全文获取类型
收费全文 | 3756篇 |
免费 | 1339篇 |
国内免费 | 836篇 |
专业分类
化学 | 1250篇 |
晶体学 | 77篇 |
力学 | 580篇 |
综合类 | 93篇 |
数学 | 744篇 |
物理学 | 3187篇 |
出版年
2024年 | 21篇 |
2023年 | 106篇 |
2022年 | 95篇 |
2021年 | 113篇 |
2020年 | 80篇 |
2019年 | 116篇 |
2018年 | 82篇 |
2017年 | 111篇 |
2016年 | 132篇 |
2015年 | 190篇 |
2014年 | 334篇 |
2013年 | 229篇 |
2012年 | 291篇 |
2011年 | 291篇 |
2010年 | 281篇 |
2009年 | 303篇 |
2008年 | 338篇 |
2007年 | 281篇 |
2006年 | 314篇 |
2005年 | 298篇 |
2004年 | 283篇 |
2003年 | 234篇 |
2002年 | 172篇 |
2001年 | 179篇 |
2000年 | 149篇 |
1999年 | 134篇 |
1998年 | 135篇 |
1997年 | 113篇 |
1996年 | 87篇 |
1995年 | 68篇 |
1994年 | 72篇 |
1993年 | 54篇 |
1992年 | 53篇 |
1991年 | 56篇 |
1990年 | 49篇 |
1989年 | 45篇 |
1988年 | 11篇 |
1987年 | 18篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 3篇 |
1984年 | 2篇 |
1983年 | 2篇 |
1982年 | 3篇 |
1979年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
排序方式: 共有5931条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
要对聚能和流场的剧烈变化进行模拟,欧拉方法具有明显的优势。而在这些方面的研究中,所涉及的流场十分复杂,为达到所需的计算精度,必须采用很密的网格才能以较好的分辨率去模拟流场的剧烈变化部分和介质的界面,特别是大空间尺度流场局部细节的数值模拟,有些问题如果用统一网格计算,即使最快的计算机也不能提供足够的分辨率。所以目前计算机的内存和速度限制了整个计算区域的网格细分程度,对计算区域作局部的网格自适应细分、用大的动态空间分辨率划分流场是必要的和迫切的。 相似文献
72.
73.
CunLiuZHOU YuQingZHOU ZhiYongWANG 《中国化学快报》2003,14(4):355-358
The chemoselective addition of aldehydes in aquoues medium was obtained under mild condition using improved Henry reaction. 相似文献
74.
75.
在流体力学数值模拟中,最基本的有Lagrange方法和Euler方法。Lagrange方法可用来计算多介质系统,能够刻划多介质界面,但网格的扭曲,翻转,长宽比失调等网格大变形是一个突出问题。在Euler方法中,计算网格是固定的,但是,当系统中包含多种介质时,一定会出现在一个Euler网格中包含多种介质的情形,网格中的物理量的处理比较困难。为提高精度.一般将Lagrange方法和Euler方法结合。这时网格最优问题是一个重要的内容。 相似文献
76.
研究了在均匀分层介质中构成标准矢量波函数的必要条件。研究结果表明在均匀分层介质中构成标准矢量波函数一般需遵循Morse-Feshbach判据外,领示矢量只能选取与折射率变化方向一致的那根坐标轴单位矢量。但在某些特定的条件下,对领示矢量的选取条件可以放宽为只需遵循Morse-Feshbach判据即可。 相似文献
77.
给出了随机环境中马氏链的特征数和状态的定义,讨论了状态间的传递性,自反性,对称性,是经典马氏链相应结果的一般化.并运用位势方法研究了状态间的关系,它们在极限理论的研究中非常有用. 相似文献
78.
本文讨论一般非均匀凸介质所确定的迁移算子的本征值的分布问题,利用Hilbert空间的H算子理论,完整地解决了一般非均匀凸介质中迁移算子本征值的分布问题,若{λn}n=1^∞是迁移算子本征值的一种计数,我们证明了Σ↓n=1↑∞e^6Reλnτ〈+∞,其中τ是粒子的最大逃逸时间,并对本征值的发散程度以及本征值的个数函数作了相应的讨论。 相似文献
79.
本文主要论述了0.5MeV,单能垂直入射的电子束在三种不同密度的氟化氪准分子激光介质中的能量沉积。计算是采用Monte Carlo方法的MCSED程序,光轴方向采用周期性边界条件,因此能够给出平行于和垂直于电子束入射方向的沉积能量的空间分布。本文给出了在三种不同密度下的出射电子的角分布。用该程序对垂直入射的,初始能量为1MeV的电子在半无限大Al靶中的沉积能量的计算结果与ONETRAN程序的结果及实验结果的比较表明MCSED程序的计算结果是可靠的。 相似文献
80.
采用气相沉积技术在Si衬底上生长了Zn-Zn2SiO4芯-壳结构纳米同轴线阵列。根部呈笋状的纳米同轴线,直径约100nm,长度可以超过10μm;同轴线芯直径约50nm、壳层厚约25nm。通过X射线衍射的表征以及能量色散谱的线扫描,确定纳米同轴线的芯为Zn,壳层为Zn2SiO4。我们提出了一种新的生长机制,同时也为生长均匀的纳米同轴线提供一种新的技术。观察阴极荧光谱发现,纳米同轴线有三个主要发光带:强度最大的中紫外300nm发光、较弱的可见光区560nm以及红外谱区865nm的发光。对纳米同轴线截面的300nm发光峰观测发现,中紫外发光来源于Zn2SiO4壳层。正是这种同轴线的结构,使得其具备特殊的光学性质。 相似文献