的作用.     

含传感器增益故障的不确定离散时滞系统静态输出反馈鲁棒H∞容错控制

针对一类含有不确定参数的离散时滞系统,研究了当传感器发生增益故障情况下的静态输出反馈鲁棒H∞容错控制器设计问题.系统中的参数不确定性满足广义匹配条件,传感器元件具有部分增益故障.根据Lyapunov稳定性理论和线性矩阵不等式(LMI)方法,分别给出了含有时滞记忆和无时滞记忆静态输出反馈鲁棒容错镇定控制器以及静态输出反馈H∞容错控制器的存在条件.通过求解一组线性矩阵不等式可以得到使得闭环系统渐近稳定并且H∞范数小于给定界γ的鲁棒容错控制器.最后通过仿真示例说明本文提出设计方法的正确性.     

Growth of Indium Nanorods by Magnetron Sputtering

Indium nanorods are grown on silicon substrates by using magnetron-sputtering technique. Film morphologies and nanorod microstructure are investigated by using scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy （HRTEM）, and x-ray diffraction. It is found that the mean diameter of the nanorods ranges from 30nm to 100nm and the height ranges from 30nm to 200nm. The HRTEM investigations show that the indium nanorods are single crystals and grow along the [100] axis. The nanorods grow from the facets near the surface undulation that is caused by compressive stress in the indium grains generated during grain coalescence process. For low melting point and high diffusivity metal, such as bismuth and indium, this spontaneous nanorod growth mechanism can be used to fabricate nanostructures.     

激光棒位置对热不灵敏凹凸腔运转特性的影响

以典型商用凹凸谐振腔为例，系统地分析了激光棒位置对热不灵敏腔运转特性的影响，对有关结果进行了讨论．