TS3000总硫分析仪分析低压力硫化氢的研究

通过时TS3000 总硫分析仪气体进样模块的简单改装,利用仪器的富集功能,使其可以分析由质量流量控制器原理发生的低含量、低压力的硫化氢气体,解决了TS3000 总硫分析仪不能检测压力较低样品的难题.对不同含量硫化氢样气体的分析结果表明,改装后的仪器仍具有很好的线性及准确度,同时验证了仪器改装方法的可行性.     

从“镍效应”到低压聚乙烯：纪念低压聚乙烯问世40周年

一在众星闪烁的诺贝尔奖获得者之中,德国化学家齐格勒(Karl Ziegler)是一颗光彩照人、耀眼夺目的巨星。     

生长温度对In0.53Ga0.47As/InP的LPMOCVD生长影响

利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xAs材料，获得表面平整．光亮的In0.53Ga0.47As外延层。研究了生长温度对InxGa1-xAs外延层组分、表面形貌、结晶质量、电学性质的影响。随着生长温度的升高，为了保证铟在固相中组分不变，必须增加三甲基铟在气相中的比例。在生长温度较高时，外延层表面粗糙。生长温度在630℃与650℃之间，X射线双晶衍射曲线半高宽最窄，高于或低于这个温度区间，半高宽变宽。迁移率随着生长温度的升高而增加,在630℃为最大值，然后随着生长湿度的升高反而降低。生长温度降低使载流子浓度增大，在生长温度大于630℃时载流子浓度变化较小。     

Novel Oxygen Storage Components Promoted Palladium Catalysts for Emission Control in Natural Gas Powered Engines

A three-way catalyst comprised novel oxygen storage components for emission control in natural gas powered engines was prepared. The addition of novel oxygen storage components to the Pd/γ-Al2O3 catalysts resulted in improved activities of the fresh and aged catalyst by lowering the light-off temperature for methane in natural gas engines exhaust.     

LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究

用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法在GaAs(100)衬底上生长了(ZnCdTe，ZnSeTe)／ZnTe复合量子阱结构。测量了生长样品的光致发光(PL)谱，得到两个发光峰(记为Il，I2)，分析认为高能侧的峰为Zn0．9Cd0．1Te浅阱峰，而低能侧的峰为ZnSe0．2Te0.8深阱层的发射。对样品进行了变激发强度的PL谱测量，当激发强度增加时，PL谱中两个发光峰的比值(I2／I1)开始时迅速增加，然后缓慢减小。这是由于浅阱中的电子和空穴隧穿入深阱中导致空间电荷的分离，从而在复合量子阱结构中产生了一个内建电场所引起的。     

内部烟气再循环式小型天然气炉内NOx排放的研究

本文采用实验和数值模拟方法对内部烟气再循环式小型天然气炉内氮氧化物的排放进行了研究.探讨了炉膛中加装的一种中心圆筒结构对炉内烟气再循环流动及NOx排放的影响.研究结果表明,中心圆筒的存在可以使氮氧化物的排放有所降低.与不加装中心圆筒的工况相比,加装中心圆筒后炉内NOx的排放随过晕空气系数的变化较弱.炉内加装中心圆筒后,烟道入口处的温度降低,这表明中心圆筒的存在强化了炉壁的散热,从而降低了排烟温度.     

Improvement of Properties of p-GaN by Mg Delta Doping

The Mg-delta-doped GaN structure has been grown by low-pressure metalorganic chemical vapour deposition.The Hall-effect measurements reveal that the electrical properties are enhanced. The hole concentration is enhanced twice and hole mobility is enhanced three times by Mg-delta doping. Both the etch pit density data and the x-ray diffraction data demonstrate that Mg-delta doping can reduce the threading dislocation density of p-type GaN epilayer.