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991.
叶云秀在《最大和最小的和谐统---夸克-胶子等离子体》一文(《现代物理知识》1994年第4期26页)中写道:“如果能产生出大爆炸后约10-6秒之内的物质态,并研究它的性质、它的状态方程、它的演化过程……,那就可能为宇宙的起源和演化提供佐证,也可以说我们回到了差不多1.5×1010年以前。”为了实现这一愿望,在全世界一些粒子加速器上工作的小组你追我赶地试图重建宇宙的原初物质:夸克-胶子等离子体(自由漂浮的夸克和电子)的汤。在日内瓦欧洲粒子研究中心的物理学家们曾主张用铅离子互相轰击发现这种等离子体的痕迹,但不少科学家对此提出质疑,实验也未进行下去。 相似文献
992.
由于涉及高压和电离辐射等诸多的因素,长期以来,没有找到一种有效的手段对某特种电真空器件用火花离子源引出束流进行诊断。为此,用CR-39径迹探测器技术和直接照相法对火花离子源引出束流作用在靶部件上和加速间隙空间的分布进行了初步的诊断研究。其中为了避免高压和电离辐射的影响,将特种电真空器件中带电离辐射的部件取出,换上同样尺寸大小的CR-39探测器。经离子束轰击的CR-39探测器,在65℃的NaOH溶液(6mol/L)中蚀刻5h。冲洗晾干后,用显微镜观测CR-39探测器的表面径迹,以确定引出束流在靶面上的分布。在加引出电压的情况下,对引出的束流分布进行直接拍照,根据所得到照片在拍摄平面上的相对幅亮度分布,通过阿贝尔转换得到引出束流在加速空间的径向分布。 相似文献
993.
军控核查中,炸药的探测难度较大。在实验中利用^252Cf中子源辐照不同质量件和不同组合的模拟炸药半球(图1),采用高纯锗γ探测器探测由中子与^1H,^12C,^16O和^14N核素发生(n,γ)俘获反应产生的γ射线来探测炸药成分。 相似文献
994.
辐射计校准是一种用校准过的标准探测器对通用探测器进行校准的技术。它以绝对辐射计(标准辐射计)作为最高标准,通过选择合适的辐射源标准,用标准辐射计对传递标准探测器进行校准。辐射计校准最核心的设备是标准辐射计和标准辐射源。介绍了使用标准辐射计校准探测器的基本原理。对提高光谱分辨率所用的标准选择问题作了讨论。通过讨论,解决了如何选择探测器和辐射源的问题。通过探测器和辐射源类别的列表以及它们的性能比较,并根据这些性能指标进行权衡,以便选择出合适的标准探测器和标准辐射源。 相似文献
995.
996.
997.
Anodic-Aluminium-Oxide Template-Assisted Growth of ZnO Nanodots on Si (100) at Low Temperature 下载免费PDF全文
XUTian-Ning WUHui-Zhen LAOYan-Feng QIUDong-Jiang CHENNai-Bo DAINing 《中国物理快报》2004,21(7):1327-1329
ZnO nanodots have been grown on Si (100) assisted by anodic alummmm oxide (AAO) template at low temper-ature (350℃). Regular arrangement to a certain extent in local for ZnO nanodots is observed, and the average diameter of nanodots is about 9.7nm. Photoluminescence studies at room temperature for photon energy between 2.0 and 3.6 eV reveal a strong single exciton peak at 3.274 eV (378.8nm) with the green emission fully quenched.Narrow full width at half maximum (FWHM) of the UV emission band (0.14 eV) suggests the as-grown ZnO nanodots have a narrow size distribution. 相似文献
998.
利用太赫兹(THz)时域光谱技术研究了不同掺杂的Zno95Cd0.05Te<110〉单晶产生THz辐射的特性.实验发现,当晶体的直流电阻率ρ>102 Ω·cm时,晶体产生THz辐射的效率随着晶体电阻率的增加而增加,但当电阻率ρ>106Ω·cm时,晶体产生THz辐射的效率出现饱和甚至可能下降.光谱测量结果表明,此类晶体在THz波段的透过率基本上取决于其低频电阻率,但除了晶体对THz辐射的吸收这一因素外,其色散性质的变化对晶体的THz辐射性能也有重要的影响.因此,当ZnCdTe晶体用于THz辐射产生和探测时,仅仅用材料的Hall电阻率不能完全表征器件的性能. 相似文献
1000.