25MeV/u6He+9Be反应的轻粒子发射

在25MeV/u ⁶He与⁹Be靶的反应中,107°和128°处明显地观察到了轻粒子发射.粒子能谱形状与平衡热源蒸发相一致,分析得到热源的核温度为完全熔合条件下的5.6MeV或非完全熔合条件下的5.2MeV .实验发现发射氚的数量特别大,这可能与目前广泛研究的⁶He的集团结构和同位旋效应有关.     

基片温度对坡莫合金薄膜结构和磁电阻的影响

用磁控溅射方法制备了系列坡莫合金Ni80Fe20薄膜。利用X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显徽镜分析了薄膜的结构、晶粒取向、薄膜厚度、截面结构和表面形态。用4点探测技术测量了薄膜的电阻和磁电阻。结果表明：随衬底温度的升高，晶粒明显长大。膜内的缺陷和应力显著减小，而且增强了薄膜晶粒的[111]择优取向。结果表明，薄膜电阻率显著减小，而磁电阻显著增大。     

分子射线中分子的频率分布

由麦克斯韦速率分布率导出分子射线中分子按频率分布 ,并给出了分子射线中分子按频率分布中的三个特征频率、分界动能和分界温度。     

不同温度均匀二半空间接触后产生的辐射场

 应用电磁线路中涨落耗散理论，推导了不同温度均匀二半空间接触后产生辐射场密度的公式。将此公式近似展开后，即得Grover和Urtiew所获得的表示式，不过多了一松弛项，该项如用非富里叶热传导理论推导，也是存在的。该结果和实验结果一致，不过这里的松驰时间可以应用介质性质进行计算。     

GaAs/AlAs超晶格的近共振喇曼散射研究

本文介绍GaAs/AlAs超晶格的室温近共振喇曼散射测量结果。由于超晶格中Fr?hlich相互作用的共振增强效应,GaAs LO声子偶模的散射得到了很大的增强。和前人的结果一样,在偏振谱我们观察到了偶模。但和前人的结果不同,在退偏振谱中我们观察到的是奇模,而不是偶模。从而证明了在近共振条件下LO声子限制模仍遵从与非共振时一样的选择定则。二级喇曼散射实验结果表明,在偏振谱中二级谱是由两个偶模组合而成,而在退偏振谱中的二级谱与前人的结果不同,由一个奇模与一个偶模组合而成。上述结果与最近提出的黄朱模型的预言是一 关键词：     

腔靶等离子体辐射温度空间分布测量

本文描述了用膜吸收法测量激光等离子体辐射温度空间分布的原理和方法给出了柱形缝靶轴向辐射温度随空间位置变化的特征,对测量结果进行了分析讨论。     

Cr^4＋：YAG,Cr^4＋：Mg2SiO4近红外荧光辐射温度特性研究

测量了Ｃｒ＾４＋，ＹＡＧ、Ｃｒ＾４＋，Ｍｇ２ＳｉＯ４晶体在室温和液氮温度下的荧光光谱，吸收光谱和激发态寿命，讨论了温度变化时，两种晶体中Ｃｒ＾４＋近红外辐射积分强度变化与激光发态寿命变化的关系，得出结论：在７７Ｋ￣３００Ｋ范围内，Ｃｒ＾４＋的＾３Ｔ２能级荧光辐射截面本身受温度影响不大，Ｃｒ＾４＋辐射荧光的变化，主要是由无辐射弛豫速率随温度变化而引起的。     

薄膜界面粗糙对双晶摇摆曲线的影响

用X射线衍射动力学理论,模拟计算InP衬底上InGaAs/AllnAs超晶格和InGaAs单层膜的X射线双晶摇摆曲线,计算结果表明:薄膜界面粗糙对单层膜的衍射峰和超晶格的零级衍射峰影响较小,但却明显影响单层膜衍射干涉条纹和超晶格的±1级卫星峰,随着平均界面粗糙度的增大,单层膜衍射干涉条纹强度减弱并趋于消失;超晶格的±1级卫星峰变弱并逐渐展宽,理论计算的模拟双晶摇摆曲线与超晶格实验曲线比较表明:高质量匹配In_0.53Ga_0.47As(85?)/Al_{0.4 关键词：}     

热核区共振的温度相关性

用含温度的Heartree-Fock方程及线性响应理论计算了²⁰⁸Pb在不同温度下的电偶极和电四极巨共振的强度分布.结果表明,随着核温度的升高,巨共振峰展宽并向低能端移动.