雷达前端射频装置效应实验

本报告介绍了雷达前端射频装置的基本组成、特性、工作原理和性能，提出了微波效应实验方法，通过注入法和辐照法的研究，摸索雷达前端射频装置的效应规律和效应阈值。对雷达前端射频装置进行了微波效应实验研究，即采用注入法，将低功率的微波直接注入雷达前端电路和它的单元器件，或采用辐照法近距离辐照雷达前端，模拟微波对它的作用，而摸索雷达前端射频装置的微波效应规律。微波脉冲对射频装置造成损伤，应是在微波脉冲作用下，使射频装置不能完成其正常功能。射频装置的功能受损，体现为系统增益下降。     

1 MeV电子辐照对短波Hg1-xCdxTe光伏探测器的影响

 研究了1 MeV电子辐照对短波Hg_1-xCd_xTe光伏探测器的影响。通过测试电子辐照前后光伏探测器的响应光谱、信号、噪声、暗电流等性能参数，分析了电子辐照对Hg_xCdxTe光伏器件的影响机制。实验结果发现：电子辐照后器件响应光谱在短波处有变窄的趋势，但响应峰值波长和截止波长基本无变化；随着辐照剂量的增加，通过p-n结的暗电流有所增加，光伏器件的探测率有减小的趋势。     

铝靶激光反射率的动态研究

本文分析了强激光作用下铝合金靶表面反射率的时间变化规律。利用转镜调Ｑ钕玻璃激光器和积分球装置对铝ＬＹ１２的表面激光反射率动态变化规律进行了测量，得到了功率密度在１０￣６～１０￣９Ｗ／ｃｍ￣２范围内的相应结果。同时，从金属近自由电子模型－Ｄｒｕｄｅ理论出发，对金属铝的电导率与温度变化关系进行了数值模拟，亦得到了相应的反射率变化规律，实验结果与数值模拟结果基本符合。当激光功率密度更同时（１０￣１１～１０￣１５Ｗ／ｃｍ￣２），由等离子体模型和局部热力学平衡（ＬＴＥ）理论，得到了反射率随温度变化的数值模拟结果，与国外的实验结果符合得较好。     

质子辐照空间级硅橡胶的正电子淹没寿命谱研究

 用正电子淹没寿命谱方法（PALS）研究了质子辐照对空间级硅橡胶KH-L-Y微观结构的影响。试验结果表明，PALS谱所揭示的最长寿命成分的t₃, I₃及自由体积分数Vf随辐照剂量的增加开始明显下降；而当辐照剂量大于10¹⁵cm^-2后，随剂量的增加平缓上升。辐照剂量小于10¹⁵cm^-2时，质子辐照使硅橡胶自由体积减小，分子链间堆砌紧密；辐照剂量大于10¹⁵cm^-2时，质子辐照使硅橡胶自由体积增大。交联密度及DMA测试结果同样表明，质子辐照在剂量较小时硅橡胶的交联密度及玻璃化转变温度增加，辐照以交联效应为主；而剂量较大时辐照降解占优势。     

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的高能重离子辐照缺陷研究

用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1015/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位,其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位.