修正Poschl—Teller势的Schrodinger方程束缚态的精确解

将修正Ｐｏｓｃｈｌ－Ｔｅｌｌｅｒ势的Ｓｃｈｒｏｄｉｎｇｅｒ方程作自变量双曲函数变换，使其转化为普遍的ａｓｓｏｃｉａｔｅｄ－Ｌｅｇｅｎｄｒｅ方程，用级数法解此方程，得到用普遍的ａｓｓｏｃｉａｔｅｄ－Ｌｅｇｅｎｄｒｅ多项式表示的修正Ｐｏｓｃｈｌ－Ｔｅｌｌｅｒ势的束缚态的归一化波函数，文献［１－５］中的有关结果都作为特例包含在本文的一般结论之中。     

稀磁合金的杂质效应对热导率和热电势的影响

本文采用李正中的Ｈａｍｉｌｔｏｎｉａｎ，讨论了稀磁合金中ｓｄ互作用效应（孤立杂质效应和ＲＫＫＹ关联效应）对热导率和热电势的影响．     

NaCl、KCl和NaF晶体高压结构相变点的计算

 通过晶格动力学方法，计算了NaCl、KCl和NaF晶体的NaCl（BⅠ相）结构和CsCl（BⅡ相）结构的Gibbs函数，以及晶体的BⅠ相- BⅡ相变点。计算结果表明，次近邻离子对间存在较强的短程吸引作用，对上述晶体的高压结构相变起关键作用。利用刚离子模型算得的离子势，得到了较为满意的相变点。结果还表明，温度变化对相变点的影响很小。还从Gordon-Kim模型出发，对短程作用势的物理实质作了讨论。     

Cu3Au熔体快速冷却过程微观结构演化的分子动力学模拟

利用分子动力学模拟技术研究了金属间化合物Cu3Au熔体的双体分布函数g(r)在快速凝固条件下随温度的变化情况,结果表明,Cu3Au降温至700K时第二峰已发生劈裂,液态金属中已经产生了非晶态;用键对分析技术详细考察了Cu3Au中微观组团随温度的演化特点,液体中的键对数及多面体数与温度的关系都表明,Cu3Au在向非晶转变的过程中,的确发生了微观结构组态的变化,其中以液体中的缺陷多面体随温度变化最为剧烈.非晶不是过冷液态的"冻结".     

单壁碳纳米管单原子空位缺陷的紧束缚理论研究

文章在紧束缚势模型基础上系统地研究了非手性单壁碳纳米管上单原子空位缺陷结构和电子结构性质．计算表明,单原子空位缺陷会自发地形成5-1DB型缺陷,且该缺陷的局域结构和形成能强烈地依赖于碳纳米管的尺寸、旋度和电学性质．同时作者发现这类缺陷在费米能级以上约0．2eV处产生局域的电子态．     

THE SPACE—FRACTIONAL TELEGRAPH EQUATION AND THE RELATED FRACTIONAL TELEGRAPH PROCESS

The space-fractional telegraph equation is analyzed and the Fourier transform of its fundamental solution is obtained and discussed.A symmetric process with discontinuous trajectories, whose transition function satisfies the space-fractional telegraph equation, is presented. Its limiting behaviour and the connection with symmetric stable processes is also examined.     

引入反比相关双曲余弦平方势描述超晶格量子阱的电子跃迁

 鉴于“方形”势阱过于简单和理想，引入了反比相关双曲余弦平方势描述超晶格量子阱中的电子运动行为。在量子力学框架内，把电子的Schrodinger方程化为了超几何方程, 并以Ga^1-xAl^xAs-GaAs- Ga^1-xAl^xAs量子阱为例计算了电子的带内跃迁和带间跃迁。结果表明，能级数目和跃迁能量与阱深、阱宽等系统参数有关，只需适当调节这些参数就可望实现对超晶格量子阱光电特征的调节与控制。     

立方结构Fe基磁性材料弹性系数第一性原理计算

通过赝势平面波法(CASTEP)及全电势线性缀加平面波法(FLAPW)，以bcc-Fe为对象，研究第一性原理计算立方结构Fe基磁性材料弹性系数的方法，分析影响计算立方结构Fe基磁性材料弹性系数准确度的各项因素. 结果表明，在第一性原理弹性系数计算中，晶格常数是决定弹性系数计算准确度的关键因素；势函数的选择也会影响计算准确度. 使用全电势基矢的FLAPW法可以得到更为精准的弹性系数计算结果. 计算得到bcc-Fe的弹性系数C₁₁，C₁₂，C₄₄分别为246 GPa，121 GPa，113 GPa，与实验值基本一致. 利用本方法，计算了新型Fe-Ga磁致伸缩材料的弹性系数C₁₁，C₁₂，C₄₄分别为207 GPa，166 GPa及108 GPa. 关键词： 弹性系数 磁致伸缩材料 赝势平面波法 全电势线性缀加平面波法     

He-NO碰撞体系微分截面的理论计算

首先用Huxley势函数形式拟合了在RCCSD(T)/aug-cc-pVTZ+bf理论水平下计算的He-NO相互作用能数据，获得了He原子与NO分子相互作用的各向异性势，然后采用密耦近似方法计算了He-NO碰撞体系的总微分截面、弹性微分截面和非弹性微分截面，并总结了微分散射截面的变化规律. 结果表明，拟合势不但表达形式简洁，而且较好地描述了He-NO系统相互作用的各向异性特征；利用碰撞体系分子间势的量子化学从头计算结果,可解决势能参数难以确定的问题，对进一步研究原子与分子碰撞机理有一定参考价值. 关键词： 各向异性势 势能参数 密耦近似 微分截面     

色散耦合道光学模型对28Si的核子散射数据分析

在光学势中引入色散关系, 相比于通常的耦合道光学模型, 极大地减少了光学势 参数的个数. 采用基于软旋转子模型的耦合道方法对较轻形变核²⁸Si核的中子和质子散射实验数据进行了计算分析, 拟合得到一组色散光学势参数. 计算的中子总截面、以及中子、质子的弹性与非弹性散射微分截面与实验数据有较好的符合.