Improved charge trapping flash device with Al2O3/HfSiO stack as blocking layer

In this paper, we investigate an Al₂O₃/HfSiO stack as the blocking layer of a metal-oxide-nitride-oxide-silicon-type (MONOS) memory capacitor. Compared with a memory capacitor with a single HfSiO layer as the blocking layer or an Al₂O₃/HfO₂ stack as the blocking layer, the sample with the Al₂O₃/HfSiO stack as the blocking layer shows high program/erase (P/E) speed and good data retention characteristics. These improved performances can be explained by energy band engineering. The experimental results demonstrate that the memory device with an Al₂O₃/HfSiO stack as the blocking layer has great potential for further high-performance nonvolatile memory applications.     

High-power diode-end-pumped Tm：YAP and Tm：YLF slab lasers

Diode-end-pumped continuous-wave(CW) Tm:YAP and Tm:YLF slab lasers are demonstrated. The a-cut Tm:YAP and Tm:YLF slabs with doping concentrations of 4 at.-% and 3.5 at.-%,respectively,are pumped by fast-axis collimated laser diodes at room temperature. The maximum CW output powers of 72 and 50.2 W are obtained from Tm:YAP and Tm:YLF,respectively,while the pump power is 220 W,corresponding to the slope efficiencies of 37.9% and 26.6%,respectively.     

Study of diode-pumped Yb:YAG disk lasers at low temperature

A Yb:YAG disk laser with V-shaped stable resonator and active-mirror configuration,end-pumped by a 940-nm InGaAs laser diode array,is demonstrated.Performances and optimization of the disk laser at low temperature over a range of 130-200 K are investigated theoretically and experimentally.Laser output energy of 1.46 J/pulse operating at 10-Hz repetition rate is obtained with the optimum output coupler transmission of 30%,and the corresponding optical-to-optical efficiency is 48.7%.     

可调谐激光二极管吸收光谱系统信号分析及谱线畸变校正技术研究

利用可调谐激光二极管吸收光谱技术进行气体检测时,波长调制伴随的光强幅度调制,会使解调出的谐波谱线发生畸变.在傅里叶分析的基础上对可调谐激光二极管吸收光谱任意调制幅度的波长调制光谱信号进行了分析,给出了光强幅度调制引起吸收谱线畸变的理论解释.提出了在波长调制过程中进行旧步平抑幅度调制的方法来消除谱线畸变,设计了实验方案并...     

高功率激光二极管封装工艺的稳定性

针对高功率二极管封装工艺中存在的问题，提出了工艺控制方法，提高了采用微电子工艺研究中的统计过程控制技术(SPC)。所谓SPC技术的基本含义是：利用数理统计分析理论，将连续采集的大量工艺参数数据转换成信息，以确认、改善、纠正工艺过程特性，保证产品质量、成品率和可靠性。     

线阵激光二极管侧面抽运Nd∶YAG激光器特性研究

依据四能级系统速率方程 ,推导出了多横模振荡固体激光器输出与输入参量的关系。对二极管抽运固体激光器中线阵激光二极管三向对称侧面抽运结构 ,计算了抽运光强分布 ,并就激光器的阈值抽运功率、近阈值条件下的斜率效率、输出功率和光束质量等与抽运参量的关系 ,进行了数值计算。由计算结果看出 ,线阵激光二极管侧面抽运Nd∶YAG激光器中晶体半径和抽运光束腰半径是影响输出激光功率和光束质量的主要因素 ,并通过在谐振腔中加小孔选模 ,使光束质量得到明显改善。选择了一组三向侧面抽运结构参量进行了实验验证 ,实验结果与理论计算一致。     

金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅰ)

文章评论性地介绍了金属有机化学气相外延技术（MOCVD）生长氮化物半导体GaN和InGaN以及激子局域化效应、量子束缚斯塔克效应对它们的光学性能的影响，详细比较了这两种效应对GaN基半导体发光二极管和激光二极管特性的影响，特别是量子束缚斯塔克效应以显著不同的方式影响着发光二极管和激光二极管的性能；文章还讨论了在A面蓝宝石衬底上生长GaN的情况．     

基于激光二极管光反馈效应的肌肉震颤测量系统

介绍一种测量肌肉震颤频率和幅度的无损伤、非接触光学方法。分析了在直接频率调制下 ,激光二极管中的光反馈效应 ,探讨了振动微小位移和速度的理论模型。设计并研制了一套基于光反馈效应的直接频率调制激光二极管光电探测系统。利用该系统对微弱机械振动信号进行了探测 ,表明该系统能用于肌肉震颤的测量。最后介绍了人体前臂内侧屈肌群紧张收缩时 ,肌肉震颤的光学测量结果     

基于微蒸发腔制冷的大功率激光二极管制冷组件

利用节流的高压冷却介质在微蒸发腔内相变吸热,设计了一种用于大功率激光二极管制冷的封装组件。该组件采用高热导的无氧铜,用精密线切割、化学腐蚀等技术制作微蒸发腔,再通过自制的焊接设备完成制冷组件的封装。按照大功率激光二极管条的发热模型,理论上对微蒸发腔制冷组件的温度分布进行了数值模拟,结果与60 W激光二极管条的散热实验符合较好,得到制冷剂流量为23 m L/min时的热阻为0.289℃/W。