La0.82Te0.18MnO3薄膜的输运特性和光诱导效应

用脉冲激光沉积法制备了非金属Te掺杂的钙钛矿锰氧化物La_0.82Te_0.18MnO₃单晶薄膜.该薄膜从83 K升温至373 K过程中发生金属-绝缘体相变，转变点温度为283 K.其电阻率在T<T_MI时符合电子-电子、电子-磁振子散射公式；在T>T_MI时为小极化子输运.薄膜在低温段连续激光(波长为532 nm，40 mW)作用下电阻率显著增大，电阻变化率在253 K达到最大值51.1%,该变化率远大于相同条件下的空穴掺杂材料；在高温段产生了较小的光电导，电阻变化率小于10%.这些现象主要与激光激励下自旋系统和小极化子的变化有关.La_0.82Te_0.18MnO₃薄膜在激光诱导下具有明显的与自旋相关的弛豫现象.激光开始作用时薄膜电阻率随时间的变化符合指数关系. 关键词： 0.82Te_0.18MnO₃薄膜')" href="#">La_0.82Te_0.18MnO₃薄膜 光诱导 输运特性 电子掺杂     

物理系毕业的共和国两弹一星元勋

■王淦昌Wang Ganchang(1907-1998)核物理学家.江苏常熟人.1929年毕业于清华大学物理学系,是物理学系第一批毕业生之一.1933年获德国柏林大学博士学位.20世纪40年代初提出通过轻原子核俘获K壳层电子释放中微子时产生的反冲中微子的创造性实验方法.20世纪50年代领导建立了云南落     

东南大学物理系南京培中科技开发研究所

特别推荐 LEM-2型洛仑兹力演示、电子比荷测定仪 LEM-2型洛仑兹力演示、电子比荷测定仪（彩照一）的早期产品为153W-2型洛仑兹力演示仪（彩照二）．是东南大学物理系马文蔚教授、潘人培教授于1978年和某电子管厂合作开发生产的，并于1981年通过鉴定，彩照二的仪器为1983年的产品，目前东南大学物理系仍在使用，且电子柬轨迹仍清晰明亮。现经潘人培教授在153W-2型仪器的基础上，作了改进．可同时用于测量电子比荷仪器的主要特点有：     

外加电场下激光诱导Al等离子体特性的实验研究

由Q-Nd:YAG脉冲激光(波长1.06μm,脉宽10 ns)烧蚀Al靶产生等离子体.观测了在低气压和直流电场条件下的Al等离子体发射光谱.研究了激光功率密度和直流电场对各谱线强度的影响,分析了谱线半高全宽与外加电压,等离子体电子温度与激光能量的变化规律.结果表明,直流电场对铝原子谱线强度有显著的增强,铝原子谱线的半高全宽与直流电场的外加电压基本上呈线性关系.     

高俘获效率电子辐照加速器的设计研究

加速管是一台加速器的核心部分. 一般电子辐照加速器的俘获效率在50%左右, 一半的电子都损失在加速管内. 丢失的电子打在加速管内壁, 产生轫致辐射、腔体发热量增加、真空变坏等许多负面影响. 采用一段等梯度加速结构, 相速沿加速管呈线形增加,调整相速变化规律及加速管腔体的尺寸参数, 设计出的加速管最终的俘获效率提高到90%以上, 同时平均加速梯度没有因此降低, 加速管总长度没有增加.     

c轴定向氮化铝薄膜的制备

利用电子回旋共振 (ECR)微波增强化学气相沉积法 (PECVD)并使用氮气 (N2 ) ,氩气 (Ar)和AlCl3蒸气作为气源在直径为 6 .35cm的 (10 0 )单晶硅片表面制备了c轴定向氮化铝 (AlN)薄膜 ,并使用X射线衍射仪及其X射线特征能谱和扫描电镜 (SEM)分析了薄膜特征 ,研究了微波功率、基板温度和N2 流量对薄膜c轴定向的影响 ,得到了c轴偏差角小于 5°的高质量大面积AlN薄膜。     

基于ECC的限制性部分盲签名及离线电子现金方案

本文简述了电子现金系统的研究成果及其发展现状，针对已有的基于椭圆曲线的限制性盲签名方案提出可能的攻击手段，并在此基础上提出安全的基于椭圆曲线的限制性部分盲签名方案，同时也构建了一个与已有方案相比更富应用价值的高效离线电子现金方案．     

三维激光等离子体相互作用并行数值模拟

提供一个三维非线性流体力学与激光传播耦合的并行求解软件LAP3D，以帮助物理人员研究激光束自聚焦、激光成丝现象。LAP3D基于三维Cartesian坐标系，假设激光沿z向传播，在等离子体标准中性近似假设条件下，忽略电子动量，求解三维Euler流体力学方程、非局域电子热传导方程、旁轴包络近似的激光传播方程3个物理过程。