UNCOOLED GaInAsSb INFRARED DETECTORS GROWN BY METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

The GaInAsSb as one of the most important semiconductor alloy systems for infrar ed detectors is well established. Samples of GaInAsSb alloys have been grown by atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition on n-GaSb (Te-doped ) substrates. The properties of GaInAsSb layers were characterized by single-crystal X-ray diffraction, doublecrystal X-ray rocking curve and scanning elec tron acoustic microscopy. The spectral responses of p⁺-GaInAsSb/p-GaInAsSb/n-GaSb detectors showed cut-off wavelength at 2.4μm,detectivity D=1.2×10⁹ cmHz^0.05/W at room temperature,and quantum efficiency 40%.     

在a-平面蓝宝石衬底上分子束外延生长的ZnO和ZnMgO材料结构和光学性质(英文)

氧化锌材料是新一代宽禁带光电子半导体材料,我们通过等离子体分子束外延设备,在a plane的蓝宝石衬底生长了高质量的氧化锌外延材料。在生长过程中用反射高能电子束衍射仪(RHEED),在位地研究了生长时材料薄膜的表面形貌。通过调节ZnMgO材料镁的组份,生长了禁带宽度可调的宽禁带材料。用紫外-可见透射光谱研究了ZnO,Zn0.89Mg0.11O和Zn0.80Mg0.20O薄膜材料的透射和吸收光谱性质,观察到Zn0.89Mg0.11O,Zn0.80Mg0.20O材料的吸收边的蓝移现象等。以上说明了我们用分子束外延生长 收稿日期:2003 07 22·09·　　第1期StructuralandOpticalCharacterizationofZnOandZnMgOFilmsona-planesapphiresbyMolecularBeamEpitaxy2004年设备成功的生长了高质量的氧化锌和组份渐变的ZnMgO薄膜材料。     

MBE生长的垂直堆垛InAs量子点及HFET存储器件的应用

用MBE设备以Stranski-Krastanov生长方式外延生长了5个周期垂直堆垛的InAs量子点，在生长过程中通过对量子点形状，尺寸的控制来提高垂直堆垛InAs量子点质量和均匀性，用原子力显微镜（AFM）进行表面形貌的表征，并利用光致发光（PL）和深能级瞬态谱（DLTS）对InAs量子点进行观测。所用Al0.5Ga0.5As势垒外延层，对镶嵌在其中的InAs量子占粗很强的量子限制作用，并产生强量子限制效应，可以把InAs量子点的电子和空穴能级的热激发当作“深能级”的热激发来研究，这样可用DLTS方法进行测量，在垂直堆垛的InAs量子点的HFET器件中，由充电和放电过程的IDS－VGS曲线可以看到阈值电压有非常大的移动，这样便产生存储效应。