4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备

就如何在4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面做了初步研究，并对磁性隧 道结的磁电性质及其工作特性进行了初步测量和讨论.利用现有的光刻设备和工艺条 件在4英寸热氧化硅衬底上直接制备出的磁性隧道结，其结电阻与面积的积 矢的绝对误差在10% 以内，隧穿磁电阻的绝对误差在7% 以内，样品的磁性隧道结性质具有较好的均匀性和一致性，可以满足研制磁随机存储器存储单元演示器件的基本要求. 关键词： 磁性隧道结 隧穿磁电阻 磁随机存储器 4英寸热氧化硅衬底     

稀磁半导体Zn1-xMnxTe吸收光谱压力红移的理论研究

以自由Mn²⁺离子的径向波函数为基础,通过引入电子云延伸效应系数κ来修正这一径向波函数,得到了稀磁半导体Zn_1-xMn_xTe晶体中Mn²⁺离子的径向波函数.以此波函数为基础,研究了Zn1-xMnxTe晶体吸收光谱的高压谱移特性,并且得到了吸收谱中四条谱线随压力的红移规律.     

原子磁芯片与量子回路

 在过去几年中,物理学家们研究出了多种可把原子云团冷却到温度低于1微开(μK)的技术。处于这些云团中的原子是如此之冷,以至于它们不能再被看作是遵守牛顿定律的经典粒子,而应被看作是由量子力学所描述的可传播、衍射和相互干涉的波。现在,人们已经可以把冷原子囚禁在横向尺寸只有100纳米的量子点内,也可使之在长的狭管中流动,就像电子在很细的导线中流动一样。人们开始注意到一种全新的技术的可能性,这一技术与微电子技术相类似,只是它基于受控冷原子流及原子之间的相互作用。这种被称为“原子芯片”的器件可以利用量子力学原理来完成非同寻常的测量或计算工作。     

偏滤器靶板磁预鞘层边界的离子流

利用流体力学模型研究了偏滤器等离子体条件下磁预鞘层边界离子流和预鞘层宽度之间的关系，并分析了粒子碰撞对预鞘层边界离子流的影响。由于粒子碰撞对离子的驱动效益，预鞘层边界离子流速度随着预鞘层宽度的增加而减少；只有当预鞘层宽度趋于零时，边界离子流沿磁力线的速度才趋近于离子声速。在固定预鞘层宽度的条件下，计算了预鞘层边界离子流速度与碰撞频率之间的函数关系。     

磁逆多光子非线性Compton散射的谱功率

相对论电子在强磁场中的磁逆Compton散射是一种重要的γ射线辐射机制。虽然对该问题的研究已有二十多年的历史，但对磁逆多光子非线性Compton散射谱功率的研究尚未见报道。本文采用电子与光子非弹性碰撞模型，首次给出了磁逆多光子非线性Compton散射的谱功率。     

深能级杂质对光导半导体开关非线性特性的影响

建立了非线性GaAs光导开关深能级杂质瞬态模型的基本方程,获得了与实验现象定性吻合的电流输出,给出了平均载流子随时间演化的情况.分析结果表明,在考虑了深能级杂质的俘获、发射和碰撞电离后,有可能对非线性光导开关中发生的一系列现象做出解释,进一步的仔细分析将对非线性光导开关的设计和制作提供理论指导.     

Schottky Barrier Height Inhomogeneity of Ti／n—GaAs Contact Studied by the I—V—T Technique

The current-voltage characteristics of Ti/n-GaAs Schottky diodes measured over a temperature range of 78-299K have been interpreted on the basis of thermionic emission across an inhomogeneous Schottky contact.The experiment shows that the apparent barrier height (φap) increases from 0.437eV at 78K to 0.698eV at room temperature.the plot of φap versus 1/T does not exhibit a simple linear relationship over the whole temperature range,indicating that the barrier height distribution is more complicated than the frequently observed single Gaussian distribution.A new multi-Gaussian distribution model is developed.Our experimental results can be explained by a double Gaussian distribution of the barrier heights.The weight,the mean barrier height,and the standard deviation of the two Gaussian functions are 0.00001 and 0.99999,0.721 and 0.696,0.069 and 0.012eV,respectively.     

磁致伸缩系数的测量

为了避免非平衡电桥法测量磁致伸缩系数出现的漂移现象，本文提出了一种用光学干涉法间接测量磁致伸缩系数的实验方法。     

Photoluminescence Characterization of Silicon Nanoparticles Hybridized Europium Complex

A europium complex Eu (DBM)3 TPPO (Eu tris(benzoylmethide)-(triphenylphosphine oxide)) and silicon nanoparticles have been hybridized.The hybridization can evidently change the photoluminescence (PL) characteristics of the Eu complex in the following aspects:under an excitation of 390nm,the intensity of the PL peak at 611nm due to the ^5Du-^7F2 transition of the Eu^3 ions has been increased by 30%,and thc integrated PL intensity in the visible range has been increased by nearly 3 times;the PL excitation efficiency beyond 440nm has been improved cvidently;the peak in the PL excitation spectrum shifts from 408nm to 388nm,and the PL decay time decreases from 2.07 to 0.96μs,The experimental results indicatde that in the PL process,the photoexcited energy may transfer from the silicon nanoparticlcs to the Eu^3 ions.