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T1—2212超导薄膜的制备
引用本文:胡芳仁,伊长虹,赵新杰,雷冲,陈莺飞,郑东宁.T1—2212超导薄膜的制备[J].低温物理学报,2003,25(A01):68-71.
作者姓名:胡芳仁  伊长虹  赵新杰  雷冲  陈莺飞  郑东宁
作者单位:[1]中国科学院物理研究所超导国家重点实验室,北京100080 [2]山东师范大学,济南250014
摘    要:以铝酸镧晶体为基片,采用两步法制备T1-2212超导薄膜,包括在低温(150℃)下利用激光脉冲沉积(PLD)工艺沉淀Ba2CaCu2Ox非晶前驱体薄膜和在高温(740~830℃)下前驱体薄膜的铊化结晶、取向生长过程,实验结果表明所制得的膜的相组成为T1-2212,表面存在大量均匀分布的成分为T12Ba2CaCu2Ox的亚微米颗粒,其零电阻温度为101K,薄膜与基片之间界面清晰,没有过渡层,薄膜具有良好的c取向外延条纹。

关 键 词:高温超导  T1—2212超导薄膜  铝酸镧晶体  激光脉冲沉积  铊化结晶  晶体取向  晶体结构  X射线衍射
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