点到直线的距离

空间解析几何的教学中 ,空间点、直线、平面之间的关系是学习的一个重点。点和直线的位置关系包括两种 :点在直线上 ,点在直线外。当点在直线外时 ,点到直线距离的计算随之出现。笔者在教学中发现 ,这一问题的解决可以涵盖空间解析几何教学中两点间距离、向量运算、直线方程、平面方程等诸多知识点。下面以一具体例题说明。例　求点 A( 2 ,4,1 )到直线 L:x+12 =y2 =z-2-3 的距离。解法一　先求过 A点与直线 L垂直的平面方程 .用点法式 ,得2 ( x -2 ) +2 ( y -4) -3 ( z -1 ) =0即 2 x +2 y +3 z -9=0 .　　将直线方程用参数方程表示为x =2…     

半导体量子点及其应用(Ⅰ)

量子点，又称“人造原子”，它是纳米科学与技术研究的重要组成部分，由于载流子在半导体量子点中受到三维限制而具有的优异性能，构成了量子器件和电路的基础，在未来的纳米电子学、光电子学，光子、量子计算和生命科学等方面有着重要的应用前景，受到人们广泛重视，文章分为Ⅰ、Ⅱ两个部分：第Ⅰ部分介绍了半导体量子点结构的制备和性质；第Ⅱ部分介绍了量子点器件的可能应用。     

Improved Performance of Solid-State Gratzel Solar Cell by Cosensitization of Quantum Dot and Dye

We report a new cosensitization utilizing quantum dot (QD) PbS and Cis-(SCN)2Bis(2,2‘-bipyridyl-4,4‘-dicarboxylate) ruthenium (N3) dye on the nanoporous Ti02 film. Solid-state Gratzel solar cells with the cosensitized films show an improved overall efficiency by 200% relative to the cells assembled with only N3 sensitization and an extremely high open-circuit voltage of 840mV, and a fill factor of 70.5~. Back reaction characteristics of the above cells are also investigated, demonstrating a great suppression of recombination due to cosensitization. It seems that the cosensitization also facilitates the electron injection into the conduction band of TiO2.     

泛代数的二次扩张

在本文中引入了泛代数的二次扩张的概念，解决了ＴＵ－ＥＣ（Ａ）和ＵＴ－ＥＣ（Ａ）的存在、真类和基数问题，范畴ＴＵ－ＥＣ（Ａ）（及ＵＴ－ＥＣ（Ａ）），并得到了有关二次扩张的几个同构定理，还对一点二次扩张作了讨论。     

日本教科书的审定制度

在日本，所有的学生直到第十二年级，都必须购买他们所在学校学习的各门教科书。对于小学生(从一年级到六年级)，由教育部(MOE)购买教科书免费分发给他们。许多出版公司出版了多种版本的教科书，例如，七家出版公司新出版了教学计划规定学科之一的十种不同版本的高中《物理学1B》教科书。     

带有势的Schrdinger方程解的点态收敛性

本文将考虑Schrdinger方程:的解沿光滑曲线r(x,t)的点态收敛性,从而部分改进了[3],[5]和[8]的结论。     

复共线影响点的主成分诊断

本文给出了复共线影响点的主成分诊断准则，举例说明了所给准则的有效性。     

基于第二类Chebyshev多项式零点的Pal-型插值多项式的逼近

设{x_k}_(k-0)~n是n 1次多项式U_n(x)=(1-x~2)U_n(x)的零点,其中U_n(x)是第二类Chebyshev多项式。设是的零点。根据Pal的插值理论,对函数f∈C~1[-1,1],存在唯一的2n 1次多项式满足条件: 本文研究用Pal型插值多项式对函数f∈C~r[-1,1](r≥1)和它的导函数的逼近。     

插值多项式对解析部分的收敛估计

设D是单位圆{z||z|<1},T为单位圆周{z||z|=1}.对于f∈C(T),我们记L_n(f,z)为在n 1次单位根{e~(2kπ/n 1)i}~n_k=0上对f(z)的n次插值多项式.自然的L_n(f,z)在D内解析,因此,当f不能解析延拓到D内时,就不可能保证L_n(f,z)一致收敛于f.甚至,存在着f∈C(T),且f是某个D内解析函数的边值,但L_n(f,z)在T上发散.     

InAs/GaAs自组织量子点的DLTS谱

将DLTS用于对InAs/GaAsQD结构样品的测量,测定了QD能级发射载流子的热激活能;获得了QD能级俘获电子过程伴随有多声子发射(MPE)、QD能级存在一定程度的展宽、以及在某些特定的生长条件下,存在亚稳生长构形的实验证据.结果表明:DLTS在QD体系的研究中有其特有的功能