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41.
已提出的各种可能机理有束流引起的化学反应,高电流密度使表面局部区域内原子加热导致的局部原子的蒸发、熔化、再结晶等,有些结构可能是由于污染物或针尖材料在表面上的沉淀而产生的.当样品表面有覆层或处于特定的气体或液体氛围下时,用STM仍可在其上产生各种细微结构,其主要方法可分为两类,其一是电子束光刻,其二是电子束辅助淀积和刻蚀,以下分别进行讨论。 相似文献
42.
本文研究了具有中心环域的可积多项式系统,探讨此系统在用多项式进行微扰的情况下,其所对应的Abel积分的零点个数的计算方法,给出了一个较为实用的定理,并举出了若干个应用的例子. 相似文献
43.
44.
45.
利用六面顶高压设备制备了高密度、低脆性、纳米级的ZnO块体材料,用MDI/JADE5 X射线衍射仪(Cu靶)和XL30S-FEG场发射扫描电子显微镜对高压样品的相组成、晶粒尺寸及微观形貌进行了表征.利用E55+FRA106/5傅里叶变换激光拉曼光谱仪通过ZnO块体样品位于50—500cm-1之内的拉曼光谱, 研究了极性半导体纳米材料的拉曼光谱学特征.发现在极性半导体ZnO纳米块体材料中,没有出现明显的尺寸限制效应.
关键词:
ZnO纳米块体
拉曼光谱
尺寸限制效应 相似文献
46.
本文介绍非线性方程转化直线性方程和多元线性回归法来分析近代物理实验中塞曼效应分裂干涉圆环多处选点测量的处理过程。 相似文献
47.
48.
Operator Matrix Forms of Positive Operators 总被引:2,自引:0,他引:2
If a 3-tuple (A:H1→H1,B:H2→H1,C:H2→H2)of operators on Hibert spaces is given,we proved that the operator ~↑A:=(↑A ↓B^*↑B ↓C) on H=H1 H2 is ≥0 is and only if A≥0,R(B)∪→R(A^1/2) and C≥B^* A^ b,where A^ is the generalized inverse of A.In general,A^ is a closed operator,but since R(B)∪→R(A^1/2,B^* A^ B is bounded yet. 相似文献
49.
Heitsch在[1]中给出了一些特殊的群作用,并提出了这样的问题:1)与这些群作用相结合的C-代数有何性质?2)相应C-代数与叶状结构有何关系?本文就此进行部分讨论。1 在S~(2k-1)上的群作用 相似文献
50.