DrugFET的研究（Ⅳ）.硅钨酸—麻黄碱FET的研制与应用

将离子敏感场效应晶体管与药物敏感膜相结合研制成一种对盐酸麻黄碱有良好响应的药物敏感场效应晶体管传感器。     

药物敏感场效应晶体管的研究 Ⅲ磷钨酸-麻黄碱敏感场效应晶体管的研制与应用

将离子敏感场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）与药物敏感膜相结合，研制成一种对麻黄碱有良好响应的药物敏感场效应晶体管传感器（ＤｒｕｇＦＥＴ）．该器件具有全固态化、体积小、易微型化、集成化和多功能化等优点．采用磷钨酸作电活性物质，制成ＰＶＣ膜ＩＳＦＥＴ，对麻黄碱的线性响应范围为３．０×１０－６～１．０×１０－１ｍｏｌ／Ｌ，检出限为１．０×１０－６ｍｏｌ／Ｌ，传感器适宜的ｐＨ范围为３．０～８．０．用该传感器分析麻黄碱片剂的含量，结果和药典方法吻合．     

离子敏感场效应晶体管克咳敏传感器的研究

1　引　　言克咳敏是临床上广泛使用的镇咳药物。其含量多采用非水滴定方法测定。本实验报道了一种测定克咳敏含量的新方法。将离子敏感场效应晶体管 (ISFET)与药物敏感膜相结合 ,制成药物敏感场效应晶体管传感器 (DrugFET)。它是全固态器件 ,具有体积小、易微型化、集成化和多功能化的优点 ,且本身具有阻抗变换功能 ,输出阻抗低 ,使用的测试仪器简单 ,操作方便。用其分析克咳敏片剂 ,结果和药典方法相一致。DrugFET由于所用的PVC药物敏感膜 ,可以方便地制作和方便地除去 ,而且成本低廉 ,可以制成一次性传感器 ,用于医学临床检验、危…     

药物敏感场效应晶体管测定阿托品的研究

报道了一种测定阿托品的新方法。用四苯硼钠为电活性物质 ,将离子敏感场效应晶体管与药物敏感膜相结合 ,制成药物敏感场效应晶体管传感器。该传感器测定阿托品的线性范围为 1 .0× 1 0 - 2～ 8.5× 1 0 - 6 mol/L。用该传感器分析阿托品针剂 ,结果与药典法吻合     

十二烷基磺酸钠场效应晶体管化学传感器的研究

用十六烷基三甲基溴化铵和β－环糊精作为电活性物质,制成了十二烷基磺酸离子敏感场效应晶体管化学传感器。其输出栅压ＶＧｏｕｔ和待测离子浓度的关系符合能斯特方式程。该传感器用于十二烷基磺酸钠浓度的检测,检出限达１．００＊１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ。     

硅钨酸-丁氯喘ISFET的研制与应用

以硅钨酸为活性物质 ,邻苯二甲酸二辛酯为增塑剂制成的 5%聚氯乙烯四氢呋喃溶液 ,涂在离子敏感场效应晶体管 ( ISFET)的栅极上 ,形成对药物敏感的场效应晶体管 ( Drug FET)。由该 Drug FET制成的化学传感器对盐酸丁氯喘的线性响应范围为 1 .0 0× 1 0 - 5～ 1 .50× 1 0 - 1mo L/L,斜率为 60 m V/Δpc,适宜的 p H范围为 4.5～8.2 ,检测下限为 8.50× 1 0 - 6 mo L/L。用该传感器分析了丁氯喘片剂的含量 ,和分光光度法测定的结果相一致     

应用溶胶-凝胶技术制备的硅钨酸修饰离子敏感场效应晶体管传感器的电化学行为

将Keggin型硅钨酸-阿托品缔和物掺杂到溶胶-凝胶中,滴涂在离子敏感场效应晶体管的栅极表面,制备成传感器.并对传感器的电化学行为,包括pH值的影响和传感器的稳定性进行了研究.结果表明此传感器既保持了离子敏感场效应晶体管的特点,又具有良好的稳定性和灵敏度.传感器对阿托品响应的线性范围为1.0×10-3～5.0×10-6 mol·L-1,响应灵敏度为59.0 mV/pc,传感器适宜的pH为3.0～8.0.用所制传感器测定阿托品注射液的含量,结果和药典方法相一致.     

用BP网络算法获取电子浓度真高剖面

提出了一种从垂测电离图获取电子浓度真高剖面的新方法——网络逼近法．该方法通过ＢＰ网络算法求解群路径积分方程，得到了电子浓度真高剖面．并对给定的抛物模式作了验证计算，计算结果与抛物模型理论值吻合较好     

流动注射－化学发光分析测定矿石中痕量铌

利用铌对鲁米诺－Ｈ_２Ｏ_２－Ｋ_３Ｆｅ（ＣＮ）_６化学发光体系的抑制作用，建立了痕量Ｎｂ（Ｖ）的流动注射－化学发光测定法。方法的检出限是２．３ｎｇ／ｍＬＮｂ（Ｖ）。线性范围为０．０１～１μｇ／ｍＬＮｂ（Ｖ），测定的相对标准偏差为３．０％（０．０１μｇ／ｍＬＮｂ（Ｖ）（ｎ＝１１），方法已应用于矿石中Ｎｂ的测定。