等幂代数和方程组的解法

众所周知, 等幂和代数方程组可以通过Newton恒等式转化为一个高次代数方程. 这就是Viete-Newton定理. 本文报道一项关于把Viete-Newton定理推广到等幂代数和方程组的求解上去的研究成果. 利用代数学和组合学的知识和技巧, 该成果显示了等幂代数和方程组可以封闭地转化为两个次数之和等于等幂代数和方程组未知数个数的代数方程.     

T-型树谱唯一性的一个简单刻画

图G称为谱唯一的,如果任何与G谱相同的图一定与G同构.一棵树称为T-型树如果其仅有一个最大度为3的顶点.本文给出了T-型树谱唯一性的一个简单刻画,从而完全解决了T-型树的谱唯一性问题.     

K(o)the-Bochner空间的凸性

本文利用K(o)the函数空间的性质以及K(o)the函数空间与K(o)the-Bochner空间的关系,讨论了K(o)the-Bochner空间E(X)的凸性,主要结果如下:(a)给出E(X)的端点的充分条件,得到了E(X)严格凸的判据,相应地推广了Lp(μ,X)以及LΦ(X)的结果;(b)讨论了E(X)的弱局部一致凸和局部完全k-凸;(c)刻画了E(X)的强凸,给出了E(X)强凸的充要条件.     

我国上市公司资本结构决策的实证研究

本在已有资本结构理论研究成果的基础上，对30家沪市上市公司的资本结构进行了实证研究，提出了在我国资本市场环境下优化企业资本结构的对策建议。     

烷基硫酸盐表面张力的量子化学研究

用AMl量子化学计算法优化了十三烷基硫酸根阴离子和——CH3在不同取代位的十二烷基硫酸根阴离子的几何构型，得到最优构型时最高占据分子轨道能级EHOMO、最低空轨道能级ELUMO、电子能量Eele和偶极矩μ等数据．将这些电子结构数据分别与表面张力相拟合，得到很好的相关性。文中讨论了——CH3在不同位置取代对表面张力的影响。     

Banach空间中渐近正则半群的不动点定理

设X是p一致凸Banach空间,具有弱一致正规结构与非严格的Opial性质.又设C是X的非空凸弱紧子集.在适当的条件下,证明了C上每个渐近正则半群T={T(t):t∈S}都有不动点进一步,在类似的条件下,也讨论了一致凸Banach空间中渐近正则半群的不动点的存在性.     

抗生素调节的单种群chemostat模型研究

构建并分构了抗生素调节的单种群chemosta模型 ,得到了依赖于抗生素输入浓度的微生物种群绝灭和一致持续生存的充分条件 .     

ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变

用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明，同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同，ZnSe的X点导带底具有正的压力系数，但比г点的压力系数小，这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响，表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。     

一致Banach空间中非扩张映象的弱收敛定理

设犈是一致凸Ｂａｎａｃｈ空间，满足Ｏｐｉａｌ条件或具有Ｆｒｅｃｈｅｔ可微范数，犆是犈的非空闭凸子集，且犜：犆→犆是非扩张映象．又设对任何初始数据狓１ ∈犆，序列｛狓狀｝由下列修改了的Ｉｓｈｉｋａｗａ迭代程序生成：狓狀＋１ ＝狋狀犜狀（狊狀犜狀狓狀＋ （１－狊狀）狓狀）＋ （１－狋狀）狓狀，　狀≥１， （Ｉ）其中，数列｛狋狀｝与｛狊狀｝满足下列条件（ｉ）和（ｉｉ）之一：（ｉ）狋狀∈ ［犪，犫］且狊狀∈ ［０，犫］；（ｉｉ）狋狀∈ ［犪，１］且狊狀∈ ［犪，犫］，这里，常数犪，犫满足０＜犪≤犫＜１．作者证明了，犜有不动点的充要条件是，｛狓狀｝ 弱收敛且｛‖狓狀－犜狓狀‖｝收敛到０．而且，由此即知，若犜有不动点，则｛狓狀｝弱收敛到犜的一个不动点．     

纳米级自旋电子学材料取得重要进展

因为纳米级的自旋电子学器件需要在纳米尺度上仍能在较高温度下保持优异性能的高自旋极化率材料，故与半导体相容的半金属铁磁体近来受到高度重视．文章介绍作者在这个方向上研究工作的最新重要进展：通过大规模系统的高精度第一原理计算，作者发现三个3d过渡金属硫系化合物的闪锌矿相具有优异的半金属铁磁性，并且其结构性能适合做成具有足够厚度的薄膜或层状材料，便于应用于纳米级自旋电子学器件。