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21.
本文研究了囚禁^85Rb原子的一维CO2光学晶格的光子带隙。由于大失谐CO2聚焦光束(λ=10.6μm)远离Rb原子的共振频率,原子与晶格光场的自恰作用可忽略,Rb原子被囚禁在周期为d=λ/2=5.3μm的周期性格点上,且单个格点上囚禁的原子数目可以达到10^3,整个晶格形成具有空间周期性调制的介电多层膜系。类似于光子晶体,其光学响应将在晶格频率与共振频率之间产生光子带隙。另一方面, 相似文献
22.
在有效质量近似理论下,利用转移矩阵和有效垒高方法研究了有限磁场下含结构缺陷的多组分超晶格中局域电子态的性质.在考虑各组分层有效质量的失配时,外加磁场会导致磁耦合效应的出现.磁耦合效应不仅引起局域电子能级的量子化,并且随着朗道指数或磁场强弱的变化,局域能级及其局域程度都会发生显著移动,特别是对高能区域的局域电子态影响更大.此外,还计算了电子输运系数,讨论了含结构缺陷的三组分超晶格中局域电子能级与输运谱透射禁区中的共振透射峰的关系,发现两者之间有着很好的对应关系,为相应的实验研究提供了依据.
关键词:
超晶格
局域电子态
磁场 相似文献
23.
24.
采用第一性原理计算模拟了不同组分的MgxZn1-xO半导体混晶的晶格常数、总能、结构,以及禁带宽度的变化。计算结果显示,随着Mg组分的增加,晶格常数逐渐减小,晶体逐渐偏离纤锌矿结构。对各种不同的Mg原子排列情况进行比较认为,MgxZn1-xO的结构随组分x的增大,发生从纤锌矿到岩盐矿的结构相变的可能性高于发生相分离。另一方面,禁带宽度随组分增大主要由价带顶的移动所致。进一步分析Mg原子各种电子态对价带的影响表明,Mg对价带顶附近能带的贡献依次来自p、d、s态电子。随着组分x的增加,p态电子在价带顶附近的密度明显提高,说明sp轨道杂化不但对晶体的几何结构产生影响,而且对其电子结构也起重要作用。 相似文献
25.
高压下某些导电高分子色散关系的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用晶格动力学方法,研究在高压下几种导电高分子具有不同晶格链时的色散关系及其曲线的变化.链间耦合作用的减弱使横波与纵波的ω差值相应增大,且在BZ边界处拉开一个间隙,这是维度作用的结果. 相似文献
26.
27.
28.
根据密度泛函理论对钴掺硫化锌周围的品格进行了结构优化,计算得到了钴杂质周围的晶体结构、电子态密度分布和吸收光谱.计算结果表明,由于Co原子掺入ZnS晶格常数减小,导致晶格畸变;带隙变窄;吸收峰展宽至更长波长区域. 相似文献
29.
杨慧 《原子与分子物理学报》2002,19(4):411-416
以二维复式晶格作为有限系统的集团模型,在紧束缚近似下,计算了π电子在最近邻及次近邻跳跃集团的态密度.讨论了不同结构参数对态密度及带宽的影响. 相似文献
30.