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本讨论了高Tc超导体细圆柱情形线性交流响应,给出了交流磁化率χ的表达式,并且得到了磁化率虚部χ″峰值时所满足的方程。 相似文献
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采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及 其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会 产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态 密度.其次,表面原子的态密度更靠近费米能级(EF),价带往低能量处移动,并 有表面态产生.计算结果表明了t-HfO2表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO2(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位 数减少,表面原子周围的环境发生变化而引起的.
关键词:
密度泛函理论
2(001)')" href="#">t-HfO2(001)
表面电子结构 相似文献
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以ZnO和HGaO2为原料,用不同配比合成出系列ZnGa2O4,并对其晶体结构和发光性能进行了研究。用荧光分光光度计检测了ZnGa2O4的激发和发射光谱,用X射线衍射仪检测了ZnGa2O4的衍射图谱,用热重差热仪绘制了TGA-DAT曲线。对检测结果分析认为:1.ZnGa2O4属于尖晶石结构,稍过量的Zn或Ga能进入ZnGa2O4结构中,并对ZnGa2O4的晶格常数产生一定影响。2.ZnGa2O4存在两个自激发光中心,当Ga稍过量时,自激发光中心是四面体镓氧键[Td(Ga-O)],最大激发波长约248nm,最大发射波长约367nm;当Zn稍过量时,自激发光中心是八面体镓氧键[Oh(Ga-O)],最大激发波长约270nm,最大发射波长约441nm。当n(Zn):n(Ga)在理论值附近,激发和发射光强度最大,而且光谱峰位发生了红移。3.ZnGa2O4的热稳定性能非常好。上述结论对研究ZnGa2O4基质或掺杂的发光材料具有一定意义。 相似文献
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在硅波导上添加反向偏压的PIN结构,当波导产生受激喇曼散射时,可以将波导中双光子吸收(TPA)产生的光生自由载流子扫出波导,降低了波导的非线性损失,极大地提高了硅波导中泵浦光对信号光的喇曼增益。为了应用已经非常成熟的硅工艺,并且应用硅波导使器件小型化,根据法布里-帕罗(F-P)腔和行波放大器理论,在硅波导两端的解理面蒸镀增透膜,应用这种波导的喇曼效应设计了一种光放大器,即基于硅波导的喇曼光放大器。建立了计算放大器增益的方程,给出了不同波导长度和输入功率情况下的放大器增益,得出适当增加波导长度和泵浦光功率可以得到较高喇曼增益的结论。基于硅的光放大器有较高的饱和功率且没有泵浦源的限制,通过调整泵浦激光的波长可以放大不同波长的信号光。 相似文献
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电致发光薄膜是平板显示器的重要材料之一,我们从研究ZnS:Mn,Cu直流电致发光薄膜的大面积稳定发光开始,首次将稀土离子引进直流电致发光薄膜,实现了各色的直流电致发光,并研究其激发机理、过热电子的能量分布、稀土离子的碰撞截面和稀土离子发光中心在晶格中的位置等。在国内首先研制成功ZnS:Mn交流电致发光薄膜计算机终端显示器,并扩大面积到640×480像素(对角线10英寸)。为了实现彩色化显示,研制出稀土离子掺杂的各色交流电致发光薄膜。研究不同稀土离子在薄膜中的浓度猝灭,以便提高薄膜的发光亮度。在致力于实现彩色的过程中,首要的任务是提高蓝色电致发光薄膜的亮度和探索新的蓝色电致发光薄膜材料:从ZnS:TmF3到CaS:TmF3,发光亮度有了很大的提高;使SrS:Ce薄膜蓝色电致发光的亮度超过1000cd/m2;同时探索纳米Si和非晶Si/SiO2超晶格结构的蓝色电致发光。成功地实现了ZnS:Mn/SrS:Ce白色电致发光和SrS:HoF3三基色线谱发射的白色电致发光,发光亮度也超过1000cd/m2。 相似文献
28.
医学影像技术的起源要追溯到1895年11月8日伦琴发现X射线。传统的X射线照相是让通过人体的X射线打在胶片上,图1为胶片X光骨盆像。图1X光骨盆像随着物理学、电子学、计算机科学的飞速发展,放射影像领域先后出现了一系列新的成像技术和设备,构成了当代新的影像技术,这些新技术的应用,不仅极大丰富了形态学诊断信息和图像层次,更为重要的是实现了图像信息的数字化。其中,CR和DR是目前大中型医院放射科对常规X线机进行升级换代时的主要考虑对象之一,它们都以形成数字化图像为诊断依据,能实现医院X射线设备从模拟到数字的飞跃,但它们又有各自的成像方式和成像特点。 相似文献
29.
本文用密度泛函理论(DFT)的总能计算研究了一氧化碳和氢原子在Ni(111)表面上p(2×2)共吸附系统的原子结构和电子态,结果表明CO和H原子分别被吸附于两个对角p(1×1)元胞的hcp和fcc位置.以氢分子和CO分子作为能量参考点,总吸附能为2.81 eV,相应的共吸附表面功函数φ为6.28 eV.计算得到的C—O,C—Ni和H—Ni的键长分别是1.19?, 1.96?和 1.71?,并且CO分子以C原子处于hcp的谷位与金属衬底原子结合.衬底Ni(111)的最外两层的晶面间距在吸附后的相对变化分别是
关键词:
Fisher-Tropsch反应
催化作用
Ni(111) p(2×2)/(CO+H)
共吸附 相似文献
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