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使用高真空电子束蒸发在p型Si(1 0 0 )衬底上制备了高kHfO2 薄膜 .俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学配比 ;x射线衍射测量表明刚沉积的薄膜是近非晶的 ,高温退火后发生部分晶化 ;原子力显微镜和扫描电子显微镜检测显示在高温退火前后薄膜均具有相当平整的表面 ,表明薄膜具有优良的热稳定性 ;椭偏测得在 6 0 0nm处薄膜折射率为 2 0 9;电容 电压测试得到的薄膜介电常数为 1 9.这些特性表明高真空电子束蒸发是一种很有希望的制备作为栅介质的HfO2 薄膜的方法 相似文献
132.
用改进的离子束增强沉积方法和恰当的退火从V2O5粉末直接制备了VO2多晶薄膜.实验测试表明,薄膜的取向单一、相变特性显著、结构致密、界面结合牢固、工艺性能良好,薄膜的电阻温度系数(TCR)最高可达4.23%/K.从成膜机理出发,较详细地讨论了离子束增强沉积 VO2多晶薄膜的TCR高于VOx薄膜的TCR的原因.分析认为,单一取向的VO2结构使薄膜晶粒具有较高的电导激活能,致密的薄膜结构减少了氧空位和晶界宽度,使离子束增强沉积 VO2多晶薄膜结构比其他方法制备的VOx薄膜更接近于单晶VO2是其具有高TCR的原
关键词:
VO2多晶薄膜
离子束增强沉积
热电阻温度系数 相似文献
133.
134.
135.
利用量子统计方法 ,直接计算Barriola_Vilenkin黑洞背景下玻色场和费米场的配分函数 ,然后利用砖墙膜模型计算和讨论黑洞背景下玻色场和费米场的熵 相似文献
136.
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138.
电场作用下反式聚乙炔中孤子输运的数值计算 总被引:1,自引:0,他引:1
对于有电场存在下的反式聚乙炔单链中的孤子运动,用SSH模型引入电场项,通过数值计算,对孤子在电场下的运动规律进行了模拟.得到孤子在电场下沿链匀速运动的结论, 相似文献
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140.
在喷气Z pinch内爆等离子体研究中,雪铲模型是一种常用的、比较简单的物理模型。根据实验中提供的电流波形,负载线质量和初始半径,可以通过雪铲模型来估算内爆到心的时刻。根据一维运动方程和不同构形下的解析解以及部分实验结果相结合,讨论了雪铲模型的适用范围。数值计算的内爆时间和实验(Gamble II, Double EAGLE, BLACKJACK 5)测量值符合得较好。结果表明,雪铲模型在喷气Z pinch实验的负载优化设计研究中是很有参考价值的方法。 相似文献