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341.
342.
本文评述了高分子负载金属催化剂的分类及其高分子效应,重点评述了高分子负载金属络合物催化剂的载体功能基效应,多功能协同效应,高分子场效应和高分子基体效应,对高分子分散金属催化剂的高分子效应研究也作了一定的综述。 相似文献
343.
现代科学技术的发展、自动化程度的提高、计算机应用的普及,需要越来越多的高速大规模、超大规模集成电路.金属/氧化物/半导体场效应晶体管(MOSFET) 由于其工艺简单、产额高、功耗低、抗干扰能力强、输入阻抗高、易于大规模集成,在大规模集成电路领域内很受人们青睐.尤其是互补型金属/氧化物/半导体场效应晶体管(CMOS)电路,可在单电流下工作,且工作电压范围广、噪声容限大、集成度高.几乎有取代双极型晶体管集成电路的趋势.然而,CMOS电路的速度因受ρ沟MOS中空穴迁移率的限制,不如双极型器件的快,使它的应用受到一定的限制.如能提高它的工作速度,则可使MOS电路具有更强的生命力. 相似文献
344.
介绍了RF离子源驱动源的结构设计及RF线圈的热流固耦合分析。RF离子源采用外置天线的感应耦合方式,采用双射频驱动源设计,每个射频驱动源功率约60kW,总体功率为120kW,可产生均匀高密度的等离子体,以满足稳定的长脉冲运行的要求。在完成上述工作的基础上完成了RF离子源样机组装和初步实验测试。 相似文献
345.
采用中频双极脉冲(IFBP)和射频(RF)磁控溅射分别在(100)取向的单晶Si衬底上沉积C掺杂h-BN(h-BN:C)薄膜,随后在95;Ar+5;H2混合气氛中进行700℃退火处理,对其结构、化学组成、元素的化学价态、表面形貌以及导电性进行了分析研究.结果表明:两种溅射方法均成功在Si基片上制备出致密连续的h-BN:C薄膜,其电阻率可低至2.9×104~2.5×105Ω·cm.对比发现两种制备方法中IFBP磁控溅射具有较快沉积速率,制备出的h-BN:C薄膜结构更稳定,结晶性更好;而RF磁控溅射制备的h-BN:C薄膜经700℃退火处理后形成了层状结构.在溅射气氛中掺入一定量H2对提高h-BN:C薄膜稳定性极为重要,而沉积后的低温退火处理更可提高其结晶性和稳定性. 相似文献
346.
单糖教学中若干问题的探讨 总被引:6,自引:0,他引:6
本文根据单糖性质教学中较易混淆的几个重要问题如:果糖可被Tolens试剂等弱氧化剂氧化且较葡萄糖快的原因;αβ吡喃糖及其衍生物的稳定性及影响因素;成脎反应的机理及果糖较葡萄糖成脎快的原因等进行了讨论,并提出了果糖、葡萄糖的烯醇化机理和成脎机理等,较好地解释了一些实验事实。 相似文献
347.
348.
349.
350.
提出了双轴错配应变调节的对称双栅负电容场效应晶体管的电学特性的解析模型,然后基于该模型对比研究了铁电层厚度和双轴错配应变分别对基于PbZr0.5Ti0.5O3和CuInP2S6材料的两种负电容场效应晶体管的电学性能的影响.结果表明:对于基于PbZr0.5Ti0.5O3的负电容场效应晶体管,当增加其铁电层厚度或施加压缩应变时,其亚阈值摆幅和导通电流得到改善,但施加拉伸应变具有相反的作用.对于基于CuInP2S6的负电容场效应晶体管,在增加铁电层厚度或施加拉伸应变时性能有所改善,但器件在压缩应变下是滞后的.比较两者发现,在低栅极电压下,基于CuInP2S6的负电容场效应晶体管比基于PbZr0.5Ti0.5O3的负电容场效应晶体管表现出更好的性能. 相似文献