溶膜预富集-石墨炉原子吸收法测定痕量钯

强酸性条件下 ,钯 (Ⅱ )与 5 [( 5 氯 2 吡啶 )偶氮 ] 2 ,4 二氨基甲苯 ( 5 Cl PADAT)生成紫红色螯合物 ,该螯合物可与十二烷基苯磺酸钠 (SDBS)生成离子缔合物 ,离子缔合物经 0 .3μm孔径的硝化纤维微孔滤膜富集后 ,于小体积 ( 0 .5mL)的浓硫酸中溶膜 ,用石墨炉原子吸收法 (GFAAS)测定 ,富集倍数可达 2 0 0倍 ,钯含量在 4.69× 1 0 - 1 2 ～ 7.0 9× 1 0 - 9mol/L范围内线性良好 ,检出限为 1 .78×1 0 - 1 2 mol/L。方法用于海水中痕量钯的测定。     

Richards模型在蔬菜生长预测中的应用

本文从 Richards模型的数学表达出发 ,阐述了模型中各参数初始值的确定以及优化过程 .并利用菜花和菠菜的试验数据建立其“最优”生长模型 .     

银包套YBa2Cu3O7—δ超导带

采用粉末装管工艺研制YBa_2Cu_3O_(7-δ)高温超导带材。研究了冷轧工艺和冷轧十压制工艺对带材J_c值的影响以及不同加工率线材超导芯的微观结构。实验结果表明,采用冷轧十压制工艺比单纯的轧制工艺所获得的带材J_c值高,随着加工率的增加超导芯的密度和临界电流密度增加。     

具有新光学性质的Zn-Zn2SiO4纳米同轴线阵列

采用气相沉积技术在Si衬底上生长了Zn-Zn₂SiO₄芯-壳结构纳米同轴线阵列。根部呈笋状的纳米同轴线,直径约100nm,长度可以超过10μm;同轴线芯直径约50nm、壳层厚约25nm。通过X射线衍射的表征以及能量色散谱的线扫描,确定纳米同轴线的芯为Zn,壳层为Zn₂SiO₄。我们提出了一种新的生长机制,同时也为生长均匀的纳米同轴线提供一种新的技术。观察阴极荧光谱发现,纳米同轴线有三个主要发光带:强度最大的中紫外300nm发光、较弱的可见光区560nm以及红外谱区865nm的发光。对纳米同轴线截面的300nm发光峰观测发现,中紫外发光来源于Zn₂SiO₄壳层。正是这种同轴线的结构,使得其具备特殊的光学性质。     

MOCVD生长的GaN单晶膜透射光谱研究

采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜，使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品，实验结果表明：GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致，即透射率越大，半高宽越小，结晶质量越好；而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品，其PL谱的带边峰却很弱，这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系，同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS／沟道结果。     

强预不变凸函数的充要条件

本文讨论了强预不变凸函数与预不变凸函数、严格预不变凸函数及半严格预不变凸函数之间的关系,得到它的三个充要条件：(i)在一定条件下,f是强预不变凸函数的充分必要条件是f是预不变凸函数且f满足中间点强预不变凸性；(ii)在一定条件下,f是强预不变凸函数的充分必要条件是f是严格预不变凸函数且f满足中间点强预不变凸性；(iii)在一定条件下,f是强预不变凸函数的充分必要条件是f是半严格预不变凸函数且f满足中间点强预不变凸性．     

分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的highelectronmobilitytransistors(HEMT)和Pseudomorphichighelectronmobilitytransistors(PHEMT)结构深中心行为.样品的DLTS谱表明,在HEMT和PHEMT结构的nAlGaAs层里存在着较大浓度(1015-1017cm-3)和俘获截面(10-16cm2)的近禁带中部电子陷阱.它们可能与AlGaAs层的氧含量有关.同时还观察到PHEMT结构晶格不匹配的AlGaAsInGaAsGaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心(与硅有关)能级位置的有序移动.其移动量可作为应力大小的一个判据,表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具. 关键词： 分子束外延生长 高电子迁移率超高速微结构功能材料 深中心