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91.
本文基于密度泛函理论,计算了Fe(CF3SO3)2/PP3催化乙酰丙酸乙酯与甲酸反应转化为γ-戊内酯的反应机理。分析了单重态和三重态反应路径的热力学和动力学性质,结果表明除了预催化剂活化出现势能面交叉外,反应主要在三重态势能面上进行,包括以下几个步骤:甲酸盐配位方式重置,β-H消除得到活性催化剂[FeH(PP3)]+,接着乙酰丙酸乙酯的羰基碳和羰基氧接连被质子化得到中间体4-羟基戊酸乙酯,最后质子化的反离子CF3SO3H作为氢转移梭子协助分子内脱醇—关环生成目标产物γ-戊内酯。进一步探讨不同金属苯基膦配合物的催化活性,证实金属适宜的配位能力是筛选催化剂的关键。理论计算结果为优化设计高性能的生物质转化催化剂提供一定的理论指导。 相似文献
92.
差分脉冲伏安法同时测定α-山竹黄酮和γ-山竹黄酮 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了α-山竹黄酮和γ-山竹黄酮在玻璃碳电极上的电化学行为,研究了pH和静置时间等因素的影响,探讨了α-山竹黄酮和γ-山竹黄酮在玻璃碳电极上的氧化机理,建立了差分脉冲伏安法同时测定α-山竹黄酮和γ-山竹黄酮的方法。在pH 3.1的BR缓冲介质中,α-山竹黄酮在0.822 V产生灵敏的氧化峰,γ-山竹黄酮在0.426 V和0.700 V产生灵敏的氧化峰。对α-山竹黄酮,相应的氧化峰的峰高与浓度在5.00×10-6mol/L~2.00×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系,线性相关系数为0.9950;对γ-山竹黄酮,其在0.426 V氧化峰的峰高与浓度在2.00×10-5mol/L~6.00×10-4mol/L浓度范围内呈良好的线性关系,线性相关系数为0.9904。该方法测量2.00×10-4mol/L的α-山竹黄酮和γ-山竹黄酮相对标准偏差分别为3.3%和4.1%(n=10)。 相似文献
93.
采用傅里叶变换红外光谱(卷积谱)法对经不同剂量y-射线核辐照的三七总皂苷粉进行了对比研究.辐照剂量不高于9kGy时,三七总皂苷粉样品的化学成分几乎没有发生变化;三七总皂苷粉样品经15kGy及以上的辐照剂量辐照后,可能产生新的化学成分;经21kGy的剂量辐照,三七总皂苷粉产生了人参、三七粉所含的普通成分(非三七总皂苷成分... 相似文献
94.
本文介绍了利用康普顿背散射 (BCS)产生γ射线的原理 ,并以SSRF储存环电子运行参数为例 ,给出了利用BCS方法产生MeV量级γ射线束的计算结果 ,预期该光子束具有高强度、高极化度、单色性、方向性好等优点。同时对国际上已运行和拟建的高能和低能γ束线站的装置和性能作了简要介绍 ,并分别探讨了高能和低能准单色极化γ射线在核物理和核天体物理研究中广泛的应用前景。文中对基于正对以及离轴几何条件下 ,采用直线加速器加速的电子同短脉冲强激光发生Compton/Thomson散射的激光同步辐射源作了初步探讨 ,这一方法为我们构建超短脉冲的高亮度、准单色、可调谐的X γ射线源开辟了一条新途径。 相似文献
95.
本文从FPGA器件内部最基本的CMOS单元出发,分析了器件功能失效时反相器输出波形随累积剂量的变化关系,进而研究Altera SRAM型FPGA器件60Co γ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应.实验结果表明:由于场氧漏电和结构漏电的影响,随着累积剂量的增加输出波形发生畸变,峰峰值变为原来的十分之一左右,但输出波形还有相对的高低电平;同时,输出高电平不能保持原有的状态,迅速地向低电平转换,并且转换速度随着累积剂量的增加而加快,输出低电平相对初始值有一定程度抬高;由于栅氧厚度变薄,输出波形
关键词:
60Coγ')" href="#">60Coγ
总剂量辐射损伤效应
SRAM型FPGA
CMOS单元 相似文献
96.
97.
Fanky极大极小不等式的进一步推广及对变分不等式的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
本文引出广义KKM映象的概念,其包含著名的KKM映象为特例.借助于这一映象,我们给出著名的KKM定理和Fan Ky极大极小不等式以一种新的推广形式.作为应用,我们考虑了变分不等式解的存在性问题.本文结果是引文[1~6]中相应结果的改进和发展. 相似文献
98.
99.
液相合成γ—丁内酯新型催化剂 总被引:2,自引:0,他引:2
液相合成γ┐丁内酯新型催化剂林衍华*骆有寿(浙江大学二次资源化工国家专业实验室杭州310027)关键词γ-丁内酯,1,4-丁二醇,Cu-Zn-O催化剂,绿铜锌矿1996-12-04收稿,1997-06-06修回γ-丁内酯是一种精细化学品,用作高沸点、... 相似文献
100.
采用射频(13.56 MHz)反应溅射方法制备a-SiC:H 薄膜,并将其在空气中进行高能γ射线(平均为1.25 MeV)辐照,5个样品的吸收剂量分别为0,2×104,4×104,6×104,8×104 Gy。采用拉曼及红外光谱对薄膜的结构进行表征,得到了其结构与特性的变化规律。研究与分析表明:随样品吸收剂量的增加,陷入空穴中的电子会被激发,a-SiC:H薄膜中的SiC成份增加,电阻率变小,数量级为105Ω·cm;薄膜存在结晶化的趋势,其主要原因在于由Si-O-Si键断裂而产生的Si取代膜中C-C键中的C而形成晶态SiC,在此过程中出现了Si-O-Si键及a-SiC:H的减少,晶态SiC的增加。经γ射线辐照后薄膜的氢含量降低,折射率从5.19增大到5.53,辐照后薄膜的透过率均低于原膜的透过率。在500~2 300 cm-1(对应波长为20.00~5.29 μm)波段内,a-SiC:H薄膜存在一定的增透作用。 相似文献