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991.
周霆 《浙江大学学报(理学版)》2013,40(3):285-290
从考虑神经元轴突朗飞结的电缆模型入手,根据脑磁图和电磁场理论的“场路一致性”原理,讨论了应该从著名的Hodgkin-Huxley一阶静态等效电路扩展为二阶动态电路的合理性和必要性,并通过具体的计算实例进一步研究电生理学材料参数膜电容C 和电感L的频率特性,实验结果表明,有髓神经元纤维轴向信号传递速度越快,其电容和电感值就越小. 相似文献
992.
993.
冲击加速度计校准的传统方法有绝对法、相对法和比较法。综合相对法和比较法的优点,提出了一种校准冲击加速度计的新方法类比法。其标准加速度传感器可采用绝对法直接溯源到国家基准,并在同条件冲击作用下通过标准加速度传感器和被校加速度传感器互换,根据冲击力或动应变测量结果对被校加速度传感器幅值灵敏度、线性度与频率响应等技术参数进行校准,从而弱化了冲击力或动应变测量结果对冲击加速度校准的影响,测量准确度高。 相似文献
994.
随着光电跟踪设备的大型化,在系统的惯量增大的同时,机械谐振频率一般会降低,此时控制系统的带宽设计将受到限制,而且大型的光电设备更容易受到风阻、地基振动等各种干扰的影响,从而降低系统的控制精度。由于惯性测量元件——加速度计直接感受被测对象的受力情况,通过引入加速度反馈控制回路,在不增大系统带宽的前提下,中低频段的扰动抑制传递函数幅值下降约25 dB。理论、仿真和实验三方面均验证了该控制方式的有效性。 相似文献
995.
分别在层层组装膜的沉积和淋洗步骤中引入流动场, 用紫外-可见光谱对多层膜的组装过程进行了跟踪, 用原子力显微镜对膜的表面粗糙度进行了观察, 用X射线反射(XRR)对膜的厚度和粗糙度进行了评估. 实验结果表明, 在沉积步骤中, 流动场可以促进高分子与组装基底的接触, 从而提升组装速度; 而在淋洗步骤中, 搅拌下的流动场不仅可以冲洗掉膜表面物理吸附的高分子, 还能够降低膜的粗糙度, 使得膜表面更加平整. 相似文献
996.
This paper derives explicit expressions for the propagation of Gaussian beams carrying two vortices of equal charges m=±1 diffracted at a half-plane screen, which enables the study of the dynamic evolution of vortices in the diffraction field. It shows that there may be no vortices, a pair or several pairs of vortices of opposite charges m=+1, -1 in the diffraction field. Pair creation, annihilation and motion of vortices may appear upon propagation. The off-axis distance additionally affects the evolutionary behaviour. In the process the total topological charge is equal to zero, which is unequal to that of the vortex beam at the source plane. A comparison with the free-space propagation of two vortices of equal charges and a further extension are made. 相似文献
997.
用实空间自洽场理论研究了二嵌段共聚物薄膜受限于平行板中的模板化自组装情况.通过改变平行板表面场修饰的情况,给出了粗略微观结构,观察了体系微相结构的变化过程,并对所观察到的变化规律作了讨论.另一方面,固定平行板的厚度、相分离强度等参数,改变吸附表面场的大小,观察并讨论了体系微相结构的变化及其规律.结果表明,二嵌段共聚物体系的微相结构是由受限条件和表面场修饰共同所决定的,因而控制表面场修饰情况的相关参数可以得到所期望的特定高分子体系结构. 相似文献
998.
999.
1000.
采用微波等离子体增强化学气相沉积(MPECVD)法,在涂有FeCl3的硅衬底上制备出了纳米非晶碳薄膜.通 过SEM、XRD和拉曼光谱分析了薄膜材料的形貌和结构.并研究了薄膜材料的场发射特性.结果表明:薄膜的开启电场仅为0.39 V/μm;当电场强度为1.85 V/μm时,电流密度高达3.06 mA/cm2;且场发射点均匀、密集、稳定.迭代法计算表明薄膜材料的功函数为3.1 eV,发射点密度约为1.7×105个/cm2.这些均表明该薄膜是一种性能优良的场发射阴极材料. 相似文献