Interfaces in InAs/GaSb Superlattices Grown by Molecular Beam Epitaxy

Short period InAs（4ML）/GaSb（SML） superlattices （SLs） with InSb- and mixed-like （or Ga1-xInxAs1-ySby- like） interfaces （IFs） are grown by molecular-beam epitaxy （MBE） on （001） GaSh substrates at optimized growth temperature. Raman scattering reveals that two kinds of IFs can be formed by controlling shutter sequences. X-ray diffraction （XRD） and atomic force microscopy （AFM） demonstrate that SLs with mixed-like IFs are more sensitive to growth temperature than that with InSb-like IFs. The photoluminescence （PL） spectra of SLs with mixed-like IFs show a stronger intensity and narrower line width than with InSb-like IFs. It is concluded that InAs/GaSb SLs with mixed-like IFs have better crystalline and optical properties.     

Influence of Interface Structure of Co/Cu （100） Superlattices on Electronic Structure and Giant Magnetoresistance

Electronic structures and magnetoresistance （MR） of Co3 Cu5 and Co3 Cur models as well as their interface atom exchange models Co2 CuCoCu4 and Co2 CuCoCu6 are investigated by the tlrst-principles pseudopotential planewave method based on density functional theory. Charge transfer, magnetic moment, density of states, spin asymmetry factor, and MR ratio are discussed. The results show that the values of charge transfer and spin asymmetry factor at the Fermi level of Co layers are closely related to the neighbouring background of the Co layer. The Co layer with two sides adjacent to the Cu layer would transfer more charge to the Cu layer than other neighbouring background and have the largest spin asymmetry factor at the Fermi level. The Co layer with two neighbouring Co layers （interior Co） would gain a little charge and have the smallest spin asymmetry factor at the Fermi level. Two-current model is used to evaluate the MR ratio of Co2CuCoCu4 （Co2CuCoCu6） to be larger than that of Co3 Cu5 （Co3 CUT）, which can be explained by the charge transfer and spin asymmetry factor.     

高功率微波数值仿真通用数据格式及其I／O接口实现

高功率微波数值仿真平台研制是在多个单位协同攻关、复杂物理过程耦合数值模拟和高性能计算的背景下开展的，模拟不同物理过程的软件子系统将产生数量众多的、大规模复杂结构的二维和三维时变数据场。但是，由于各研制单位编程语言、计算机及其操作系统等环境参差不齐，根据后处理（数据分析、可视化等）需求而各自选择了不同的数据格式，使得在各个软件子系统之间、应用程序与可视化系统之间的数据共享与交换、各物理子过程之间的耦合连接极其繁琐和复杂，难以有效地从全系统、全物理过程的高度综合分析这些数据场。     

用数字万用表作精密测温仪

本介绍了一种在不改动原有数字万用表原理和结构的基础上，附加温度接口电路，做到一表多用的方法，效果较好。     

EMD和FCM的脑电信号处理方法

基于脑电信号非平稳、复杂、信噪比低的特性,使用经验模式分解(EMD)算法对脑电信号进行分解,提取主要IMF分量的特征值,之后使用模糊C-均值(FCM)进行分类,并与现有的几种脑电分类方法做了对比研究.研究结果表明,基于2003年第二届BCI大赛脑电信号库的分类正确率达到78%,对于现有的脑电分类方法有一定的借鉴意义.     

基于Avalon-MM的I2C总线控制器设计及VMM验证

摘要： 分析了Avalon-MM总线的架构以及I2C总线的传输方式,提出了一种可行的I2C总线控制设计方案,并说明了详细的实现过程。设计的基于Avalon-MM总线的I2C总线控制器可复用IP核,可以不加修改地应用在基于Altera公司产品的SOPC系统中。使用VMM验证方法学构建了多层次可复用的验证平台,对设计进行了全面的验证。整个验证平台使用systemverilog语言实现,仿真工具使用VCS-MX200606。最后仿真结果显示,设计被完全地验证并达到100%覆盖率。     

某型指挥信息系统有线远传接口自动识别方法

为提高对指挥信息系统有线远距离传输接口测试的自动化水平,提出一种基于信号特征提取的信号类型自动识别方法。在对各类接口信号时域和频域特性分析的基础上,采用限幅滤波法实现对信号峰峰值的准确判断,通过基于Burg算法AR模型的谱估计方法实现信号频谱准确估计。依据提取到的信号峰峰值和频带宽度,采用双阀值判决方法对接口类别进行自动识别。实验结果表明,基于信号时频域特征差异的自动识别方法,能够有效区分3种类型15个接口,识别准确度达到87%以上。     

基于LabVIEW和GPIB的数字示波器数据自动采集系统设计

介绍了一种利用数字示波器和工控机建立的数据自动采集系统。通过GPIB接口,用一台工控机对多台数字示波器进行控制,实现对信号数据的采集、处理并将处理结果存入数据库中。采用这种方法建立的系统简单、经济、通用性强,具有一定的实用价值。