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91.
J. E. Fischer E. Werwa P. A. Heiney 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》1993,56(3):193-196
We have used both reflection-geometry and grazing-incidence-geometry X-ray scattering to study thin films of C60 evaporated onto mica substrates via a hot-wall technique. The growth mode yields close-packed C60 planes, which are parallel to the substrate surface and which exhibit out-of-plane correlation lengths of 850 Å. In the film plane the C60 is at best pseudo-epitaxial, with a 0.9° distribution of crystallite orientations, a 450 Å in-plane correlation length, and a 3.7% lattice mismatch, better than obtained by other thin film techniques but far from the accepted definition of single crystal thin film epitaxy. 相似文献
92.
93.
本文研究作为双层桥模型的梁方程耦合系统,利用Leray-Schauder不动点定理,得到了一个关于这种系统的解的存在性定理,它类似于McKenna和Walter文2中关于吊桥方程的一个定理。 相似文献
94.
95.
96.
V. Palyok I.A. Szabó D.L. Beke A. Kikineshi 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2002,74(5):683-687
Surface relief formation at holographic recording on amorphous selenium films was demonstrated and investigated. The presence
of this optical phase modulation component is essential for ensuring significant, stable and erasable optical recording in
a-Se films at 290–320 K temperatures, where conventional photodarkening was known as insignificant and unstable. Photocrystallization
can only be observed in super-exposed a-Se films at the given experimental conditions of hologram recording. Erasing behavior
of surface relief gratings under heat treatment was also investigated in order to reveal further details of the mechanism.
Photoinduced structural transformations within the amorphous phase, connected to local ordering under the condition of light-induced
fluidity, are proposed as an explanation for the relief formation and erasing. The observed reversible optical recording process
may be useful for the various optoelectronic applications of photoconductive a-Se layers.
Received: 12 June 2000 / Accepted: 6 June 2001 / Published online: 30 August 2001 相似文献
97.
采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及 其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会 产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态 密度.其次,表面原子的态密度更靠近费米能级(EF),价带往低能量处移动,并 有表面态产生.计算结果表明了t-HfO2表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO2(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位 数减少,表面原子周围的环境发生变化而引起的.
关键词:
密度泛函理论
2(001)')" href="#">t-HfO2(001)
表面电子结构 相似文献
98.
通过建立具有平面近横向各向异性场的非晶态合金薄带及膜的磁畴结构模型,利用线性化Maxwell方程组及Landau-Lifshitz方程,推出了在高频交变磁场及外加面内轴向直流磁场Hex作用下的铁磁材料的与取向相关的磁导率表达式,得到了对方位角平均的相对磁导率及阻抗的计算式,导出了磁导率与张量磁化率分量间的关系,对材料磁导率的实部及虚部随Hex的变化进行了计算,并给出了对应的磁谱图.建立的磁导率与外磁场的理论关系可将Panina及Kraus给出的理论结果统一起来.
关键词:
非晶态合金薄带及膜
取向相关磁导率
GMI效应理论与计算
近横向各向异性场 相似文献
99.
100.
针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R□为100—300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic
关键词:
二氧化钒
电阻温度系数
氧分压
射频反应溅射法 相似文献