CsI(Tl)晶体中反冲Cs和I核Quenching?Factor的测量

许多实验对用CsI(Tl)闪烁晶体作为探测器来寻找和探测暗物质的可行性进行了研究.本工作利用8MeV单能中子轰击CsI(Tl)晶体探测器来研究Cs核和I核的QuenchingFactor.在数据处理中,运用脉冲形状甄别(PSD)方法来分辨反冲核信号和本底信号.实验结果表明,在7keV到132keV的能区中,Quench ingFactor随着反冲核能量的减少而增加.在探测暗物质的实验中,这一性质对于CsI(Tl)晶体探测器获得较低的能量阈值是很有利的.     

A solution of the DGLAP equation for gluon at low x

We obtain a solution of the DGLAP equation for the gluon at low x first by expanding the gluon in a Taylor series and then using the method of characteristics. We test its validity by comparing it with that of Glück, Reya and Vogt. The convergence criteria of the approximation used are also discussed. We also calculate εF ₂(x,Q)²/ε In Q ² using its approximate relations with the gluon distribution at low x. The predictions are then compared with the HERA data.     

超临界流体触媒作用下石墨-金刚石转变

 研究了超临界流体CO₂在石墨-金刚石转变中的触媒作用。实验中，采用Ag₂O作为流体触媒的先驱材料，在7.7 GPa压力下，Ag₂O在1 200 ℃分解成Ag和O₂，O₂与石墨套管在高温高压下反应形成CO₂超临界流体。研究结果表明，在7.7 GPa和1 500 ℃以上温度条件下，石墨在CO₂流体触媒的作用下可转变为金刚石晶体，在1 500～1 700 ℃温度范围内合成出的金刚石具有完好的八面体形貌，与天然金刚石的生长特征非常相似。     

直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜

用MgB2靶,控制直流磁控溅射工作在异常辉光放电或弧光放电状态,在SrTiO3衬底上原位一次性得到了MgB2超导薄膜,其起始转变温度为32K,零电阻温度为15K. 关键词： 高温超导体 超导薄膜 磁控溅射 二硼化镁     

新生MnO2对酸性媒介黑T的吸附

以化学法合成的新生MnO2为吸附剂，对水中酸性媒介黑T（染料之一）进行了吸附脱色研究，并探讨了影响吸附的因素。结果表明，酸性媒介黑T的脱色率达95%。且PH是影响染料脱色的主要因素。     

Charge transport in a polypeptide chain

Charge transport is one important example of signal transduction in a protein which is responsible for action at a distance, and is a fundamental process in biochemical action. A model is presented in which electronic effects interact with motional processes to combine into a bifunctional model. This model is investigated with new detailed molecular dynamics calculations and successfully explains such action at a distance. Received 1st February 2002 / Received in final form 26 May 2002 Published online 13 September 2002     

2,7-二氯荧光素与蛋白质相互作用的分光光度法研究

首次采用分光光度法研究了模拟生理条件(pH 7.4 Tris-HCl缓冲溶液,离子强度I=0.1)下2,7-二氯荧光素与牛血清白蛋白(BSA)相互作用的情况.研究结果表明:两者相互作用形成稳定的复合物,最大吸收波长为509nm,与2,7-二氯荧光素的最大吸收波长502nm比较,红移了7nm;两者之间主要通过静电引力结合,但并不排除疏水作用力和氢键;两者之间的结合数为32.     

静磁场伴随有静电场存在

阐述检测物体是否产生了电场的方法；通过实际检测证实立方体永磁体既产生了负静电场，也产生了正静电场，并测定了具体的场强．     

(Ni0.8Zn0.2Fe2O4)epoxy-PZT双层膜中的磁电效应

讨论了Ni_0.8Zn_0.2Fe₂O₄ (NZFO)与锆钛酸铅(PZT)的双层膜结构样品的磁电(ME)效应.NZFO粉料由溶胶-凝胶法制成，再经900℃热压，并高温烧结.在该双层膜中测量到了很强的磁电相互作用.发现横向的磁电效应比纵向效应大一个数量级，并且随NZFO烧结温度的提高而增加.当烧结温度从950℃上升到1380℃时，横向ME电压系数(α_E)的最大值变化范围为25.6 mV Am^-2≤α_E≤199.6 mV Am^-2.理论分析显示NZFO-PZT双层膜样品中ME效应源于NZFO与PZT之间相对良好的磁电耦合. 关键词： 镍铁氧体 PZT 热压法 ME效应     

Nd(Fe,Si)11Cx化合物的全电子计算(x=0,2)

采用基于第一原理的全势能线性缀加平面波加局域轨道((L)APW lo)方法对Nd(Fe,Si)11Cx化合物(x=0,2)的电子结构进行了计算,得到了化合物态密度和磁矩等信息.计算结果表明NdFe9Si2化合物中Si原子主要与4b和32i位Fe原子产生杂化,导致Fe原子磁矩减小.NdFe9Si2C2化合物C原子使32i位Fe原子磁矩进一步降低,同时减弱了Si原子的影响,使得4b位Fe原子磁矩增大.