首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   119782篇
  免费   10376篇
  国内免费   10845篇
化学   55788篇
晶体学   772篇
力学   9339篇
综合类   2009篇
数学   38054篇
物理学   35041篇
  2023年   1041篇
  2022年   1995篇
  2021年   3133篇
  2020年   2772篇
  2019年   2827篇
  2018年   2490篇
  2017年   2881篇
  2016年   3394篇
  2015年   3074篇
  2014年   4319篇
  2013年   8111篇
  2012年   5329篇
  2011年   5849篇
  2010年   5141篇
  2009年   6788篇
  2008年   7214篇
  2007年   7570篇
  2006年   6604篇
  2005年   5393篇
  2004年   5003篇
  2003年   4882篇
  2002年   6991篇
  2001年   4184篇
  2000年   3656篇
  1999年   3263篇
  1998年   3008篇
  1997年   2423篇
  1996年   2295篇
  1995年   2051篇
  1994年   1905篇
  1993年   1674篇
  1992年   1565篇
  1991年   1262篇
  1990年   1045篇
  1989年   901篇
  1988年   849篇
  1987年   639篇
  1986年   603篇
  1985年   747篇
  1984年   659篇
  1983年   355篇
  1982年   604篇
  1981年   826篇
  1980年   694篇
  1979年   670篇
  1978年   544篇
  1977年   459篇
  1976年   376篇
  1974年   175篇
  1973年   248篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
971.
两种蓝色有机电致发光材料   总被引:4,自引:1,他引:3  
重点研究以两种蓝色OEL材料蒽类衍生物JBEM和联苯乙烯衍生物DPVBi分别作基质,以perylene作掺杂剂的器件的电致发光性能,特别研究了它稳定性,在这度和效率方面,两种器件并没有很大差别,然而在稳定性方面却有很大差别,蒽类衍生物JBEM的器件在100cd/m^2初始亮度下,半亮度寿命可达1035h,而DPVBi的器件在同样条件下,半亮度寿命为255h。通过分析两种器件的能级图,认为稳定性的差别可能源于两种蓝光材料本身的热稳定性不同,JBEM优于DPVBi,是一种很有前途的蓝色发光材料。  相似文献   
972.
聚异丁烯高活性端基含量及相对分子质量测定方法的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
综合使用核磁,VPO和近红外光谱分析技术对聚异丁烯活性端基含量以及相对分子质量的测定进行了详细研究,分别建立核测定聚异丁烯活性端基含量以及其他烯键含量和近红外光谱快速测量聚异聚丁烯活性端基含量。其他烯键含量和相对分子质量的分析方法。成对t检验结果表明,近红外光谱分析方法测定结果与核磁和VPO方法测定结果之间无显著性差异。  相似文献   
973.
对用索氏提取法和乙醇浸取法提取红景天红色素进行了比较,并探讨浸取的浓度,浸取温度等因素,指出了最佳生产工艺条件,从红景天中提取的天红色素是一种安全无毒的食用色素,本文还研究了几种食品添加剂对红景天红色素稳定性的影响,并对色素的耐氧化性进行了探讨,旨在为红景天红色素的开发利用提供有实用价值的信息。  相似文献   
974.
臧涛成 《大学物理》2006,25(7):14-17
在弹簧质量不能忽略的情况下,推导了n个弹簧串联系统的动能和弹性势能具体表达式,结果表明:n个串联弹簧系统的动能与每个弹簧自身质量、劲度系数密切相关;系统的弹性势能由n个串联弹簧的等效劲度系数和串联弹簧的总伸长量决定.  相似文献   
975.
赵毅  万星拱 《物理学报》2006,55(6):3003-3006
用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Qbd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, Vbd). 研究结果表明,低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小,而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大,击穿电压测试值也发现与击穿电量 关键词: 薄氧 可靠性 击穿电压 击穿电量  相似文献   
976.
简并光学参量振荡器混沌反控制   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
冯秀琴  沈柯 《物理学报》2006,55(9):4455-4459
提出一种实现简并光学参量振荡器混沌反控制的方法,用正弦信号调制简并光学参量振荡器的基模衰减率,使简并光学参量振荡器从定态输出转化为混沌态.数值模拟结果表明,选择不同的调制幅度和调制角频率,只要满足系统的最大李雅谱诺夫指数大于零,即可实现不同的混沌轨道重构.通过比较最大李雅谱诺夫指数λmax随调制幅度和调制角频率变化曲线, 指出系统从周期态调制到混沌态比从无亚谐波输出的定态调制到混沌态更容易,有更宽的调制幅度和调制角频率选择范围. 关键词: 简并光学参量振荡器 混沌反控制 调制  相似文献   
977.
Practical stability in terms of two measures for difference equations is discussed by using the Lyapunov function and a new comparison theorem.  相似文献   
978.
王炳章  方小娟 《数学进展》2002,31(5):467-475
本文研究了未知分布的逼近问题,利用随机加权法,给出了有Edgeworth展式的一类(未知)分布的模拟分布,证明了在一定条件下,模拟分布与未知分布的逼近精度达到O(n^-1√lnlnn),称之为随机加权逼近的重对数律。  相似文献   
979.
This paper introduced briefly the research results on lichenometry of the Holoceneglacial fluctuations in the headwater of the Urumqi River, in the central TianshanMountains and discussed the histories of the Holocene glaciers and the climate. It isconsidered that lichenometry is one applicable method for dating the mid- and late-Holocene deposits in the cold and mountainous regions. Rhizocarpon geographicum (L.)DCand Xanthoria elegans (Link.) Th. Fr. could be used for dating the deposits of about 4500and 500 a B.P. respectively. There existed at least four periods of glacial advances whichoccurred before about 5700, 4100, 2800 and 403- 74 a B. P. respectively with the firstperiod the longest. Little Ice Age includes three stages of glacial advances which endedbefore about 403, 208 and 74 a B. P. respectively with the second stage the maximum.During the general Holocene warming processes, there existed at least four cold peri-ods which ended before about 5700, 4100, 2800 and 420- 91 a B.P. respectively,  相似文献   
980.
利用多靶磁控溅射技术制备了Au/SiO2纳米颗粒分散氧化物多层复合薄膜.研究了在保持Au单层颗粒膜沉积时间一定时薄膜厚度一定、变化SiO2的沉积时间及SiO2的沉积时间一定而改变薄膜厚度时,多层薄膜在薄膜厚度方向的微观结构对吸收光谱的影响.研究结果表明:具有纳米层状结构的Au/SiO2多层薄膜在560 nm波长附近有明显的表面等离子共振吸收峰,吸收峰的强度随Au颗粒的浓度增加而增强,在Au颗粒浓度相同的情况下,复合薄膜 关键词: 2纳米复合薄膜')" href="#">Au/SiO2纳米复合薄膜 多靶磁控溅射 吸收光谱 有效介质理论  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号