全文获取类型
收费全文 | 2326篇 |
免费 | 626篇 |
国内免费 | 334篇 |
专业分类
化学 | 847篇 |
晶体学 | 173篇 |
力学 | 35篇 |
综合类 | 21篇 |
数学 | 58篇 |
物理学 | 2152篇 |
出版年
2024年 | 4篇 |
2023年 | 29篇 |
2022年 | 72篇 |
2021年 | 69篇 |
2020年 | 69篇 |
2019年 | 49篇 |
2018年 | 51篇 |
2017年 | 75篇 |
2016年 | 84篇 |
2015年 | 89篇 |
2014年 | 146篇 |
2013年 | 193篇 |
2012年 | 187篇 |
2011年 | 224篇 |
2010年 | 172篇 |
2009年 | 197篇 |
2008年 | 188篇 |
2007年 | 179篇 |
2006年 | 177篇 |
2005年 | 127篇 |
2004年 | 114篇 |
2003年 | 102篇 |
2002年 | 113篇 |
2001年 | 75篇 |
2000年 | 78篇 |
1999年 | 83篇 |
1998年 | 52篇 |
1997年 | 52篇 |
1996年 | 46篇 |
1995年 | 40篇 |
1994年 | 33篇 |
1993年 | 26篇 |
1992年 | 27篇 |
1991年 | 9篇 |
1990年 | 8篇 |
1989年 | 8篇 |
1988年 | 7篇 |
1987年 | 7篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 5篇 |
1984年 | 2篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 4篇 |
1981年 | 3篇 |
1980年 | 4篇 |
1979年 | 2篇 |
1978年 | 1篇 |
1973年 | 1篇 |
1957年 | 1篇 |
排序方式: 共有3286条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
Memory switching of germanium tellurium amorphous semiconductor 总被引:1,自引:0,他引:1
M.M. Abdel-Aziz 《Applied Surface Science》2006,253(4):2059-2065
The dc conductivity and switching properties of amorphous GeTe thin film of thickness 262 nm are investigated in the temperature range 303-373 K. The activation energy ΔEσ, the room temperature electrical conductivity σRT and the pre-exponential factor σ0 were measured and validated for the tested sample. The conduction activation energy ΔEσ is calculated. The I-V characteristic curves of the thin film samples showing a memory switching at the turnover point (TOP) from high resistance state (OFF state) to the negative differential resistance state (NDRS) (ON state). It is found that the mean values of the threshold electrical field Eth decreased exponentially with increasing temperatures in the investigated range. The switching activation energy ΔEth is calculated. Measurements of the dissipated threshold power Pth and the threshold resistance Rth were carried out at TOP point at different temperatures of the samples. The activation energies ΔER and ΔEP caused by resistance and power respectively are deduced. The results obtained support thermal model for initiating switching process in this system. 相似文献
42.
光纤环形外腔半导体激光器频偏特性研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文给出了在环形光纤外腔光反馈之下半导体激光器频偏特性的小信号分析理论.分析表明,尤其在千兆赫以下的调制频段中,耦合腔相移、内外腔光耦合强度及内外腔光场相位失谐对频偏功率比均有显著影响.可望用作强度调制直接检测高速率、长距离光纤通信系统中的光源. 相似文献
43.
苯部分加氢制环己烯的非晶态Ru-M-B/ZrO2催化剂的表征 总被引:13,自引:0,他引:13
采用化学还原法,制备了高活性,高选择性非晶态RU-M-B/ZRO2催化剂,并将其用于催化苯部分加氢制环己烯,在140℃、5.0Mpa氢压下,苯转化40%时,环己烯选择性达到85%左右。环己烯最高收率达到52.1%,用XRD、SEM、BET比表面积测定等手段对摧化剂进行表征,XRD和SEM测试表明,RU-U-B/ZRO2属于非晶态,活性组分高度分散,XRD结果证实,在加氢过程中,非晶分解,RU晶化;温度愈高,RU晶化愈快,催化剂的活性、选择性与RU微晶的粒径有关,RU微晶粒径应控制在5nm左右,BET比表面积测定表明,ZRO2的负载提高了催化剂的比表面积,从而有利于活性组分的高度分散,并可阻止RU微晶的长大,讨论了B和ZRO2对提高选择性的作用。 相似文献
44.
45.
Shvalagin V. V. Stroyuk A. L. Kuchmii S. Ya. 《Theoretical and Experimental Chemistry》2004,40(3):149-153
The photoreduction of Cu2+ at the surface of ZnO nanoparticles and ZnO/Ag nanostructures was investigated. The spectral characteristics of the obtained ZnO/Cu and ZnO/Ag/Cu composites were studied in relation to the reaction conditions. It was shown that the ZnO/Ag nanoparticles have higher photocatalytic activity in the reduction of Cu2+ ions than the individual ZnO particles. 相似文献
46.
本文综述了半导体氧化物光催化裂解水制氢的反应机理,以及近年来半导体光催化裂解水制氢的研究进展。讨论了各种因素对材料光催化性能的影响以及改性方法,并对今后的研究方向提出了一些建议。 相似文献
47.
48.
以巯基丙酸(MPA)为稳定剂, 利用微波辐射加热方法制备了水溶性的Cu掺杂的ZnS纳米晶. 通过改变微波条件, 可以在460~572 nm之间实现对ZnS∶Cu纳米晶发射峰位的连续调控. 通过XRD、 UV-Vis、荧光及荧光衰减对ZnS∶Cu纳米晶的结构和发光性质进行了详细探索, 并利用时间分辨荧光光谱对其发光机理进行了初步研究. 相似文献
49.
50.
The rectifying junction characteristics of the organic compound pyronine-B film on a p-type Si substrate has been studied. The pyronine-B has been sublimed on the top of p-Si surface. The barrier height and ideality factor values of 0.79±0.04 and 1.13±0.06 eV for this structure have been obtained from the forward bias current-voltage (I-V) characteristics. From the low capacitance-frequency (C-f) characteristics as well as conductance-frequency (G-f) characteristics, the energy distribution of the interface states and their relaxation time have been determined in the energy range of (0.53−Ev)-(0.79−Ev) eV taking into account the forward bias I-V data. The interface state density Nss ranges from 4.93×1010 cm−2 eV−1 in (0.79−Ev) eV to 3.67×1013 cm−2 eV−1 in (0.53−Ev) eV. Furthermore, the relaxation ranges from 3.80×10−3 s in (0.53−Ev) eV to 4.21×10−4 s in (0.79−Ev) eV. It has been seen that the interface state density has an exponential rise with bias from the midgap towards the top of the valence band. The relaxation time shows a slow exponential rise with bias from the top of the valence band towards the midgap. 相似文献