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用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。 相似文献
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Effect of Ag Doping on Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Films 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
ZnO thin films were prepared on p-type Si (100) substrates by the sol-gel process. The influence of Ag doping at a content of 0.002% on the photoluminescence and current-voltage (I - V) characteristics of ZnO thin films has been investigated. It is found that Ag doping leads to a pronounced increase in the intensity of near band edge emission at 3.23eV and a remarkable red shift of the visible broadband at room temperature. The I - V characteristics of ZnO/p-Si heterojunctions are also changed. These results could be explained by Ag substituting for Zn in Ag doped ZnO thin films. 相似文献
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毛善成 《南昌大学学报(理科版)》2004,28(2):154-156,160
在pH9.0的NH3·H2O-(NH4)2SO4缓冲介质中,RE(Ⅲ)-TP的络合吸附波的波高与RE(Ⅲ)的浓度在0-10μg/mL间成线性。该方法的相对标准偏差2.23%,回收率99.51%-103.38%,用于硫酸稀土复盐母液中微量稀土总量测定,结果满意。 相似文献
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高温等离子体系统中存在等离子体流体力学运动演化过程、离子的离化分布演化动力学过程、高剥离态离子谱发射过程及发射芬光辐射输运过程等,而且高温等离子体系统通常是非平衡系统,所以定量研究高温等离子体系统的发射X光谱和高温等离子体对X光的吸收是一个非常复杂的问题。为了模拟和解释实验测得的激光等离子体发射光谱,提出了一种薄埋点靶:直径为φ200μm厚度为0.1μm的铝点埋在20μm厚的CH膜底衬中,表面再覆盖0.1μm厚CH膜。 相似文献
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能谱法和催化光度法测定无机纤维中铁含量的比较研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了铁(Ⅲ)在酸性介质中催化抗坏血酸(Vc或H2A)还原4-硝基-3’-甲基-氨基偶氮苯的褪色反应,拟定了反应的最佳条件,探讨了反应机理,建立了催化动力学测定痕量铁的新方法,该方法的检出限为2.98×10~(-11)g·mL-1,线性范围为0-200 ng·(25 mL)-1。比较了X射线能量色散谱法和催化光度法在玄武岩纤维样品中铁含量的测定,结果误差为2.89%。 相似文献
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