不确定非线性动力系统的稳定性分析

本文讨论渐近稳定的非线性名义动力系统在非线性时变扰动下的鲁棒稳定性问题。应用Ｌｙａｐｕｎｏｖ稳定性定理及其推广定理得出了非线性动力系统鲁棒稳定的若干判别准则，并给邮了应用所得准则的实际算例。     

一维CuO纳米棒的微乳-均匀沉淀耦合法制备与结构表征

以CuSO4和NH3·H2O为原料,采用微乳-均匀沉淀耦合法制备了一维CuO纳米棒。用XRD、SEM、TEM、HRTEM和FTIR对产物的结构和形貌进行了表征。结果表明:产物为单斜晶相结构的CuO纳米棒,内部具有孔洞结构,其直径为40～110nm,长度为800～3000nm。可通过改变水核比(ω)、反应物的浓度、反应时间、反应温度等条件实现对CuO纳米棒形貌和尺寸的调控。探讨了可能的反应机理,并用热分析方法考察了CuO纳米棒对高氯酸铵(AP)分解的催化作用。     

蛋清蛋白辅助水热法制备CeO_2纳米棒及其发光性能

本文以氯化铈和氢氧化钠为反应原料,以新鲜蛋清为络合剂,探索在水热体系中制备CeO2纳米棒。通过XRD、FESEM等测试手段对其进行了结构和形貌分析;应用荧光光谱法对样品的发光性能进行了测试。XRD结果表明,实验所得产物为立方萤石结构CeO2。FESEM分析可知,所得CeO2纳米棒为规则六方柱结构,其长度约为200 nm、直径约为几十纳米。荧光光谱分析可知其在紫蓝色发光区具有较强的发光性能。     

金纳米棒的表面改性及其在生物医学领域的应用

各向异性的金纳米棒由于具有独特的光学性质,在生物医学领域得到了日益广泛的应用。本文综述了金纳米棒的表面改性及其在生物标记与识别、生物成像、癌症诊断和光热治疗等领域中的应用。     

CdS：Mn纳米棒的溶剂热合成与发光性质（摘要）

近年来,一维纳米材料已成为广泛的研究热点.其中,Ⅱ-Ⅵ族掺杂半导体发光材料是一个重要的研究方向.研究者已通过不同的方法合成ZnS或CdS基掺杂纳米发光材料,以期得到基质与发光中心之间有效的能量传递,以及控制基质本身的缺陷发光.溶剂热便是其中一种较新的合成方法,通过它可以在相对温和的反应条件下得到均一的、结晶度较高的产品,在硫化物纳米发光材料的合成方面具有一定的优势.     

纳米结构ZnO在TiO_2薄膜上的电化学沉积及其表征

在三电极体系中,以硝酸锌水溶液作为电解液,采用阴极还原电沉积法成功实现了一维纳米结构ZnO阵列在TiO2纳米粒子/ITO导电玻璃薄膜基底上的沉积,并通过XRD、SEM、EDS和PL光谱等方法对样品进行了表征.重点研究了薄膜基底、电解液浓度、沉积时间、六次亚甲基四胺(HMT)的引入对ZnO沉积及其发光性质的影响.结果显示:与ITO玻璃基底相比,ZnO更易于在TiO2纳米粒子薄膜上实现电化学沉积.ZnO属于六方晶系的铅锌矿结构,并且沿着c-轴方向表现出明显的择优化生长,以形成垂直于基底的ZnO纳米棒阵列.延长沉积时间、增加电解液浓度和引入一定量的HMT等均对ZnO的生长有促进作用,进而使其纳米棒的结晶度和取向程度提高,进而解释了所得的薄膜分别约在375和520nm处表现出ZnO的强而窄的带边紫外光发射峰和弱而宽的表面态绿光发射带.     

不同结构CoPt纳米棒磁学性能

运用电位置换结合化学还原方法制备了两种不同结构的CoPt纳米棒材料,一种为实心结构(CoPt-a),一种为空心结构(CoPt-b).采用透射电镜(TEM)和能量散射光谱(EDS)研究了其形貌和组成.在5和300K下测试了两种纳米棒的磁学性能.结果显示,CoPt-a和CoPt-b纳米棒在5K时的矫顽力分别为6.5和9.3A·m-1,温度升至300K时,两种结构CoPt纳米棒矫顽力均减小为0A·m-1.场冷曲线(FC)和零场冷曲线(ZFC)结果表明两种结构的CoPt纳米棒均表现出超顺磁性,阻塞温度(TB)分别为10.0和9.0K.两种CoPt纳米棒组成、结构等不同可能是引起其矫顽力、磁化强度和阻塞温度差异的主要原因.     

CdS量子点敏化ZnO纳米棒阵列电极的制备和光电化学性能

采用连续式离子层吸附与反应法制备了CdS量子点敏化的ZnO纳米棒电极.应用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对CdS量子点/ZnO纳米棒电极的形貌、晶型和颗粒尺寸进行了分析和表征;采用光电流-电位曲线和光电流谱研究了不同CdS循环沉积次数及不同沉积浓度对复合电极的光电性能影响.结果表明,前驱体浓度都为0.1mol·L-1且沉积15次敏化后的ZnO纳米棒阵列电极光电性能最好.与单纯的ZnO纳米棒阵列电极和单纯的CdS量子点电极相比,其光电转换效率显著提高,单色光光子-电流转换效率(IPCE)在380nm处达到76%.这是因为CdS量子点可以拓宽光的吸收到可见光区,并且在所形成的界面上光生载流子更容易分离.荧光光谱实验进一步说明了光电增强的原因是,两者间形成的界面中表面态大大减少,有利于减少光生电子和空穴的复合.     

刚性衬底上铜铟硒纳米棒阵列的合成与表征

在覆盖有钨电极的硅衬底上利用多孔阳极氧化铝模板为生长掩膜电沉积合成垂直排列的铜铟硒纳米棒阵列. 多孔阳极氧化铝模板由阳极氧化磁控溅射制备的铝膜制成. 扫描电子显微镜结果表明,该纳米棒阵列结构致密,直径约100 nm长度约1μm,纵横比为10. X射线衍射、微区拉曼光谱和高分辨透射电子显微镜结果表明,真空条件下450 oC退火处理的铜铟硒纳米棒是多晶纯相的黄铜矿结构的铜铟硒,在纳米棒轴向方向上有比较大的晶粒尺寸. 能量色散X射线光谱表明,铜铟硒纳米棒的化学组成接近InSe₂的化学计量比,由吸收光谱分析推算铜铟硒纳米棒带隙为0.96 eV.     

量子棒中强耦合杂质束缚极化子的振动频率

给出了具有椭球边界量子棒经坐标变换成球形边界的哈密顿量。采用线性组合算符和幺正变换的方法研究了在非均匀抛物限制势下量子棒中强耦合杂质束缚极化子的性质。导出了量子棒中强耦合杂质束缚极化子的振动频率和声子平均数随库仑束缚势、电子-声子耦合强度、椭球的纵横比和量子棒的横向和纵向有效受限长度的变化关系。数值计算结果表明:振动频率和声子平均数随电子-声子耦合强度和库仑束缚势的增强而增加,随量子棒的横向和纵向有效受限长度和椭球的纵横比的减小而增大。表现出量子棒的奇特的量子尺寸限制效应。