新生代科技员工的自我发展诉求对主动创新行为的影响——基于自我效能感和组织认同的中介作用

员工的主动创新行为是推动组织创新以适应环境变化的原动力,作为企业创新主力军的新生代科技员工,其主动创新行为的增加,对组织发展和目标实现有着重要影响.基于价值观的新研究视角和社会认知理论,通过理论分析和实证检验,对山西、陕西12家企业的新生代科技员工及其直属领导进行了配对问卷调查,探讨了新生代科技员工能力与成长工作价值观对主动创新行为的影响机制,并从认知视角构建了中介效应模型.研究结果表明,新生代科技员工能力与成长工作价值观对其主动创新行为具有显著正向影响;自我效能感以及组织认同在新生代科技员工能力与成长工作价值观和其主动创新行为之间具有中介作用.     

基于多步预测误差的自相关过程统计质量控制

研究了采用多步预测误差构造多变量控制图对自相关过程进行统计质量监控的问题。建立了基于多步预测误差的Hotelling T~2和MEWMA控制图模型,通过仿真分析对这种多变量控制图方法与以往的单变量控制图方法在监控自相关过程时的运行长度进行比对,用以评价控制图的效率.最后通过一个简单的算例说明该方法的使用。     

组织系统中领导绩效因素动态分析

组织系统的领导绩效主要取决于行为绩效、成本绩效和组织绩效.在行为绩效保持平稳的状态下,结合投入成本和组织绩效的变化情况,构建连续时间的领导绩效动态模型,以最优领导绩效为目标,应用边际分析方法和最优控制方法,定量分析组织系统的主控因素对于领导绩效的影响度.在组织系统中寻求改进和完善领导绩效的最优路径.     

关于合成矩阵的几个性质

利用合成矩阵的概念和翻转矩阵的技巧,结合矩阵的次转置、次自共轭,中心对称等相关情况给出合成矩阵的几个性质,并获得关于n阶翻转矩阵的第n-1个合成矩阵的表达式.     

新序意义下集值模糊测度的伪自连续性

在m维正欧式空间的子集类上, 通过引入集合的新序和依序收敛的概念,讨论新序意义下集值模糊测度的伪自连续、一致伪自连续性,并研究它们的蕴涵关系,从而丰富集值模糊测度的理论.     

基于基底细胞癌的太赫兹波光谱分析

获得了基底细胞癌变组织的太赫兹(THz)光谱和图像,并进行了组织病理学的分析,采用太赫兹时域光谱技术,对石蜡包埋的基底细胞癌组织进行透射式实验研究,获得了透过率和吸收系数的光谱,并利用癌变组织和健康组织区分度明显的1.3THz的吸收系数进行成像得到了与宏观组织较符合的THz图像.从组织病理学的角度阐述了太赫兹谱线及图像的成因,结合生物大分子的THz光谱,分别讨论了细胞密度、DNA的含量、水化作用对太赫兹光谱和成像的影响.实验结果表明:癌变组织与健康组织相比对THz吸收较多.太赫兹光谱和成像技术有望用于术前基底细胞癌的轮廓诊断.     

欢迎参观《北京天科邮票展览馆》

《北京天科邮票展览馆》由《科学家纪念邮票展览馆》、《陆达纪念馆》和《卢嘉锡纪念馆》等3部分组成,是本刊兴办的公益性企业,免费参观。在北京市工商行政管理局注册号为:110229009367903;北京市质量技术监督局颁发的组织机构代码为:78616185X;北京市国家税务局和北京市地方税务局颁发的税务登记证号为:     

迈克耳孙干涉仪条纹计数器的研制

设计了电路简单、可自动识别条纹移动方向的迈克耳孙干涉仪条纹计数器。该计数器仅用9个常见的分立元件即实现了对光信号的采集、放大、滤波、整形的功能,并有效地去除了计数过程中的干扰因素。输出信号经条纹移动方向识别电路后,送入可逆计数器能自动进行相应的加计数或减计数并显示。     

相对论速调管中间腔与调制电子束间的非线性互作用

在强流相对论电子束驱动的相对论速调管放大器中, 由于强流和高场强的影响, 尤其是中间腔具有高Q值, 微波腔与电子束之间的非线性作用很明显, 严重影响器件性能. 根据麦克斯韦方程组以及电子在微波场作用下运动方程给出了中间腔的束-波互作用自洽方程. 从这些方程出发, 研究了调制深度和调制频率对间隙电压幅度和相位的影响. 对比常规速调管的等效电路模型, 自洽公式给出的间隙电压幅值同粒子模拟结果更接近, 尤其是较高调制深度的情况. 同时器件带宽随调制深度的增加而变宽, 这也同粒子模拟结果一致. 由此设计了一个S波段高增益相对论放大器, 在LTD (长脉冲螺旋线)加速器上开展了相应的实验工作, 实验上获得了1.1 GW的输出功率, 器件增益49 dB. 关键词： 相对论速调管 非线性互作用 自洽方程     

场发射冷阴极微栅孔阵列制备技术

实现了一种采用聚苯乙烯纳米球自组装技术和微机械制造技术加工的场发射阴极用亚微米栅极微孔阵列。设计了一套完整的工艺实验方案,首先采用微球自组装技术获得了亚微米级金属网孔掩膜,然后通过反应离子刻蚀技术获得了亚微米栅极孔阵列,从而实现了集成度高、分布均匀的周期性亚微米孔洞阵列的制备,微孔集成度达到108cm-2。实验研究了氧气刻蚀聚苯乙烯微球的规律。采用金属掩膜,四氟化碳干法刻蚀二氧化硅,获得了深度为500 nm的微孔。实验结果证明该工艺方案是一种获得大面积、均匀分布、集成度高的场发射冷阴极栅孔阵列的有效方法。