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光学光刻是目前超大规模集成电路(VLSI)制备中主要的微米和亚微米的图形加工技术,这一技术将继续保持其主导地位成为90年代VLSI发展的关键。本文综述了近年来光学光刻工艺的发展,主要介绍了G线(436nm)、Ⅰ线(365nm)和准分子激光光刻的现状,并对实现高的光学光刻分辨率所必须解决的透镜设计、套准精度和像场面积等问题作了详细描述。最后展望了发展方向、 相似文献
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时分复用倍乘光脉冲重复率的新型光纤耦合器环状连接法分析 总被引:2,自引:0,他引:2
提出并详细分析了一种基于时分复用技术倍乘光脉冲重复率的方法:在2×2光纤耦合器的一个输入口与一个输出口间,接入时延为脉冲列半周期奇数倍的一段光纤使之形成环状连接循环耦合,而在另一输出口获得光脉冲。详细分析了该系统中光纤耦合器耦合比、插入损耗、时延光纤长度的要求,偏差的影响及其调节法,给出了理论公式、结果的计算机模拟与实验介绍;与经典的马赫陈德尔干涉仪接法及近年提出的Sagnac环接法进行了比较。该方法特别适用于对窄脉冲列进行串接复用实现重复率的多次倍乘,从而得到数千兆赫至上百千兆赫的高重复率光脉冲 相似文献
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