107Ag(n,2n)106mAg反应截面测量

本文报告了E_n=13.50—14.73MeV中子能区用活化法以²⁷Al(n,2)²⁴Na截面为中子注量标准得的¹⁰⁷Ag(n,2n)^106mAg的反应截面.在E_n=13.50,13.60,13.90,14.10,14.35,和14.73MeV处的截面分别为469±22,480±22,503±24,538±25,555±25和572±26mb.在文中还列举了一些国外已发表的截面数据以作比较.中子能量用铌锆活度比法测定.     

中微子层出不穷de神秘故事

 在基本粒子的大家庭里,没有任何一个粒子,象中微子那样,那么令人不可捉摸,那么令人困惑,而又那么地充满生机.它伴随着整个近代物理的发展,引出一系列层出不穷的神秘故事.一、中微子的生日要考证中微子的生日,不是一件容易的事.最早的可信证据,是一九三○年十二月四日,当时年仅三十岁的泡里,在给图宾根的“从事放射性工作的女士们和先生们”的一封信中提及.在这封信中,为了解释β衰变丢失的能量以及所谓的“氮的危机”,泡里提出了关于存在一种探测不到的粒子的假设.     

厚活化箔群截面的加工制作方法

在利用活化法进行中子能谱的测量过程中，需要使用活化探测箔的多群截面。许多时候，由于设备、装置本身所能提供的中子注量率水平非常低，为了在合理的时间内使活化箔活化后的活度达到一定水平，需要采用较厚的活化箔。而目前在原始评价截面数据库来源中，都是ENDF格式的数据库。为此，需要首先将此ENDF格式的数据库转化为无限稀释多群截面，然后根据实验所采用的活化探测箔的厚度，将此无限稀释多群截面转换为解谱所需的相应厚度的活化箔多群截面。     

混沌信号发生器

本给出一种用普通的电阻、电容和运算放大器实现的非自治混沌信号发生器电路。适用于进行混沌理论的演示实验教学。     

用于中子位置灵敏探测器的SiPM性能研究

为满足中国散裂中子源(China Spallation Neutron Source,CSNS)工程材料衍射谱仪的探测器需求,CSNS探测器组设计并研制了基于硅光电倍增管(Silicon Photomultiplier,SiPM)读出的闪烁体探测器。本工作针对该探测器,选取了Sensl MicroFJ-30035-TSV和Hamamatsu S13363-3050NE-16两种型号的SiPM,开展了其击穿电压、增益、温度特性、暗计数率等关键性能的测试。测试结果显示,两者单光子分辨能力,增益、暗计数率等性能均可满足当前闪烁体探测器需求,相同过偏压下,前者增益高于后者,且Hamamatsu SiPM增益对温度更敏感。测试了两SiPM的温度补偿系数分别为22.0 mV/℃(Sens1)和53.6 mV/℃(Hamamatsu),为后续SiPM温度补偿电路设计奠定了基础。利用研制的探测器工程样机,在CSNS BL09下测试了两种SiPM读出的探测器对2.8 ?中子探测效率分别为76%和68%,为目标探测器及同类型探测器的SiPM选型提供了参考。     

核计算技术在核测井中的应用

本文介绍了核计算技术在核测井中的应用概况及其具体应用实例。