等离子体通道中的自生磁场

研究了超短脉冲强激光在等离子体通道中传播时产生的自生磁场．利用相对论动量方程和泊松方程及安培定律得出自生磁场的一个基本公式，在此基础上解析并数值研究了通道中产生的自生磁场的特性和结构，初步探讨了超短脉冲强激光在等离子体中传播时形成的排空效应对自生磁场的影响，并分析了产生自生磁场的机制 关键词：     

T1—2212超导薄膜的制备

以铝酸镧晶体为基片，采用两步法制备T1-2212超导薄膜，包括在低温(150℃)下利用激光脉冲沉积(PLD)工艺沉淀Ba2CaCu2Ox非晶前驱体薄膜和在高温(740～830℃)下前驱体薄膜的铊化结晶、取向生长过程，实验结果表明所制得的膜的相组成为T1-2212，表面存在大量均匀分布的成分为T12Ba2CaCu2Ox的亚微米颗粒，其零电阻温度为101K，薄膜与基片之间界面清晰，没有过渡层，薄膜具有良好的c取向外延条纹。     

A Two-Photon Femtosecond Laser System for Three-Dimensional Microfabrication and Data Storage

Utilizing the well-focused femtosecond laser with extreme high pulse intensity, we built a two-photon micro-fabrication and data storage system, which was introduced through several functional parts. Based on this homemade system, several three-dimensional microstructures were fabricated by two-photon polymerization, and three-dimensional data storage of six-layers was achieved by two-photon excitation with a photochromic material.     

自由电子激光的准Dirac方程

建立了Compton型自由电子激光的准Dirac方程．用近似方法对方程进行了求解．由求得的电子波函数计算出电流密度表达式．结果表明，电子自旋影响着波函数及电流密度的分布 关键词：     

亚皮秒太瓦脉冲激光与物质相互作用研究进展

当前亚皮称太瓦超短冲激光技术的发展为激光与物质相互作用领域提供了许劝人心的研究机会，从激光与单个原子的相互作用到激光等离子体中的集体效应，如原子的高度离化、Ｘ射线激光、等离子体波导，等离子体粒子加速器，快速点火方案等等，文章评述了最近几年这方面的研究进展。     

多勒普加宽斯塔克效应调制分析

用半经典理论分析了含多勒普加宽的斯塔克效应调制，使用密度矩阵近似，导出了吸收线附近ＮＨ３分子的吸收系数和调制度表达式，实验研究了１０．７８４μｍ波长的斯塔克效应调制特性，调制频率１ＭＨｚ时，调制度达到３３％。     

金属基陶瓷复合材料的激光热冲击破坏效应

 研究了激光热冲击条件下静态受拉Sic颗粒增强6061铝合金材料的热断裂行为。热冲击用的激光束的脉宽分别为1.0ms和250μs, 激光束辐照在缺口的根部附近。对于热冲击下裂纹的产生及扩展进行细致的宏、微观观察,发现裂纹的产生和扩展的机制是不相同的。     

Influences of SiO2 laser-induced protective layers and damage threshold of annealing on the Ta2O5 films

Ta2O5 films are prepared on BK7 substrates with conventional electron beam evaporation deposition. The effects of SiO2 protective layers and annealing on the laser-induced damage threshold （LIDT） of the films are investigated. The results show that SiO2 protective layers exert little influence on the electric field intensity （EFI） distribution, microstructure and microdefect density but increase the absorption slightly. Annealing is effective on decreasing the microdefect density and the absorption of the films. Both SiO2 protective layers and annealing are beneficial to the damage resistance of the films and the latter is more effective to improve the LIDT. Moreover, the maximal LIDT of Ta2O5 films is achieved by the combination of SiO2 protective layers and annealing.     

半导体激光牙科治疗仪

采用ＧａＡｌＡｓ激光二极管作为激光源，电子定时，功率实时监测，ＬＥＤ红光指示，硬光纤偶合输出，工作波长８３０ｎｍ，输出功率１３０ｍＷ，属于低功率激光，主要产生刺激调理作用，消炎止痛，抗感染，改善血液循环，增强机体免疫功能