排序方式: 共有80条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
不同激发密度下CdS晶体的光致发光和受激发射 总被引:1,自引:1,他引:0
本文主要研究在77-111K温度范围内、不同激发密度的N2激光器的337.1nm谱线激发下,激子-激子(Ex-Ex)、激子-载流子(Ex-e)的相互作用和发射一个LO声子(Ex-1LO)、两个LO声子(Ex-2LO)的自由激子的辐射复合行为.并在77K温度下观测到由Ex-Ex发射产生的受激发射. 相似文献
2.
Jiancong Du Suhui Deng Shangguo Hou Lingling Qiao Jianfang Chen Qing Huang Chunhai Fan Ya Cheng Yun Zhao 《中国光学快报(英文版)》2014,12(4):41101-38
DNA tetrahedral nanostructures are considered to be uew nanocarriers because they can be precisely controlled and hold excellent penetration ability to the cellular membrane. Although the DNA tetrahedral nanostructure is extensively studied in biology and medicine, its behavior in the cells with nanoscale resolution is not understood clearly. In this letter, we demonstrate superrcsolution fluorescence imaging of the distribution of DNA tetrahedral nanostructures in the cell with a simulated emission depletion (STED) microscope, which is built based on a conventional eonfocal microscope and can t)rovide a resolution of 70 nm. 相似文献
3.
磁控溅射制备ZnO薄膜的受激发射特性的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
用射频磁控反应溅射法在二氧化硅衬底上制备ZnO薄膜。得到了在不同温度下ZnO薄膜的吸收与光致发光。观测到了纵光学波 (LO)声子吸收峰与自由激子吸收峰 ;室温 (30 0K)下 ,PL谱中仅有自由激子发光峰。这些结果证实了ZnO薄膜具有较高的质量。探讨了变温ZnO薄膜的发光特性。研究了ZnO薄膜的受激发射特性。 相似文献
4.
测量了Cr∶Nd∶GSGG晶体从 - 70℃到 +80℃温度下的荧光发射光谱和荧光寿命 ,计算了该晶体在不同温度下 1 .0 61 μm受激发射截面 ,获得在此温度变化范围内受激发射截面随温度的线性变化关系 相似文献
5.
6.
7.
8.
采用光学度规模型,研究了光子在轴以称介质中的运动轨道,分析了光子在不稳定轨道附近的行为,进而讨论了经在激活介质中的受激发射。 相似文献
9.
用LP-MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱(ADQW)结构。通过ps时间分辨光谱、吸收光谱、发射光谱等的研究得到了如下的结果:在弱激发下,观测到ADQW结构中的激子隧穿现象;在强激发下,在ADQW结构中发现了一个内建电场,它将影响激子隧穿;首次观测到由激子隧穿引起的在一定温度范围内宽阱的发光强度随温度上升而增加的现象;首次观测到该ADQW结构中来自宽阱的光泵受激发射。 相似文献
10.