串联组装双C60 的电子结构和输运特性

利用第一原理密度泛函理论计算组装C60形成能和电子结构,用半经典隧穿理论研究了串联C60的电子输运特性。结果显示：六边形对六边形双C60比边对边双C60稳定;库仑阻塞与系统的结构密切相关,并且只有阴极结比阳极结窄时,才会出现库仑阻塞;低温时出现非常明显库仑台阶,温度较高时其被热效应抑制。     

泛代数的二次扩张

在本文中引入了泛代数的二次扩张的概念，解决了ＴＵ－ＥＣ（Ａ）和ＵＴ－ＥＣ（Ａ）的存在、真类和基数问题，范畴ＴＵ－ＥＣ（Ａ）（及ＵＴ－ＥＣ（Ａ）），并得到了有关二次扩张的几个同构定理，还对一点二次扩张作了讨论。     

关于分离性和同胚关系的一些推广

1963年Norman Levine引入了半开集和半连续函数的概念。1972年S.Gene Crossley等又引入不定函数和前半开函数,定义了半同胚,讨论了一系列的半拓扑性质。以后出现了不少有关半开集和半同胚方面的论文。作者拟在这里进一步引入两类分离性和几种新的同胚,并且指出在一定意义下有些名称应当改变。 首先,我们在这里利用半开集,产生一种分离手段——半开集分离性,从而定义一系列新的拓扑空间,它们之间及它们与T_(i-)型拓扑空间(i=0,1,2,3,4)之间有着一定的联     

S-分离性

自一九六三年Norman Levine引入半开集以来,特别是半拓扑性质和S-闭空间等概念被引入以来,一般拓扑学在这一范围内出现了大量的论文(见[3,5—8]),提出了不少新思想、新概念及新结果。作者在[11]中提出了S-分离性的概念,在本文中则作进一步的讨论,得到一系列有趣的结果。     

BCI-代数自然半序的几个问题(Ⅰ)

本文中对 BCI-代数的自然半序的几个问题作了一些讨论,得到关于 BCI-代数的自然半序和极小元的一些结果,特别是比较重要的极小元存在定理。利用这些结果作者们分别对广义结合性、结合性、具有散子代数性质、具有条件(S)的性质和 BCK 性作了讨论,分别得到了一些结果。     

Effect of Pressure on Electronic Structures and Optical Properties of Rocksalt InN

用基于密度泛函理论的第一性原理结合广义梯度近似研究了高压下盐岩相InN的电子结构和光学性质. 计算得到的晶格常数与实验值非常吻合,并发现Γ和X的带隙随压力增加而增大,而带隙在L点却并不明显. 计算出Γ点的带隙的压力系数是44 meV/GPa. 讨论计算得到的InN的光学性质,结合能带结构和电子态密度.     

串联组装双C60 的电子结构和输运特性

利用第一原理密度泛函理论计算组装C60形成能和电子结构,用半经典隧穿理论研究了串联C60的电子输运特性。结果显示：六边形对六边形双C60比边对边双C60稳定;库仑阻塞与系统的结构密切相关,并且只有阴极结比阳极结窄时,才会出现库仑阻塞;低温时出现非常明显库仑台阶,温度较高时其被热效应抑制。     

BCH-代数的子代数(Ⅰ)

在日本数学家Iseki,K.教授等引入的BCK-代数和BCI-代数的基础上,作者在1981年引入了较之更广的BCH-代数,1983年作者和李新发表了介绍BCH-代数的文[3]。现在,作者对BCH-代数的子代数作些讨论,有关的概念见[7]。我们对BCH-代数的一切子代数的集合SA(X)的结构作些讨论。     

范畴BCI的子范畴

一切 BCI -代数和 BCI-代数间的同态映射作成范畴(?).(?)有很多子范畴.下面的一般结果使验证子范畴的工作迎刃而解。定理1 设 P 是 BCI-并数的一个性质.如果具有性质 P 的 BCI-代数存在,那么一切具有性质 P 的 BCI-代数和它们间的同态映射作成一个范畴,称为具有性质 P 的 BCI-代数范畴,且记为(?).(?)的子范畴并不仅仅由性质所产生,我们进一步有下列:定理2 (?)的一切子范畴作成一个真类。     

具有散有限半序性质的BCI—代数

自日本数学家K.Iseki于一九六六年引入BCI-代数(见[1])以来,尤其是K.Iseki在一九八0年对BCI-代数理论做了一系列奠基工作(见[2-8])以来,BCI-代数理论的研究工作有了很大发展,取得了许多成果。在BCI-代数理论中一些类的研究一直是研究的主要方向之一。本文中作者要引入一类新的BCI-代数,使得BCI-代数类[9-10]、结合BCI-代