溶胶—凝胶法制备SiO2基片Er^3＋：Al2O3光学薄膜

用溶胶—凝胶法在SiO2基片上提拉制备了掺Er^3 ：Al2O3光学薄膜。采用扫描电子显微镜、原子力显微镜、差热—热重分析仪、X射线衍射仪研究了掺Er^3 ：Al2O3光学薄膜的肜貌和结构特性。在900℃烧结后，SiO2基片上提拉15次形成厚度8μm掺摩尔比0．01Er^3 的面心立方结构γ-Al2O3薄膜具有明显(110)择优取向，掺摩尔比0．01Er^3 对γ—Al2O3的品体结构和结晶生长过程木产生显著影响。薄膜具有均匀多孔结构，平均粒径为30～100nm，平均孔径为50～100nm，表面起伏度为10～20nm。掺摩尔比0．01Er^3 ：rAl2O3薄膜，获得了中心波长为1．534μm(半峰全宽为36nm)的光敛发光谱。     

极值图论与度序列

本文简要概述极值图论与度序列的最新研究进展，同时提出了一些有待进一步解决的问题和猜想．     

Low-Temperature Growth of Polycrystalline silicon Films by SiCl4／H2 rf Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition

Polycrystalline silicon film was directly fabricated at 200℃ by the conventional plasma enhanced chemical vapour deposition method from SiCl4 with H2 dilution. The crystallization depends strongly on the deposition power.The maximum crystMlinity and the crystalline grain size are over 80% and 200—50Onm, respectively. The results of energy dispersive spectroscopy and infrared spectroscopy measurements demonstrate that the film is mostly composed of silicon, without impurities such as Cl, N, C and bonded H. It is suggested that the crystallization at such a low temperature originates from the effects of chlorine, i.e., in-situ chemical, etching, in-situ chemical cleaning, and the detachment of bonded H.     

一种求解混合多目标规划问题的功效函数法

逻辑生长函数相对于龚珀兹生长函数具有拐点高和对称性的特点,采用逻辑生长函数形式的功效函数法求解混合多目标规划问题具有形式简单、计算量小、符合实际的优点。证明了用这种方法求出的最优解是有效解。讨论了满意值对有效解的影响。逻辑生长函数还可以应用于多维变量评价的功效系数法中。     

关于Erdos-Jacobson-Lehel 问题的门槛

设σ(k,n）表示最小的正整数m，使得对于每个n项正可图序列，当其项和至少为m时，有一个实现含k 1个顶点的团作为其子图。Erdos等人猜想：σ(k,n）＝（k-1)(2n-k) 2.Li等人证明了这个猜想对于k≥5，n≥（^k2））＋3是对的，并且提出如下问题：确定最小的整数N（k），使得这个猜想对于n≥N(k）成立。他们同时指出：当k≥5时，[5k-1/2]≤N(k）≤（^k2) 3.Mubayi猜想：当k≥5时，N(k）＝[5k-1/2]。在本文中，我们证明了N（8）＝20，即Mubayi猜想对于k=8是成立的。     

弱混强平稳序列随机容量、随即秩次序统计量的极限分布律

设W(1n)W2(n)…W(nn)是严平稳随即序列{Xn,n 1}的前几个变量的顺序统计量,Nn Mn是两正整值r.v,n 1.在较弱一些的混合条件下,本文给出了W(NMn)n标准化后的极限分布,从而使一些提法更趋一般化,主要结果推进了Rao(1984)和张国胜(1993)的工作.由于混合条件的减弱,使得对m-相关和正态平稳过程的具体应用讨论更加充分.     

线性递归序列模q

设{u_k}_k≥0为一个线性递归序列．序列{u_k(mod q)}_(k≥0)是周期的,很多人都对其周期有过研究．本文应用二次数域中理想的理论,较完全地刻面了二次线性递归序列模q的周期长度,所获结果加强并推广了Engstrom及Wall的结论．     

Effect of Incident Intensity on Films Growth in Pulsed Laser Deposition

Incident intensity, defined by the amount of particles deposited per pulse, is an important parameter in the film growth process of pulsed laser deposition （PLD）. Different from previous models, we investigate the irreversible and reversible growth processes by using a kinetic Monte Carlo method and find that island density and film morphology strongly depend on pulse intensity. At higher pulse intensities, lots of adatoms instantaneously diffuse on the substrate surface, and then nucleation easily occurs between the moving adatoms resulting in more smaller-size islands. In contrast, at the lower pulse intensities, nucleation event occurs preferentially between the single adatom and existing islands rather than forming new islands, and therefore the average island size becomes larger in this case. Additionally, our results show that substrate temperature plays an important role in film growth. In particular, it can determine the films shape and weaken the effect of pulse intensity on film growth at the lower temperatures by controlling the mobility rate of atoms. Our results can match the related theoretical and experimental results.     

丙烯腈γ辐射聚合的NMR研究

用¹H NMR、¹³C NMR谱、自旋-晶格弛豫时间（T₁）和自旋-自旋弛豫时间（T₂）研究了丙烯腈在⁶⁰Co γ射线辐射聚合后的大分子结构变化与大分子链的运动. 结果表明随着辐射剂量增大，在单体形成聚合物的过程中，聚合物主链上出现了少量的-OH基团，继续增大辐射剂量， -OH部分被氧化. 对聚合物溶液的变温氢谱的研究表明，溶剂中的残余水与上述-OH形成氢键，且随着温度升高氢键被破坏，同时H₂O与-OH之间还存在着质子交换. 利用¹³C NMR谱对丙烯腈辐射聚合的产物进行了序列结构分析. 对T₁和T₂的研究表明，辐射剂量的增大并未影响到聚丙烯腈的链运动，证明了在丙烯腈的辐射聚合过程交联反应未发生.     

Rh ⅩⅢ,Pd ⅪⅤ和AgⅩⅤ离子4s~24p~3—4s~24p~25s跃迁的扩展分析

用相对论HartreeFock方法对YⅦ—AgⅩⅤ离子4s24p3和4s24p25s组态的能级结构进行了系统的理论计算.通过分析能级结构的Slater径向积分参数沿等电子序列的变化规律,运用参数拟合外推(或内插)的方法计算了上述离子组态的能级结构参数.在此基础上,计算了Rh,Pd和AgⅩⅤ离子4s24p3(4S32,2P12,32,2D12,32)和4s24p25s(4P12,32,52,2P12,32,2D32,52,2S12)组态的精细结构能级以及这两个组态之间电偶极允许跃迁的全部35条谱线波长与相应的振子强度,其中Pd和AgⅩⅤ离子的所有数据纯属目前的预测计算值.