纳米Cu和Ag的缺陷研究

使用氢电弧等离子体方法制备纳米Cu和Ag超微粒子,这些粒子在制备过程中自动地高温溶氢.同时使用相近的电源功率的惰性气体蒸发法制备纳米Cu和Ag.分别将各种样品在低温退火,同时使用TEM监测粒子的大小,选择最佳退火温度制成标准样品.使用TEM,HRTEM,XRD线形精炼与Fourier分析方法研究了纳米Cu和Ag中的缺陷.发现了纳米Cu和Ag的x射线衍射线形的非对称性并研究了其物理意义.用Fourier分析方法计算得到纳米Cu和Ag中的孪晶几率.并对于纳米材料中的氢对结构的影响进行了讨论.     

沉淀法合成纳米晶长余辉材料Y2O2S∶Eu3+，Ti

The long-lasting phosphorescent materials, yttrium oxysulfides doped by Eu and Ti, were systhesized by coprecipitation with their subsequent thermal decomposition in the presence of sulphur. The products were characterized by XRD, TEM, phosphorescent spectra, and thermoluminescence. The XRD results indicate that the lowest synthesis temperature is 700 ℃. From the TEM, the average diameter of particles was in the range of 60～120 nm, and augmented with the increase of temperature. The materials under UV excitation presented well afterglow from the transition of ⁵D_0,1 → ⁷F_J of Eu³⁺, and the persistent time was about 2 h. The long-lasting afterglow mechanism was discussed, too.     

三维有序大孔杂化材料SiW11O39^8——SiO2和γ—SiW10O36^8——SiO2的制备与表征

通过溶胶 -凝胶和聚苯乙烯模板等方法制备了含缺位 Keggin阴离子 Si W1 1 O8- 3 9和 γ-Si W1 0 O8- 3 6的三维有序大孔杂化氧化硅复合材料 ,并通过紫外漫反射光谱 ( UV/ DRS)、傅里叶变换红外光谱 ( FTIR)、固体核磁共振波谱 ( MAS NMR)等手段对其结构进行了表征 .结果表明 ,杂化材料中的 Keggin阴离子仍保留其基本骨架结构 ,但其与氧化硅基体之间存在化学作用 .杂化材料的孔道结构用扫描和透射电子显微镜 ( SEM和TEM)进行表征 ,其平均孔径为 ( 335± 5 0 ) nm.对杂化材料孔壁的微孔性通过氮气吸附进行了测定 .此类材料对水溶液中羟基丁二酸的降解反应具有活性 ,光催化过程中未发现 Keggin阴离子自载体中脱落的现象 .     

n型T'-214相超导体的结构和性质

T＇－214相化合物R2-xCexCuO4（R为稀土离子）成为超导体决定于R3+的离子半径大小、Ce4+的取代量和化合物的热处理时的稳定性．从Raman光谱实验结果提出热处理过程中发生电荷转移．Ce4+的取代引起TN（Cu）下降，当TN（Cu）降到0时，超导性出现。不同的稀土离子TN（Cu）不同，稀土离子的反铁磁性（AFM）与超导性（SC）共存。热电势的测量结果可以用双通道模型解释，n型超导体中电子与空穴共存．     

氮原子在Ni平坦和缺陷表面上的吸附和振动

 构造了氮－镍相互作用的5－参数Morse势，研究了氮原子在Ni（\r\n100），Ni（110）和Ni（111）平坦表面的吸附和振动，获得了氮原子\r\n在三个低指数表面的吸附位、吸附构型、结合能和本征振动等数据，计\r\n算结果与实验结果非常吻合．同时，与Ni（100）表面对比，系统研究\r\n了氮原子在Ni（510）台阶面的吸附和扩散．计算结果表明，氮原子在\r\n台阶下部形成最稳定的吸附态，台阶对下台面上扩散的氮原子形成捕获\r\n势，对上台面上扩散的氮原子形成反射势．     

有序自组装聚合物纳米结构

采用水辅助方法(water-assisted fabrication method),分别以4-十二烷基苯磺酸掺杂的聚苯胺(PANI-DBSA)和聚2-甲氧基-5-(2′-乙烯基-己氧基)苯乙炔(MEH-PPV)两种功能高聚物为成膜材料,冷凝水滴为模板,利用水滴在聚合物溶液表面的自组装,制备出了两种纳米层次以上的蜂窝状有序多孔聚合物薄膜.通过原子力显微镜和共聚焦荧光显微镜对其形貌、电学性质和荧光图像进行了表征.     

Er:Yb:KGW激光晶体生长及缺陷研究

采用顶部籽晶(TSSG)法生长ErYbKGW晶体.通过研究助熔剂的种类、组成与溶质的比例关系对晶体生长的影响,设计了合理的工艺条件转速30～40 r·min-1;拉速1～2 mm·d-1;降温生长速率0.05 ℃·h-1;降温速率15 ℃·h-1;生长周期15～20 d.通过对晶体缺陷的观察分析认为,晶体裂缝及包裹物等缺陷与生长工艺条件密切相关,应尽量减少生长过程中的温度、浓度及生长速度的波动,保持晶体的稳态生长.     

“逐步偶联聚合反应”在研制有序交联高分子及复合物中的应用

用“逐步偶联聚合反应”这一新的合成方法可制备不同等级的微观结构可控的有序交联网状高分子,包括可溶性的一维梯形或管状高分子、不溶性的二维或三维筛板状高分子,新型的反应性梯形聚硅氧烷包括氢梯、乙烯基或丙烯基梯、乙氧基梯及其共聚物是功能性梯形高分子的前体,由此衍生出“鱼骨形”和“划艇形”液晶和非线性高分子、盘状金属络合物液晶高分子以及管状聚硅氧烷。对功能化梯形降硅氧烷进行了有趣的应用探索,包括用于稳定液     

铌酸锂晶体性能的组成依赖性(英文)

总结了铌酸锂晶体的各项性能指标,显示了其对晶体实际组成的强烈依赖性.利用化学键模型定量地解释了这种依赖性产生的根源,从而说明了制约该晶体性能提高的关键因素是晶体结构中的缺陷控制.     

三维有序大孔杂化材料SiW11O8-39-SiO2和γ-SiW10O8-36-SiO2的制备与表征

通过溶胶-凝胶和聚苯乙烯模板等方法制备了含缺位Keggin阴离子SiW11O8-39和γ-SiW10O8-36的三维有序大孔杂化氧化硅复合材料, 并通过紫外漫反射光谱(UV/DRS)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、固体核磁共振波谱(MAS NMR)等手段对其结构进行了表征. 结果表明, 杂化材料中的Keggin阴离子仍保留其基本骨架结构, 但其与氧化硅基体之间存在化学作用. 杂化材料的孔道结构用扫描和透射电子显微镜(SEM和TEM)进行表征, 其平均孔径为(335±50) nm. 对杂化材料孔壁的微孔性通过氮气吸附进行了测定. 此类材料对水溶液中羟基丁二酸的降解反应具有活性, 光催化过程中未发现Keggin阴离子自载体中脱落的现象.