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11.
面缺陷是纳米带中非常普遍和非常重要的一类缺陷。在有些情况下,面缺陷对于高表面能指数面的出现起着决定性的作用。同时。它们可以诱导纳米带沿着特殊的方向生长。面缺陷可以是孪晶或双晶,层错和由杂质原子聚集在特定原子面所形成的间隙原子层。在本文中。利用透射电子显微术,我们将介绍氧化锌纳米带中被发现的几种面缺陷。我们确认了两种孪晶/双晶结构,它们的孪晶面分别是(01^-13)和(^-2112)面。基面层错有I1和I2两种。在大尺寸的纳米带中,I1基面层错可以折叠到(2^110)面形成棱面层错。当少量的In离子掺入氧化锌纳米带后,我们发现伴随着杂质In在基面的聚集,形成了两种倒反畴界。 相似文献
12.
基于TCAD数值仿真软件,建立了异面结构砷化镓光导开关(GaAs PCSS)的二维数值计算模型,研究了触发区域宽度对GaAs PCSS输出特性影响。首先分析了PCSS的瞬态导通特性,结果表明,急剧增加的载流子浓度与快速演化的空间电离畴使PCSS工作在超快速导通模式。基于此,研究了触发区域宽度对PCSS输出特性影响,结果表明,宽度变大会促进载流子密度急剧倍增和雪崩电离畴的快速演化,缩短PCSS的延迟时间和导通时间。研究分析了不同触发位置对延迟时间与导通时间影响,结果表明,阴极触发的延迟时间明显低于阳极触发,而导通时间受触发位置的影响不显著。 相似文献
13.
铁电材料在力、电载荷作用尤其是循环载荷作用下有明显的热效应.热效应会在铁电材料中引起应力场和电场.另外,在外载作用下铁电材料发生约束畴变时也会产生附加的应力场,这些附加的应力场和电场都会对铁电材料的畴变产生影响.而且在循环载荷作用的情况下,这种影响会逐渐累积.但在以往的研究中,很少涉及这种影响.该文就循环电载下热效应引起的力、电场和约束畴变时产生的附加应力场对铁电材料畴变的影响进行了初步研究. 相似文献
14.
基于文献中报道的试验结果,本文考虑非均匀的畴变过程区,它包含一个位于中心的饱和区和环绕饱和区的渐变区.为了描述外加应力引起的部分铁弹畴变,本文采用一个显式的基于最小能量原理的非均匀畴变准则.考虑离面极化的压电陶瓷,假设其初始极化矢量平行于离面方向.畴变后的电畴位于面内,具体方位由最大释放功来确定.基于非均匀畴变准则,本文给出了裂尖处非均匀畴变区几何及畴变体积分数的分布.并在静止裂纹和稳态扩展裂纹两种特殊情况下计算了铁弹畴变对裂尖处应力强度因子的影响.结果表明:(1) 静止裂纹尖端处的畴变减小了材料的起裂强度;(2) 准静态稳态裂纹附近的畴变增加了材料的断裂强度.且理论预测的R曲线渐近值与试验结果定量吻合. 相似文献
15.
Koenig定理描述了环的导出范畴允许recollement的一个充分必要条件.本文给出环的模范畴版本的Koenig定理及其应用.应用一是可以导出Morita等价定理,应用二是可以描述三角矩阵环与模范畴的recollement之间的密切联系. 相似文献
16.
17.
磁畴和畴壁的实验演示 总被引:1,自引:1,他引:0
利用透射光法进行磁畴和畴壁的实验演示,在磁性材料中的薄膜中,若无外加磁场时,可以观察到很多蜿蜒曲折的条状磁畴,当垂直薄膜面上加一个磁场(磁化场)时,这些条状磁畴就会产生变化,凡与外加磁场方向一致的磁畴体积扩大,与加外磁场方向相反的磁畴体积会缩小。 相似文献
18.
本文采用增镀折射率较大的介质薄膜及利用会聚光束的方法,提高了克尔磁光效应观察磁畴的效果。此方法简便易行,适宜于进行磁畴的演示实验教学及从事磁畴结构的研究工作。 相似文献
19.
研究了无取向硅钢W23G,W10,W14和取向硅钢Q8G4种材料在不同形变量下的磁声发射(MAE)和巴克豪森噪音(BN),结果表明MAE随形变量增大而减少,BN随形变量的增大而增大.测量了形变量为10.4%的W18和W23G在100,200,300,…,700°C各退火1h的MAE与BN值.其中MAE值随退火温度的升高逐渐增大,BN值在高于500°C退火时明显下降.并对上述实验结果进行了详细讨论. 相似文献
20.