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在常温常压下采用新型旋转电极等离子体反应器,对辉光等离子体作用下的甲烷偶联反应制C2烃进行了研究。结果表明,甲烷偶联反应的主要产物为C2H2,占C2烃的80%以上,能量效率在5.6%~11.2%之间;增加H2含量可以提高CH4转化率和C2烃收率;在500~2200kJ•mol−1的能量密度范围内,CH4转化率随能量密度的增大而线性增加,C2烃收率随着能量密度的增加呈峰形变化趋势。 相似文献
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本文研究了高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心光致发光谱带的影响。首次在高掺杂ZnSe:Ga,Cu中观察到了Cu-G带峰值位置随Ga浓度增大向长波方向移动的现象,并把它归因于高浓度的Ga和Cu相互作用,产生了谱峰为5580Å的新发射带,其半高宽(FWHM)大于Cu-G谱带的半高宽。此外还得到,随着Cu浓度增加,Cu-G带与Cu-R带强度之比减小。文中指出,Ga浓度较低时,ZnSe:Ga,Cu晶体与ZnSe:Cu晶体有相同的Cu深中心发射规律,即随着Cu浓度增大,Cu-G带与Cu-R带的强度比增大,由Cu-R发射带占优势逐渐过渡到Cu-G发射带占优势。 相似文献
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三、界面态连续体的动态响应和分布多年来的大量研究结果表明把界面态处理为局域在半导体界面平面处的经典理论完全不能够解释化合物半导体-绝缘体界面的行为特点,从而使人们逐渐认识到界面态的空间分布特征.图3为半导体界面的能带结构示意图.在实际的I-S界面上,界面态是在绝缘体-半导体界面附近,在能量上和空间上的连续分布体(如图中点所示). 这里以n型半导体为例,通过绝缘体中的界面态对电子的捕获和发射过程说明界面态动态响应的特点.由于势垒△Ec的存在,空间分布的界面态与电子的作用只能依介量子力学的隧道效应得以进行. 相似文献
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本文导出了考虑外场和束流效应后束流均方根发射度平方变化方程的一般表达式,并就仅考虑外场,仅考虑空间电荷场和仅考虑尾场等三种特殊情况进行了分析。 相似文献
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利用BUU模型模拟核-核碰撞36Ar+108Ag(35Mev/u)、14N+108Ag(35MeV/u)中的平衡前中子发射.模拟结果与唯象的运动源拟合给出的中等速度源成份相吻合.这说明中等速度源成份产生于核-核碰撞的早期,对应平衡前发射.并从级联碰撞的角度定量地研究了平衡前发射的持续时间 相似文献
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HL-1装置中LHCD和等离子体参数的关系 总被引:1,自引:1,他引:0
本文研究了在HL-1托卡马克的不同放电阶段的低混杂波驱动特性。给出了驱动电流及驱动效率和等离子体参数,如电子平均密度ne、等离子体电流Ip及纵向磁场的关系。也给出和分析了波驱动和入射波功率的关系。在放电平段,对正反向驱动效率进行了研究和比较。 相似文献