极小孔半导体激光器近场区光场分布研究

利用时域有限差分法(FDTD)计算和分析了极小孔半导体激光器输出光端面附近的光场分布,指出小孔激光器近场区域光场分布的特点,讨论了小孔大小和金属厚度对光场分布和光源分辨率的影响,得到设计和制备极小孔半导体激光器的优化方法.     

基于零点的函数K图和dj图的转换

介绍了函数的最大项展开式和CRM展开式及其图形表示，提出函数K图和dj图的零点的概念，并以此为基础讨论了基于零点的函数K图和dj图之间的转换方法。     

Optimization of a Cryogenic System at Temperature 2 K for the PKU-FEL Facility

The conceptual design of a cryogenic system at temperature 2 K for the Peking University Free Electron Laser （PKU-FEL） facility is carried out. In order to minimize the scale of the cryogenic system and the running cost, the superconducting accelerator and the superconducting injector will mainly run at a long-pulsed mode. Optimization of the 2-K cryogenic system is carried out based on the heat load estimation and running parameters. Total cooling power of 52.5 W for the long-pulsed mode is necessary for the PKU cryogenic system. The PKU cryogenic system will be the first 2-K system for accelerators in China and will provide experience for similar facilities.     

S波Kπ散射以及动力学产生标量介子

考虑Kπ和Kη两个耦合道, 用手征幺正方法研究了S波Kπ散射. 结果表明, 只用一个参数, 1.2GeV以下的散射相移数据就可以得到很好的描述, 并且散射长度也和实验值符合很好. 此方法可以动力学产生标量介子κ, 并预言其质量和宽度分别大约是752MeV和594MeV. 可以定性地产生对应于K^*₀(1430)的标量介子.     

具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究

研究了HfN/HfO₂高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中，负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO₂高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm，内含原生缺陷密度较低.研究表明，由于所制备的HfN/HfO₂ 高K栅结构具有低的原生缺陷密度，因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征，而非工艺缺陷引起的；进一步研究表明，该HfN/HfO₂高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO₂基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征，可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征： HfN/HfO₂ 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理，即在负 偏置和温度应力作用下，从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生，并由此产生了Si^＋陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ，这种Si^＋陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词： 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型     

边界条件对磁性Ising系统相图的影响

本文应用Ｍｏｎｔｅｃａｒｌｏ方法求得不同边界条件下铁磁平方点阵Ｉｓｉｎｇ模型的相图，利用有限尺寸的标度理论，得到其相应的相变温度，并同周期性边界条件下的结果作了比较，同时用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法观察了不同边界条件下的动力学过程     

微粉化技术提高水不溶性药物溶解度

药物的微粉化可以改善颗粒的润湿性,进而提高水不溶性药物的溶解度和溶解速率。目前普遍采用的药物微粒化技术主要包括机械研磨、超临界流体过程、低温喷淋和溶剂蒸发沉积过程。本文介绍了这些微粉化制备技术的基本原理以及该类技术的应用进展。     

X…H2O（X=Li，Na，K）非线性光学性质的从头算理论

在MP2水平上采用6-311G基组计算了van der Waals复合物X…H2O(X=Li, Na, K)的非线性光学性质(μ, α, β), 讨论了基组效应和电子相关效应对计算结果的贡献. 在MP2/6-311++G(2df, 2pd)水平上计算得到的三个复合物分子X(X=Li, Na, K)•••H2O的非线性光学性质. 结果表明, 三种复合物分子均具有巨大的一阶超极化率, 其中最外层电子的弥散特性对一阶超极化率有很大的影响.     

稀土铽配合物的有机发光二极管

有机小分子和有机高分子的发光二极管在可见光区内有非常高的量子效率，因而受到人们的高度重视．采用二胶（TPD），8羟基喹啉铝（Alq3）等有机小分子作为空穴和电子输运层所作的发光二极管[1]的量子效率可达10％，采用聚对苯乙炔（PPV）高分子聚合物作空穴输运层，有机小分子2